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1. (WO2013031843) 光電変換素子とその製造方法並びに光電変換装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/031843    国際出願番号:    PCT/JP2012/071860
国際公開日: 07.03.2013 国際出願日: 29.08.2012
IPC:
H01L 31/04 (2006.01)
出願人: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ABE, Shinichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SANO, Hirotaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KASAI, Shuichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ABE, Shinichi; (JP).
SANO, Hirotaka; (JP).
KASAI, Shuichi; (JP)
優先権情報:
2011-187046 30.08.2011 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子とその製造方法並びに光電変換装置
要約: front page image
(EN)[Problem] To alleviate carrier recombination by crystal defects and improve photoelectric conversion efficiency. [Solution] A photoelectric conversion element comprises: a group I-III-VI compound light absorption layer which is disposed upon a lower electrode layer and which includes a group I-B element, a group III-B element, and selenium; and a group III-VI compound semiconductor layer which is disposed upon the light absorption layer and which includes a group III-B element, sulfur, and selenium. The composition (atom%) of selenium of the group III-VI compound in the semiconductor layer is greater in the light absorption layer side than in the side away from the light absorption layer.
(FR)L'objet de la présente invention est d'alléger la recombinaison de porteur de charge par les défauts de cristal et d'améliorer l'efficacité de la conversion photoélectrique. La présente invention a trait à un élément de conversion photoélectrique qui comprend : une couche d'absorption de la lumière de composé de groupe I-III-VI qui est disposée sur une couche d'électrode inférieure et qui inclut un élément de groupe I-B, un élément de groupe III-B et du sélénium ; et une couche semi-conductrice de composé de groupe III-VI qui est disposée sur la couche d'absorption de la lumière et qui inclut un élément de groupe III-B, du soufre et du sélénium. La composition (% en atome) de sélénium du composé de groupe III-VI dans la couche semi-conductrice est supérieure du côté de la couche d'absorption de la lumière par rapport au côté éloigné de la couche d'absorption de la lumière.
(JA)【課題】 結晶欠陥によるキャリア再結合を抑制して、光電変換効率を改善すること。 【解決手段】 下部電極層上に設けられた、I-B族元素、III-B族元素およびSeを含むI-III-VI族化合物の光吸収層と、該光吸収層上に設けられ、III-B族元素、SおよびSeを含むIII-VI族化合物の半導体層と、を有する光電変換素子であって、前記半導体層における前記III-VI族化合物のSeの組成(原子%)は、前記光吸収層側の方が該光吸収層とは反対側よりも多い。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)