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1. (WO2013031091) シリコン単結晶の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/031091    国際出願番号:    PCT/JP2012/004903
国際公開日: 07.03.2013 国際出願日: 02.08.2012
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C30B 15/00 (2006.01)
出願人: Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KIMURA, Akihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKANO, Kiyotaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TOKUE, Junya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KIMURA, Akihiro; (JP).
TAKANO, Kiyotaka; (JP).
TOKUE, Junya; (JP)
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
優先権情報:
2011-190680 01.09.2011 JP
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING SINGLE-CRYSTAL SILICON
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SILICIUM MONOCRISTALLIN
(JA) シリコン単結晶の製造方法
要約: front page image
(EN)The present invention is a process for producing single-crystal silicon, which includes a raw-material melting step in which polycrystalline silicon held in a crucible is melted to give a silicon melt and a pulling step in which a seed crystal is brought into contact with the surface of the silicon melt and pulled upward to thereby grow single-crystal silicon. The process is characterized in that after the raw-material melting step and before the pulling step, the following steps are conducted: a cristobalite formation step in which the crucible is allowed to stand at a given crucible rotation speed, a given gas flow rate, and a given internal furnace pressure, while applying a magnetic field thereto, to thereby generate cristobalite on the crucible surface; and a dissolution step in which any one or more of an increase in crucible rotation speed, an increase in gas flow rate, and a reduction in internal furnace pressure from the respective values used in the cristobalite formation step are conducted to thereby dissolve some of the cristobalite. Thus, a dislocation is inhibited from generating in the single-crystal silicon being produced.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d'un silicium monocristallin, comprenant une étape de fusion de matière première au cours de laquelle du silicium polycristallin disposé dans un creuset est fondu pour produire une masse fondue de silicium, et une étape de traction au cours de laquelle un germe cristallin est amené en contact avec la surface de la masse fondue de silicium et tiré vers le haut pour faire ainsi croître un silicium monocristallin. Le procédé est caractérisé en ce que, après l'étape de fusion de la matière première et avant l'étape de traction, les étapes suivantes sont mises en œuvre : une étape de formation de cristobalite au cours de laquelle le creuset est amené à reposer à une vitesse de rotation de creuset donnée, à un débit de gaz donné et à une pression intérieure de four donnée, avec application d'un champ magnétique sur celui-ci, ce qui permet de produire une cristobalite sur la surface du creuset ; et une étape de dissolution au cours de laquelle une augmentation de la vitesse de rotation du creuset, et/ou une augmentation du débit de gaz et/ou une réduction de la pression intérieure du four à partir des valeurs respectives utilisées au cours de l'étape de formation de cristobalite sont mises en œuvre pour dissoudre ainsi une certaine partie de la cristobalite. Ceci permet d'empêcher une dislocation de se produire dans le silicium monocristallin en train d'être produit.
(JA) 本発明は、ルツボ内に収容された多結晶シリコンを溶融してシリコン融液とする原料溶融工程と、前記シリコン融液の融液面に種結晶を接触させ、上方に引き上げることによりシリコン単結晶を育成する引き上げ工程とを有するシリコン単結晶の製造方法であって、前記原料溶融工程後、前記引き上げ工程前に、磁場を印加しながら、所定のルツボの回転数、ガス流量、炉内圧で放置して前記ルツボ表面にクリストバライトを発生させるクリストバライト化工程、及び前記クリストバライト化工程よりルツボの回転数の高速化、ガス流量の増加、及び炉内圧の低下のいずれか一つ以上を行うことにより前記クリストバライトを一部溶解する溶解工程を行うことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法である。これにより、シリコン単結晶を製造する際に転位の発生を抑制するシリコン単結晶の製造方法を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)