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1. (WO2013035305) 有機太陽電池
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/035305    国際出願番号:    PCT/JP2012/005595
国際公開日: 14.03.2013 国際出願日: 04.09.2012
IPC:
H01L 51/42 (2006.01)
出願人: IDEMITSU KOSAN CO.,LTD. [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MAEDA, Ryoji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YASUKAWA, Keiichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IKEDA, Hidetsugu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MAEDA, Ryoji; (JP).
YASUKAWA, Keiichi; (JP).
IKEDA, Hidetsugu; (JP)
代理人: WATANABE, Kihei; Shibashin Kanda Bldg. 3rd Floor, 26, Kanda Suda-cho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010041 (JP)
優先権情報:
2011-197703 09.09.2011 JP
2012-121141 28.05.2012 JP
発明の名称: (EN) ORGANIC SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE ORGANIQUE
(JA) 有機太陽電池
要約: front page image
(EN)This organic solar cell includes, in this order, a first electrode, an active layer, including a plurality of organic layers, and a second electrode, said active layer being (A) or (B) stated as follows: (A) an active layer formed by laminating, in this order, a p-type semiconductor layer, an i layer that is a mixed layer composed of a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material, a hole barrier layer having a thickness which inhibits hole transfer but does not block electron transfer, and an n-type semiconductor layer; and (B) an active layer formed by laminating, in this order, a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer (I), a hole barrier layer having a thickness that inhibits hole transfer but does not block electron transfer, and an n-type semiconductor layer (II).
(FR)La présente invention porte sur une cellule solaire organique, qui comprend, dans cet ordre, une première électrode, une couche active, comprenant une pluralité de couches organiques, et une seconde électrode, ladite couche active étant (A) ou (B), définies comme suit : (A) une couche active formée par stratification, dans cet ordre, d'une couche de semi-conducteur de type p, d'une couche i qui est une couche mélangée composée d'une matière semi-conductrice de type p et d'une matière semi-conductrice de type n, d'une couche de barrière aux trous ayant une épaisseur qui empêche un transfert de trous mais ne bloque pas un transfert d'électrons, et d'une couche semi-conductrice de type n ; et (B) une couche active formée par stratification, dans cet ordre, d'une couche semi-conductrice de type p, d'une couche semi-conductrice de type n (I), d'une couche de barrière aux trous ayant une épaisseur qui empêche un transfert de trous mais ne bloque pas un transfert d'électrons, et d'une couche semi-conductrice de type n (II).
(JA)第1電極、複数の有機層を含む活性層、第2電極をこの順に含む有機太陽電池であって、前記活性層が下記(A)及び(B)のいずれか一方である有機太陽電池。(A)p型半導体層、p型半導体材料とn型半導体材料の混合層であるi層、正孔の移動を阻止し、電子の移動を妨げない厚さの正孔障壁層、n型半導体層の順に積層されてなる活性層;(B)p型半導体層、n型半導体層(I)、正孔の移動を阻止し、電子の移動を妨げない厚さの正孔障壁層、n型半導体層(II)の順に積層されてなる活性層
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)