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1. (WO2013035248) シリコン単結晶中窒素濃度算出方法および抵抗率シフト量算出方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2013/035248 国際出願番号: PCT/JP2012/005024
国際公開日: 14.03.2013 国際出願日: 08.08.2012
IPC:
G01N 27/00 (2006.01) ,G01N 21/35 (2014.01) ,G01N 21/3563 (2014.01) ,H01L 21/66 (2006.01)
出願人: HOSHI, Ryoji[JP/JP]; JP (UsOnly)
KAMADA, Hiroyuki[JP/JP]; JP (UsOnly)
Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd.[JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP (AllExceptUS)
発明者: HOSHI, Ryoji; JP
KAMADA, Hiroyuki; JP
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005, JP
優先権情報:
2011-19584508.09.2011JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR CALCULATING CONCENTRATION OF NITROGEN AND METHOD FOR CALCULATING SHIFT AMOUNT OF RESISTIVITY IN SILICON SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE CALCULER LA CONCENTRATION EN AZOTE ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE CALCULER L'AMPLEUR DU DÉCALAGE DE RÉSISTIVITÉ DANS UN MONOCRISTAL DE SILICIUM
(JA) シリコン単結晶中窒素濃度算出方法および抵抗率シフト量算出方法
要約: front page image
(EN) The present invention provides a method for calculating the concentration of nitrogen in a nitrogen-doped silicon single crystal, comprising: previously determining the correlation among a carrier concentration difference Δ[n], an oxygen concentration [Oi] and a nitrogen concentration [N], wherein the carrier concentration difference Δ[n] is determined from the difference between the resistivity after a heat treatment for eliminating an oxygen donor and the resistivity after a heat treatment for eliminating a nitrogen-oxygen donor in the nitrogen-doped silicon single crystal; and calculating and determining an unknown nitrogen concentration [N] in the nitrogen-doped silicon single crystal from the carrier concentration difference Δ[n] and the oxygen concentration [Oi] on the basis of the correlation. It becomes possible to provide: a method for calculating a nitrogen concentration in a silicon single crystal, which can determine the value of a nitrogen concentration corresponding to an oxygen concentration even when the oxygen concentration is varied; and a method for calculating the shift amount of a resistivity in a silicon single crystal.
(FR) La présente invention porte sur un procédé permettant de calculer la concentration en azote dans un monocristal de silicium dopé par de l'azote, comprenant : la détermination préalable de la corrélation entre une différence de concentration en porteurs Δ[n], une concentration en oxygène [Oi] et une concentration en azote [N], la différence de concentration en porteurs Δ[n] étant déterminée à partir de la différence entre la résistivité après un traitement thermique destiné à éliminer un donneur d'oxygène et la résistivité après un traitement thermique destiné à éliminer un donneur d'azote-oxygène dans le monocristal de silicium dopé par de l'azote ; et le calcul et la détermination d'une concentration en azote inconnue [N] dans le monocristal de silicium dopé par de l'azote à partir de la différence de concentration en porteurs Δ[n] et de la concentration en oxygène [Oi] sur la base de la corrélation. Il devient possible d'obtenir : un procédé permettant de calculer une concentration en azote dans un monocristal de silicium, qui permet de déterminer la valeur d'une concentration en azote correspondant à une concentration en oxygène même lorsque la concentration en oxygène est amenée à varier ; et un procédé permettant de calculer l'ampleur du décalage d'une résistivité dans un monocristal de silicium.
(JA)  本発明は、窒素をドープしたシリコン単結晶中の窒素濃度を算出する方法であって、前記窒素ドープシリコン単結晶における、酸素ドナーを消去する熱処理後の抵抗率と窒素酸素ドナーを消去する熱処理後の抵抗率との差から求められるキャリア濃度差分Δ[n]と、酸素濃度[Oi]と、窒素濃度[N]との相関関係を予め求めておき、該相関関係に基づいて、前記キャリア濃度差分Δ[n]と前記酸素濃度[Oi]とから、窒素ドープシリコン単結晶中の未知の窒素濃度[N]を算出して求めるシリコン単結晶中窒素濃度算出方法を提供する。これにより、酸素濃度が異なる場合にも対応して窒素濃度の値を求めることができるシリコン単結晶中の窒素濃度を算出する方法および抵抗率のシフト量を算出する方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)