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1. (WO2013031906) 光電変換装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/031906    国際出願番号:    PCT/JP2012/072041
国際公開日: 07.03.2013 国際出願日: 30.08.2012
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MATSUBARA, Hiroshi; (米国のみ)
発明者: MATSUBARA, Hiroshi;
代理人: Fukami Patent Office, p.c.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2011-190604 01.09.2011 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT DISPOSITIF
(JA) 光電変換装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)A photoelectric conversion device in which a first electrode, a first photoelectric conversion layer and a second electrode are sequentially laminated in this order. The first photoelectric conversion layer comprises a p-type silicon semiconductor layer, an i-type silicon semiconductor layer that is formed of a microcrystalline silicon semiconductor, and an n-type silicon semiconductor layer that contains phosphorus and oxygen, said silicon semiconductor layers being sequentially laminated from the first electrode side to the second electrode side. The n-type silicon semiconductor layer has a second portion, in which the oxygen concentration is maximum, at the same position as a first portion, in which the phosphorus concentration is maximum, in the thickness direction or at a position closer to the i-type silicon semiconductor layer than the first portion.
(FR)L'invention concerne un dispositif de conversion photoélectrique dans lequel une première électrode, une première couche de conversion photoélectrique et une seconde électrode sont stratifiées séquentiellement dans l'ordre ci-dessus. La première couche de conversion photoélectrique comprend une couche semi-conductrice de silicium de type p, une couche semi-conductrice de silicium de type i qui est formée d'un semi-conducteur de silicium semi-cristallin, et une couche semi-conductrice de silicium de type n qui contient du phosphore et de l'oxygène, lesdites couches semi-conductrices de silicium étant stratifiées séquentiellement à partir du côté de la première électrode vers le côté de la seconde électrode. La couche semi-conductrice de silicium de type n présente une seconde partie dans laquelle la concentration en oxygène est maximale, au même emplacement qu'une première partie dans laquelle la concentration en phosphore est maximale, dans le sens de l'épaisseur ou en un emplacement plus proche de la couche semi-conductrice de type i que ne l'est la première partie.
(JA) 第1電極、第1光電変換層、第2電極がこの順で積層されてなる光電変換装置であって、第1光電変換層は、第1電極側から第2電極側に向けて順に積層されている、p型シリコン系半導体層と、微結晶シリコン系半導体からなるi型シリコン系半導体層と、リンおよび酸素を含むn型シリコン系半導体層と、を有し、n型シリコン系半導体層は、リン濃度が最大である第1部位と層厚方向の位置が同じ位置または前記i型シリコン系半導体層により近い位置に酸素濃度が極大となる第2部位を有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)