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1. (WO2013035300) 半導体素子、半導体装置、およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/035300    国際出願番号:    PCT/JP2012/005565
国際公開日: 14.03.2013 国際出願日: 03.09.2012
予備審査請求日:    27.02.2013    
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
出願人: PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NIWAYAMA, Masahiko; (米国のみ).
UCHIDA, Masao; (米国のみ)
発明者: NIWAYAMA, Masahiko; .
UCHIDA, Masao;
代理人: OKUDA, Seiji; OKUDA & ASSOCIATES, 10th Floor, Osaka Securities Exchange Bldg., 8-16, Kitahama 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
優先権情報:
2011-195208 07.09.2011 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) ELÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENTS À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体素子、半導体装置、およびその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor element manufacturing method that includes: a step (A) wherein a first conductivity-type first silicon carbide semiconductor layer is formed on a semiconductor substrate; a step (B) wherein a first mask that defines a body region is formed on the first silicon carbide semiconductor layer; a step (C) wherein a second conductivity-type body injection region is formed in a first silicon carbide semiconductor layer using the first mask; a step (D) wherein side walls are formed on the side surfaces of the first mask; a step (E) wherein a first conductivity-type impurity injection region and a second conductivity-type first body injection region are formed in the first silicon carbide semiconductor layer using the first mask and the side walls; and a step (F) wherein the first silicon carbide semiconductor layer is heat-treated.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'éléments à semi-conducteurs qui comprend : une étape (A) à laquelle une première couche de semi-conducteur au carbure de silicium d'un premier type de conductivité est formée sur un substrat semi-conducteur; une étape (B) à laquelle un premier masque qui délimite une région de corps est formé sur la première couche de semi-conducteur au carbure de silicium; une étape (C) à laquelle une région d'injection de corps d'un second type de conductivité est formée dans une première couche de semi-conducteur au carbure de silicium au moyen du premier masque; une étape (D) à laquelle des parois latérales sont formées sur les surfaces latérales du premier masque; une étape (E) à laquelle une région d'injection d'impuretés du premier type de conductivité et une première région d'injection de corps du second type de conductivité sont formées dans la première couche de semi-conducteur au carbure de silicium au moyen du premier masque et des parois latérales; et une étape (F) à laquelle la première couche de semi-conducteur au carbure de silicium est soumise à un traitement thermique.
(JA) 本願に開示された半導体素子の製造方法は、半導体基板上に第1導電型の第1炭化珪素半導体層を形成する工程(A)と、第1炭化珪素半導体層上にボディ領域を規定する第1マスクを形成する工程(B)と、第1マスクを用いて、第1炭化珪素半導体層中に、第2導電型のボディ注入領域を形成する工程(C)と、第1マスクの側面にサイドウォールを形成する工程(D)と、第1マスクおよびサイドウォールを用いて、第1炭化珪素半導体層中に、第1導電型の不純物注入領域および第2導電型の第1ボディ注入領域を形成する工程(E)と、第1炭化珪素半導体層を熱処理する工程(F)とを包含する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)