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1. (WO2013035394) アクティブ・マトリクス型表示装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/035394    国際出願番号:    PCT/JP2012/063875
国際公開日: 14.03.2013 国際出願日: 30.05.2012
IPC:
G02F 1/1368 (2006.01), G09F 9/30 (2006.01), G09G 3/20 (2006.01), G09G 3/30 (2006.01), G09G 3/36 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/32 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01)
出願人: KAWANO, Hideo [JP/JP]; (JP)
発明者: KAWANO, Hideo; (JP)
代理人: MORIYA, Kazuo; Daiichi Teikei Bldg., 1-13-4, Nihonbashi-Kakigaracho, Chuo-ku, Tokyo 1030014 (JP)
優先権情報:
2011-195384 07.09.2011 JP
発明の名称: (EN) ACTIVE MATRIX DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE À MATRICE ACTIVE
(JA) アクティブ・マトリクス型表示装置
要約: front page image
(EN)[Problem] To suppress lowering of display quality because of increases in flicker level and lowering of uniformity in screen brightness caused by increases in the overcharging effect when an amorphous metal oxide semiconductor or an organic semiconductor that has an electron field effect mobility greater than amorphous silicon is used for pixel TFTs in a liquid crystal display device or organic EL display device. [Solution] A new relational equation is derived for punch-through voltage in halftone display, where the visibility of flicker, burn-in, and the like is high, and in-plane differences in counter electrode potential, which are an index of the overcharging effect. A design is made so as to satisfy conditions for reducing the in-plane differences in counter electrode potential that have been newly derived on the basis of this equation to an allowable threshold value or less.
(FR)La présente invention vise à supprimer la diminution de la qualité d'affichage en raison d'augmentations dans le niveau de scintillement et la diminution de l'uniformité dans la brillance d'écran produite par des augmentations dans l'effet de surcharge lorsqu'un semi-conducteur oxyde métallique amorphe ou un semi-conducteur organique qui a une mobilité d'effet de champ électronique supérieure au silicium amorphe est utilisé pour des transistors en couches minces (TFT) de pixel dans un dispositif d'affichage à cristaux liquides ou un dispositif d'affichage électroluminescent (EL) organique. A cet effet, selon l'invention, une nouvelle équation de relation est déduite pour une tension de pénétration dans un dispositif d'affichage demi-ton, où la visibilité de scintillement, d'allumage et similaire est élevée, et des différences en plan dans un potentiel de contre-électrode, qui sont un indice de l'effet de surcharge. Une conception est réalisée de manière à satisfaire des conditions pour réduire les différences en plan dans le potentiel de contre-électrode qui ont été récemment déduites sur la base de cette équation, à une valeur de seuil admissible ou inférieure.
(JA) 課題:液晶表示装置または有機EL表示装置の画素TFTとしてアモルファスシリコンよりも電界効果移動度が大きい、アモルファスの金属酸化物系半導体或いは有機半導体を用いた場合の過剰充電効果の増大に起因する、フリッカーレベルの増大や画面輝度の均一性低下による表示品位の低下を抑制する。 解決手段:フリッカーや焼き付等の視認性が高い中間調表示における突き抜け電圧と、過剰充電効果の指標となる対向電極電位の面内格差との関係式を新たに導出し、これに基いて新たに導出した対向電極電位の面内格差を許容限界値以下に低減するための条件を満たすように設計する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)