WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2013031923) 半導体インゴットの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/031923    国際出願番号:    PCT/JP2012/072067
国際公開日: 07.03.2013 国際出願日: 30.08.2012
IPC:
C30B 11/14 (2006.01), C01B 33/02 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
出願人: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ATOBE, Junichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ATOBE, Junichi; (JP)
優先権情報:
2011-187047 30.08.2011 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR INGOT
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UN LINGOT DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体インゴットの製造方法
要約: front page image
(EN)This method for producing a semiconductor ingot comprises: a seed crystal preparation step for preparing a seed crystal that has a first main surface on which a semiconductor melt is poured and a second main surface which is on the reverse side of the first main surface, with the central part being protruded toward the second main surface side; a mold preparation step for preparing a mold that has an opening through which the semiconductor melt is poured, a bottom surface, and an inner lateral surface that is positioned between the opening and the bottom surface; a seed crystal arrangement step for arranging the seed crystal on the bottom surface of the mold with the second main surface down; a pouring step for pouring the semiconductor melt toward the central part of the first main surface of the seed crystal; and a solidification step for solidifying the semiconductor melt in the mold.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé permettant de produire un lingot de semi-conducteur, ledit procédé comprenant : une étape de préparation d'un germe cristallin destinée à préparer un germe cristallin qui comprend une première surface principale sur laquelle est versé un métal liquide semi-conducteur, ainsi qu'une seconde surface principale qui se trouve sur le côté opposé à la première surface principale, la partie centrale faisant saillie vers la seconde surface principale ; une étape de préparation de moule destinée à préparer un moule qui présente une ouverture à travers laquelle le métal liquide semi-conducteur est versé, une surface inférieure et une surface latérale interne qui est positionnée entre l'ouverture et la surface inférieure ; une étape d'agencement de germe cristallin destinée à agencer le germe cristallin sur la surface inférieure du moule, la seconde surface principale se trouvant en bas ; une étape de versage destinée à verser le métal liquide semi-conducteur vers la partie centrale de la première surface principale du germe cristallin ; et une étape de solidification destinée à solidifier le métal liquide semi-cristallin dans le moule.
(JA) 本発明に係る半導体インゴットの製造方法は、半導体融液が注がれる第1主面と該第1主面の反対側に位置する第2主面とを有しているとともに、該第2主面側の中央部が突出している種結晶を準備する種結晶準備工程と、前記半導体融液が注がれる開口部と、底面部と、前記開口部と前記底面部との間に位置している内周側面部とを有している鋳型を準備する鋳型準備工程と、該鋳型の前記底面部に前記種結晶の前記第2主面を下にして前記種結晶を配置する種結晶配置工程と、前記種結晶の前記第1主面の中央部に向けて前記半導体融液を注入する注入工程と、前記鋳型内の前記半導体融液を凝固させる凝固工程とを含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)