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1. (WO2013031283) III族窒化物半導体レーザ素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/031283    国際出願番号:    PCT/JP2012/060166
国際公開日: 07.03.2013 国際出願日: 13.04.2012
IPC:
H01S 5/042 (2006.01), H01S 5/22 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUMITOMO Takamichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KYONO Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
UENO Masaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YOSHIZUMI Yusuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ENYA Yohei [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ADACHI Masahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKAGI Shimpei [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YANASHIMA Katsunori [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUMITOMO Takamichi; (JP).
KYONO Takashi; (JP).
UENO Masaki; (JP).
YOSHIZUMI Yusuke; (JP).
ENYA Yohei; (JP).
ADACHI Masahiro; (JP).
TAKAGI Shimpei; (JP).
YANASHIMA Katsunori; (JP)
代理人: HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
優先権情報:
2011-185196 26.08.2011 JP
発明の名称: (EN) GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE LASER À SEMI-CONDUCTEURS À NITRURE DU GROUPE III
(JA) III族窒化物半導体レーザ素子
要約: front page image
(EN)Provided is a group-III nitride semiconductor laser device having a structure capable of reducing malfunctions attributable to COD and mitigating a decline in heat dissipation capability. First and second cross-sections (27, 29), which are to become a laser resonator, intersect with an m-n plane. The group-III nitride semiconductor laser device (11) has a laser waveguide that extends in the direction of a cross line between the m-n plane and a semipolar plane (17a). The cross-sections (27, 29) are different from cleavage planes such as a c-plane, an m-plane and an a-plane. A semiconductor region (19) includes first through third regions (19b-19d) that extend in the direction of a waveguide vector (LGV). An aperture (31a) of an insulating film (31) is positioned above a ridge structure of the third region (19d) of the semiconductor region (19). At an electrode (15), first through third electrode sections (18b-18d) of a pad electrode (18) are respectively provided above the first through third regions (19b-19d) of the semiconductor region (19). The first electrode section (18b) has an arm section (18b_ARM1) that reaches an edge of the cross-section (27).
(FR)La présente invention concerne un dispositif de laser à semi-conducteurs à nitrure du groupe III ayant une structure apte à réduire les dysfonctionnements imputables à la DCO et à atténuer la baisse de la capacité de dissipation thermique. Des première et seconde sections transversales (27, 29), qui doivent former le résonateur laser, croisent un plan m-n. Le dispositif de laser à semi-conducteurs à nitrure du groupe III (11) possède un guide d'onde laser qui s'étend dans la direction d'une ligne de croisement entre le plan m-n et un plan semi-polaire (17a). Les sections transversales (27, 29) diffèrent des plans de clivage tels que le plan c, le plan m et le plan a. Une région semi-conductrice (19) comprend des première à troisième régions (19b-19d) qui s'étendent dans la direction d'un vecteur guide d'onde (LGV). Une ouverture (31a) d'un film isolant (31) est placée au-dessus d'une structure de crête de la troisième région (19d) de la région semi-conductrice (19). Sur une électrode (15), des première à troisième sections d'électrode (18b-18d) d'une électrode pastille (18) sont prévues respectivement au-dessus des première à troisième régions (19b-19d) de la région semi-conductrice (19). La première section formant électrode (18b) présente une section formant bras (18b_ARM1) qui va jusqu'à un bord de la section transversale (27).
(JA)CODによる動作不良を低減できると共に放熱能力の低下も縮小できる構造を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。レーザ共振器となる第1及び第2の割断面27、29が、m-n面に交差する。III族窒化物半導体レーザ素子11は、m-n面と半極性面17aとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。割断面27、29は、c面、m面又はa面等のへき開面とは異なる。半導体領域19は、導波路ベクトルLGVの方向に延在する第1~第3領域19b~19dを含む。絶縁膜31の開口31aは半導体領域19の第3領域19dのリッジ構造上に位置する。電極15では、パッド電極18の第1~第3電極部18b~18dは、半導体領域19の第1~第3領域19b~19d上にそれぞれ設けられている。第1電極部18bは、割断面27の縁に到達するアーム部18b_ARM1を有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)