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1. (WO2013031471) 光電変換素子の製造方法、および撮像素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/031471    国際出願番号:    PCT/JP2012/069680
国際公開日: 07.03.2013 国際出願日: 02.08.2012
IPC:
H01L 31/10 (2006.01), C09B 23/00 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
出願人: FUJIFILM Corporation [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1060031 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUZUKI Hideyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUZUKI Hideyuki; (JP)
代理人: WATANABE Mochitoshi; Yusen Iwamoto-cho Bldg. 6F., 3-3, Iwamoto-cho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010032 (JP)
優先権情報:
2011-190588 01.09.2011 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT MANUFACTURING METHOD AND IMAGE CAPTURE ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE
(JA) 光電変換素子の製造方法、および撮像素子の製造方法
要約: front page image
(EN)Provided is a photoelectric conversion element manufacturing method in which a lower electrode, an electronic blocking layer, a photoelectric conversion layer, an upper electrode, and a sealing layer are stacked in said order. The method comprises a step of forming, upon the photoelectric conversion layer, by sputtering, a transparent conductive oxide into a film at a film forming speed of 0.5Å/s or more, and forming an upper electrode with a stress of -50 - -500MPa.
(FR)L'invention a trait à un procédé de fabrication d'un élément de conversion photoélectrique qui comprend l'empilement d'une électrode inférieure, d'une couche de blocage électronique, d'une couche de conversion photoélectrique, d'une électrode supérieure et d'une couche d'étanchéité, dans cet ordre. Ledit procédé consiste à former par pulvérisation sur la couche de conversion photoélectrique un film d'oxyde conducteur transparent à une vitesse de formation de film de 0,5 Å/s ou plus, et à former une électrode supérieure avec une contrainte de -50 à -500 MPa.
(JA) 下部電極、電子ブロッキング層、光電変換層、上部電極および封止層が、この順で積層された光電変換素子の製造方法である。光電変換層上に、スパッタ法により透明導電酸化物を0.5Å/s以上の成膜速度で成膜し、応力が-50~-500MPaである上部電極を形成する工程を有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)