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1. (WO2013031562) 熱線反射部材
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/031562    国際出願番号:    PCT/JP2012/070956
国際公開日: 07.03.2013 国際出願日: 20.08.2012
IPC:
G02B 5/26 (2006.01), B32B 7/02 (2006.01), B32B 9/00 (2006.01), G02B 5/28 (2006.01)
出願人: NIPPON ELECTRIC GLASS CO., LTD. [JP/JP]; 7-1, Seiran 2-chome, Otsu-shi, Shiga 5208639 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMAZAKI, Yusuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKURAI, Takeshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMAZAKI, Yusuke; (JP).
SAKURAI, Takeshi; (JP)
代理人: MIYAZAKI & METSUGI; Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028 (JP)
優先権情報:
2011-189412 31.08.2011 JP
発明の名称: (EN) HEAT-RAY REFLECTING MEMBER
(FR) ORGANE RÉFLÉCHISSANT DE RAYON DE CHALEUR
(JA) 熱線反射部材
要約: front page image
(EN)Provided is a novel heat-ray reflecting member that is suitable for use in a heat treatment device or the like used in a process such as manufacturing of silicon semiconductors. A heat-ray reflecting member (1) comprises a substrate (10) and a heat-ray reflecting layer (20). The heat-ray reflecting layer (20) is disposed on the substrate (10). The heat-ray reflecting layer (20) is formed by alternately layering silicon layers (22) and silicon oxide layers (21). The silicon oxide layers (21) include a first region (21a) and a second region (21b). The second region (21b) is positioned between the first region (21a) and the silicon layer (22). The refractive index (n2) of the second region (21b) is higher than the refractive index (n1) of the first region (21a).
(FR)L'invention concerne un nouvel organe réfléchissant de rayon de chaleur qui convient à une utilisation dans un dispositif de traitement à la chaleur ou similaires, utilisé dans un procédé tel que la fabrication de semi-conducteurs de silicium. Un organe réfléchissant de rayon de chaleur (1) comprend un substrat (10) et une couche réfléchissante de rayon de chaleur (20). La couche réfléchissante de rayon de chaleur (20) est disposée sur le substrat (10). La couche réfléchissante de rayon de chaleur (20) est formée en déposant en couches alternées des couches de silicium (22) et des couches d'oxyde de silicium (21). Les couches d'oxyde de silicium (21) comprennent une première région (21a) et une seconde région (21b). La seconde région (21b) est positionnée entre la première région (21a) et la couche de silicium (22). L'indice de réfraction (n2) de la seconde région (21b) est plus élevé que l'indice de réfraction (n1) de la première région (21a).
(JA) シリコン半導体の製造などに用いられる熱処理装置などに好適に使用できる新規な熱線反射部材を提供する。 熱線反射部材1は、基材10と、熱線反射層20を備える。熱線反射層20は、基材10の上に配されている。熱線反射層20は、シリコン層22と酸化シリコン層21とが交互に積層されてなる。酸化シリコン層21は、第1の領域21aと、第2の領域21bとを含む。第2の領域21bは、第1の領域21aとシリコン層22との間に位置する。第2の領域21bの屈折率n2は、第1の領域21aの屈折率n1よりも高い。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)