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1. (WO2013031154) 半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/031154    国際出願番号:    PCT/JP2012/005301
国際公開日: 07.03.2013 国際出願日: 24.08.2012
IPC:
C30B 29/36 (2006.01), C30B 19/04 (2006.01)
出願人: KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION [JP/JP]; 1-155, Uegahara-Ichiban-cho, Nishinomiya-shi, Hyogo 6628501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
Toyo Tanso Co., Ltd. [JP/JP]; 7-12, Takeshima 5-chome, Nishiyodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5550011 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KANEKO, Tadaaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OHTANI, Noboru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
USHIO, Shoji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ADACHI, Ayumu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NOGAMI, Satoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KANEKO, Tadaaki; (JP).
OHTANI, Noboru; (JP).
USHIO, Shoji; (JP).
ADACHI, Ayumu; (JP).
NOGAMI, Satoru; (JP)
代理人: KATSURAGAWA, Naoki; c/o KATSURAGAWA INT'L PATENT OFFICE Kyoei Bldg., 2-8-11, Shibata, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300012 (JP)
優先権情報:
2011-185181 26.08.2011 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR WAFER MANUFACTURING METHOD, AND SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR, ET TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体ウエハの製造方法及び半導体ウエハ
要約: front page image
(EN)This semiconductor wafer manufacturing method includes a carbon layer forming step, a through hole forming step, a feed layer forming step, and an epitaxial layer forming step. In the carbon layer forming step, a carbon layer (71) is formed on the surface of a substrate (70) composed of a polycrystalline SiC. In the through hole forming step, a through hole (71c) is formed in the carbon layer (71) formed on the substrate (70). In the feed layer forming step, a Si layer (72) and a 3C-SiC polycrystalline layer (73) are formed on the surface of the carbon layer (71). In the epitaxial layer forming step, by heating the substrate (70), a seed crystal composed of a 4H-SiC single crystal is formed on the surface of the substrate (70) exposed through the through hole (71c), and a 4H-SiC single crystal layer is formed by growing the seed crystal by proximity liquid phase epitaxial growing.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication de tranche de semi-conducteur qui comprend une étape de formation d'une couche de carbone, une étape de formation d'un trou traversant, une étape de formation d'une couche d'alimentation et une étape de formation d'une couche épitaxiale. Au cours de l'étape de formation d'une couche de carbone, une couche de carbone (71) est formée sur la surface d'un substrat (70) composé d'un SiC polycristallin. Au cours de l'étape de formation d'un trou traversant, un trou traversant (71c) est formé dans la couche de carbone (71) formée sur le substrat (70). Au cours de l'étape de formation d'une couche d'alimentation, une couche de silicium (Si) (72) et une couche polycristalline de 3C-SiC (73) sont formées sur la surface de la couche de carbone (71). Au cours de l'étape de formation d'une couche épitaxiale, par chauffage du substrat (70), un germe cristallin composé d'un monocristal 4H-SiC est formé sur la surface du substrat (70) exposée à travers le trou traversant (71c), et une couche de monocristal 4H-SiC est formée par croissance du germe cristallin par une croissance épitaxiale en phase liquide rapprochée.
(JA) 半導体ウエハの製造方法は、カーボン層形成工程と、貫通孔形成工程と、フィード層形成工程と、エピタキシャル層形成工程と、を含む。カーボン層形成工程では、多結晶SiCで構成される基板(70)の表面にカーボン層(71)を形成する。貫通孔形成工程では、基板(70)に形成されたカーボン層(71)に貫通孔(71c)を形成する。フィード層形成工程では、カーボン層(71)の表面にSi層(72)及び3C-SiC多結晶層(73)を形成する。エピタキシャル層形成工程では、基板(70)を加熱することで、貫通孔(71c)を通じて露出した基板(70)の表面に4H-SiC単結晶で構成される種結晶を形成し、種結晶を近接液相エピタキシャル成長させて4H-SiC単結晶層を形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)