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1. (WO2013031480) 半導体装置の製造方法、および接合方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/031480    国際出願番号:    PCT/JP2012/069765
国際公開日: 07.03.2013 国際出願日: 02.08.2012
IPC:
H01L 27/12 (2006.01), B23K 20/00 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUGA, Katsuyuki; (米国のみ)
発明者: SUGA, Katsuyuki;
代理人: HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041 (JP)
優先権情報:
2011-191112 01.09.2011 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND BONDING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE LIAISON
(JA) 半導体装置の製造方法、および接合方法
要約: front page image
(EN)This semiconductor device manufacturing method includes: a step (S12) of disposing, at intervals larger than those at bonding, second substrates on supporting tables; a step (S13) of disposing the supporting tables at bonding positions by moving the supporting tables; and a step (S15) of pushing up the second substrates from the supporting tables, and bonding the second substrates to a first substrate held above the second substrates. Consequently, the intervals at which the second substrates are bonded on the first substrate can be made smaller than the conventional intervals, and use efficiency of the first substrate is improved.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur qui inclut : une étape (S12) consistant à disposer, à intervalles supérieurs à ceux sur la liaison, des seconds substrats sur des tables de support; une étape (S13) consistant à disposer les tables de support sur des positions de liaison en déplaçant les tables de support; et une étape (S15) consistant à faire monter les seconds substrats à partir des tables de support et à coller les seconds substrats à un premier substrat qui est maintenu au-dessus des seconds substrats. Par conséquent, les intervalles auxquels les seconds substrats sont collés sur le premier substrat peuvent être réduits par rapport aux intervalles classiques, et l'efficacité d'utilisation du premier substrat est améliorée.
(JA) 貼り合わせ時よりも広い間隔の位置で支持台上に第2基板を設置する工程(S12)と、上記支持台を移動させて、貼り合わせ用の位置に配置する工程(S13)と、上記配置した各支持台から各第2基板を押し上げて、該各第2基板の上方に保持されている第1基板に貼り合わせる工程(S15)とを含む。これにより、第1基板に接合された第2基板間の隙間を従来よりも小さくすることができ、第1基板の利用効率を向上する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)