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1. (WO2013031084) オゾンガス発生処理装置、酸化珪素膜形成方法、及びシリコン単結晶ウェーハの評価方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2013/031084    国際出願番号:    PCT/JP2012/004732
国際公開日: 07.03.2013 国際出願日: 25.07.2012
IPC:
H01L 21/66 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
出願人: Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KUME, Fumitaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KUME, Fumitaka; (JP)
代理人: YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F, 6-11, Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
優先権情報:
2011-184992 26.08.2011 JP
発明の名称: (EN) OZONE GAS GENERATION TREATMENT DEVICE, SILICON OXIDE FILM FORMATION METHOD, AND SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER EVALUATION METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE PRODUCTION D'OZONE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM D'OXYDE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ D'ÉVALUATION DE TRANCHE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM
(JA) オゾンガス発生処理装置、酸化珪素膜形成方法、及びシリコン単結晶ウェーハの評価方法
要約: front page image
(EN)The present invention is an ozone gas generation treatment device which comprises an ultraviolet light source and a wafer mounting part, generates ozone gas by applying ultraviolet light from the light source in an oxygen-containing atmosphere, and treats a wafer on the wafer mounting part with the ozone gas, the ozone gas generation treatment device being characterized by comprising a light-blocking plate for passing the generated ozone gas therethrough and blocking the ultraviolet light between the light source and the wafer mounted on the wafer mounting part. Consequently, the ozone gas generation treatment device and a silicon oxide film formation method, by which the thickness of the oxide film formed on the surface of the wafer when the surface of the wafer is treated with the ozone gas can be thinly adjusted and the wafer surface is not damaged by the ultraviolet light, and a silicon single crystal wafer evaluation method by which more stable C-V characteristic measured values than in the prior art can be obtained are provided.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de traitement de production d'ozone qui comprend une source de lumière ultraviolette et une partie de montage de tranche, qui produit de l'ozone en appliquant une lumière ultraviolette provenant de la source de lumière sous une atmosphère contenant de l'oxygène, et qui traite à l'ozone une tranche sur la partie de montage de tranche. Le dispositif de traitement de production d'ozone est caractérisé en ce qu'il comprend une plaque de blocage de la lumière conçue pour laisser passer l'ozone produit et pour bloquer la lumière ultraviolette entre la source de lumière et la tranche montée sur la partie de montage de tranche. La présente invention concerne donc le dispositif de traitement de production d'ozone, un procédé de formation de film d'oxyde de silicium selon lequel l'épaisseur du film d'oxyde formé sur la surface de la tranche quand la surface de la tranche est traitée à l'ozone peut être ajustée de façon fine et la surface de la tranche n'est pas dégradée par la lumière ultraviolette, et un procédé d'évaluation de tranche de monocristal de silicium permettant d'obtenir des valeurs mesurées des caractéristiques C-V plus stables que dans l'art antérieur.
(JA) 本発明は、紫外線の光源とウェーハ載置部とを有し、酸素含有雰囲気で前記光源より紫外線を照射してオゾンガスを発生させ、前記ウェーハ載置部上のウェーハをオゾンガスで処理するオゾンガス発生処理装置であって、該オゾンガス発生処理装置は、前記光源と前記ウェーハ載置部上に載置されたウェーハとの間に、前記発生したオゾンガスを通過させかつ前記紫外線を遮光する遮光板を有することを特徴とするオゾンガス発生処理装置である。これにより、オゾンガスでウェーハ表面を処理する際にウェーハの表面に形成される酸化膜厚を薄く調整でき、また、紫外線によりウェーハ表面がダメージを受けないようなオゾンガス発生処理装置、酸化膜珪素膜形成方法、及び、従来よりも安定したC-V特性の測定値を得ることができるシリコン単結晶ウェーハの評価方法が提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)