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World Intellectual Property Organization
1. (WO2013030954) スパッタリング薄膜形成装置

国際公開番号: WO/2013/030954 国際出願番号: PCT/JP2011/069622
国際公開日: 07.03.2013 国際出願日: 30.08.2011
C23C 14/34 (2006.01) ,C23C 14/35 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
出願人: SETSUHARA, Yuichi[JP/JP]; JP (UsOnly)
EBE, Akinori[JP/JP]; JP (UsOnly)
EMD Corporation[JP/JP]; 2426-1, Mikami, Yasu-shi, Shiga 5202323, JP (AllExceptUS)
発明者: SETSUHARA, Yuichi; JP
EBE, Akinori; JP
代理人: Kyoto International Patent Law Office; Hougen-Sizyokarasuma Building, 37, Motoakuozi-tyo, Higasinotouin Sizyo-sagaru, Simogyo-ku, Kyoto-si, Kyoto 6008091, JP
(JA) スパッタリング薄膜形成装置
要約: front page image
(EN) Provided is a sputtering thin film forming apparatus, which has high film-forming speed, and can form a thin film having high qualities. A sputtering apparatus (10) is provided with: a target holder (14) that is provided in a vacuum container (11); a substrate holder (15) that is provided to face the target holder (14); a means (19) that introduces a plasma generating gas into the vacuum container (11); a means (161) that generates an electrical field for sputtering, said electrical field being in a region that includes a surface of a target (T); a high-frequency antenna disposing chamber (182), which is provided between an inner surface and outer surface of a wall of the vacuum container (11), and is partitioned from the inside of the vacuum container by means of a dielectric material window (183); and a high-frequency antenna (13), which is disposed inside of the high-frequency antenna disposing chamber (182), and generates a high-frequency induction field in the region that includes the surface of the target held by means of the target holding means.
(FR) L’invention concerne un appareil de formation de film mince par pulvérisation, qui présente une vitesse de formation de film élevée, et peut former un film mince présentant des qualités élevées. Un appareil de pulvérisation (10) présente : un porte-cible (14) qui comporte un contenant sous vide (11) ; un porte-substrat (15) qui est conçu pour faire face au porte-cible (14) ; un moyen (19) qui introduit un gaz de génération de plasma dans le contenant sous vide (11) ; un moyen (161) qui génère un champ électrique pour la pulvérisation, ledit champ électrique étant situé dans une région qui comprend une surface d’une cible (T) ; une chambre de disposition d’antenne haute fréquence (182), qui est conçue entre une surface intérieure et une surface extérieure d'une paroi du contenant sous vide (11), et est séparée de l'intérieur du contenant sous vide par une fenêtre en matériau diélectrique (183) ; et une antenne haute fréquence (13), qui est disposée à l'intérieur de la chambre de disposition d'antenne haute fréquence (182), et génère un champ d'induction haute fréquence dans la région qui comprend la surface de la cible portée à l'aide du moyen de support de cible.
(JA)  製膜速度が高く、品質が高い薄膜を形成することができるスパッタリング薄膜形成装置を提供する。スパッタ装置10は、真空容器11内に設けられたターゲットホルダ14と、ターゲットホルダ14に対向して設けられた基板ホルダ15と、真空容器11内にプラズマ生成ガスを導入する手段19と、ターゲットTの表面を含む領域にスパッタ用の電界を生成する手段161と、真空容器11の壁の内面と外面の間に設けられ、誘電体窓183により真空容器の内部と仕切られた高周波アンテナ配置室182と、高周波アンテナ配置室182内に配置され、ターゲット保持手段に保持されたターゲットの表面を含む領域に高周波誘導電界を生成する高周波アンテナ13とを備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)