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1. (WO2013031856) 炭化珪素単結晶基板及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/031856    国際出願番号:    PCT/JP2012/071885
国際公開日: 07.03.2013 国際出願日: 29.08.2012
IPC:
C30B 29/36 (2006.01)
出願人: NIPPON STEEL & SUMITOMO METAL CORPORATION [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008071 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SATO, Shinya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUJIMOTO, Tatsuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TSUGE, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KATSUNO, Masakazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SATO, Shinya; (JP).
FUJIMOTO, Tatsuo; (JP).
TSUGE, Hiroshi; (JP).
KATSUNO, Masakazu; (JP)
代理人: AOKI, Atsushi; SEIWA PATENT & LAW, Toranomon 37 Mori Bldg., 5-1, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1058423 (JP)
優先権情報:
2011-186362 29.08.2011 JP
2012-088413 09.04.2012 JP
2012-152039 06.07.2012 JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL WAFER AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME
(FR) TRANCHE DE MONOCRISTAL EN CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 炭化珪素単結晶基板及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a manufacturing method for silicon carbide single crystals with high crystal quality and, in particular, extremely low spiral dislocation density, and a silicon carbide single crystal ingot obtained by this method. Specifically, provided is a silicon carbide single crystal wafer cut from bulk silicon carbide single crystals grown through a sublimation and recrystallization method, wherein the spiral dislocation density is smaller in the marginal area than in the central area and spiral dislocation is partially reduced. The present invention is a manufacturing method for silicon carbide single crystals through a sublimation and recrystallization method using seed crystals, and is a silicon carbide single crystal ingot obtained using this manufacturing method. Specifically, the present invention is a silicon carbide single crystal wafer characterized in that when defining, with R being the diameter of the wafer, a central circular region centered on the center point (O) of the wafer and having a diameter of 0.5 × R, and a donut-shaped marginal region consisting of the remainder when that central circular region is excluded, the average value for spiral dislocation density observed in the donut-shaped marginal region is no more than 80% of the average value for spiral dislocation density observed in the central circular region.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de monocristaux en carbure de silicium présentant une qualité de cristal élevée et, en particulier, une densité de dislocation en spirale extrêmement faible et un lingot de monocristal en carbure de silicium obtenu par ce procédé. En particulier, l'invention concerne une tranche de monocristal en carbure de silicium découpée à partir de monocristaux en carbure de silicium en vrac amenés à croître au moyen d'un procédé de sublimation et de recristallisation, la densité de dislocation en spirale étant plus basse dans la zone marginale que dans la zone centrale et une dislocation en spirale étant en partie réduite. La présente invention concerne un procédé de fabrication de monocristaux en carbure de silicium par un procédé de sublimation et de recristallisation au moyen de germes cristallins, et concerne un lingot de monocristal en carbure de silicium obtenu au moyen de ce procédé de fabrication. En particulier, la présente invention concerne une tranche de monocristal en carbure de silicium, caractérisée en ce que lors de la définition d'une zone circulaire centrale centrée sur le centre (O) de la tranche et présentant un diamètre de 0,5 × R et une zone marginale en forme d'anneau constituée du reste lorsque cette zone circulaire centrale est exclue, R étant le diamètre de la tranche, la valeur moyenne de densité de dislocation en spirale observée dans la zone marginale en forme d'anneau n'est pas supérieure à 80 % de la valeur moyenne de densité de dislocation en spirale observée dans la zone circulaire centrale.
(JA)結晶品質が高く、特にらせん転位密度の極めて低いSiC単結晶の製造方法、及びこの方法によって得られたSiC単結晶インゴットを提供する。特に、昇華再結晶法で成長させたバルクの炭化珪素単結晶から切り出された基板であって、中心部に比べて周辺部でのらせん転位密度が小さく、部分的にらせん転位が低減された炭化珪素単結晶基板を提供する。 種結晶を用いた昇華再結晶法によるSiC単結晶の製造方法であって、これによって得られたSiC単結晶インゴットである。特に、基板の直径をRとして、基板の中心点Oを中心にして0.5×Rの直径を有した中心円領域と、該中心円領域を除いた残りのドーナツ状周辺領域とを定義したとき、前記ドーナツ状周辺領域で観察されるらせん転位密度の平均値が、前記中心円領域で観察されるらせん転位密度の平均値の80%以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶基板である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)