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1. (WO2013031780) プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/031780    国際出願番号:    PCT/JP2012/071723
国際公開日: 07.03.2013 国際出願日: 28.08.2012
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01)
出願人: Tokyo Electron Limited [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-Chome, Minato-Ku, Tokyo 1076325 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KAWAMATA Masaya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HONDA, Masanobu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUBOTA, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KAWAMATA Masaya; (JP).
HONDA, Masanobu; (JP).
KUBOTA, Kazuhiro; (JP)
代理人: ITOH, Tadashige; 16th Floor, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Seimei Building), 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
優先権情報:
2011-188600 31.08.2011 JP
61/534,973 15.09.2011 US
発明の名称: (EN) METHOD FOR PLASMA ETCHING AND PLASMA ETCHING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE PAR PLASMA, ET DISPOSITIF DE GRAVURE PAR PLASMA
(JA) プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
要約: front page image
(EN)A plasma etching device for etching a substrate with a process gas converted to plasma comprises: a process container; a holding section provided in said process container for holding a substrate; an electrode plate provided in said process container and facing said holding section; a plurality of supply sections arranged at respectively different positions in the radial direction of said substrate for supplying a process gas to a space sandwiched between said holding section and said electrode plate; a high frequency power source for converting to plasma the process gas supplied to said space by said plurality of supply sections by supplying high frequency electric power to at least either said holding section or said electrode plate; an adjustment means for adjusting the supply conditions for the process gas for each of said plurality of supply sections; and a control unit for controlling said adjustment means such that said supply conditions differ between a position where the effect of diffusion of process gas supplied is greater than the effect of flow of process gas supplied and a position where the effect of flow of said supplied process gas is greater than the effect of diffusion of said supplied process gas in a concentration distribution for active species included in the plasma-converted process gas on said substrate.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de gravure par plasma servant à graver un substrat à l'aide d'un gaz de traitement converti en plasma. Le dispositif de gravure par plasma comprend : un récipient de traitement ; une section de support, disposée dans ledit récipient de traitement et servant à supporter un substrat ; une plaque d'électrode, disposée dans ledit récipient de traitement, et faisant face à ladite section de support ; une pluralité de sections d'alimentation, agencées au niveau de positions respectivement différentes dans la direction radiale dudit substrat, et servant à alimenter en gaz de traitement un espace intercalé entre ladite section de support et ladite plaque d'électrode ; une source d'alimentation électrique haute fréquence, servant à convertir en plasma le gaz de traitement alimentant ledit espace via ladite pluralité de sections d'alimentation, en envoyant une puissance électrique haute fréquence vers ladite section de support et/ou ladite plaque d'électrode ; un moyen de réglage, servant à régler les conditions d'alimentation en gaz de traitement pour chaque section de ladite pluralité de sections d'alimentation ; et une unité de commande, servant à commander ledit moyen de réglage de façon à ce que lesdites conditions d'alimentation diffèrent entre une position pour laquelle l'effet de diffusion du gaz de traitement envoyé est plus grand que l'effet de flux dudit gaz de traitement envoyé, et une position pour laquelle l'effet de flux dudit gaz de traitement envoyé est plus grand que l'effet de diffusion dudit gaz de traitement envoyé dans une répartition de concentration concernant les espèces actives comprises dans le gaz de traitement converti en plasma sur ledit substrat.
(JA) プラズマ化された処理ガスにより基板をエッチングするプラズマエッチング装置において、処理容器と、前記処理容器内に設けられた、基板を保持する保持部と、前記処理容器内に設けられた、前記保持部と対向する電極板と、前記保持部と前記電極板とに挟まれた空間に処理ガスを供給するための、前記基板の径方向に対して各々異なる位置に配置された複数の供給部と、前記保持部又は前記電極板の少なくとも一方に高周波電力を供給することによって、前記複数の供給部により前記空間に供給された処理ガスをプラズマ化する高周波電源と、前記複数の供給部の各々に対応して、処理ガスの供給条件を調節する調節手段と、前記基板上における、プラズマ化された処理ガスに含まれる活性種の濃度分布について、供給された処理ガスの拡散の影響が供給された処理ガスの流れの影響より大きい位置と、前記供給された処理ガスの流れの影響が前記供給された処理ガスの拡散の影響より大きい位置とで、前記供給条件を変えるように前記調節手段を制御する制御部と、を有する、プラズマエッチング装置。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)