処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2013015280 - プラズマ装置およびそれを用いたカーボン薄膜の製造方法

公開番号 WO/2013/015280
公開日 31.01.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/068707
国際出願日 24.07.2012
IPC
C23C 14/24 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
24真空蒸着
C01B 31/02 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
31炭素;その化合物
02炭素の製造;精製
C23C 14/00 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
C23C 14/06 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06被覆材料に特徴のあるもの
C23C 16/26 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
26炭素のみの析出
C23C 16/455 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
455ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
CPC
C23C 14/0605
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
0605Carbon
C23C 14/325
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
24Vacuum evaporation
32by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours ; , e.g. ion-plating
325Electric arc evaporation
H01J 37/32055
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32055Arc discharge
H01J 37/32541
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32532Electrodes
32541Shape
H01J 37/3255
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32532Electrodes
3255Material
出願人
  • 日新電機株式会社 NISSIN ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 三上 隆司 MIKAMI Takashi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 孫 ▲王奇▼ SUN Qi [CN]/[JP] (UsOnly)
  • ▲高▼橋 正人 TAKAHASHI Masato [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 大丸 智弘 DAIMARU Tomohiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 林 司 HAYASHI Tsukasa [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 三上 隆司 MIKAMI Takashi
  • 孫 ▲王奇▼ SUN Qi
  • ▲高▼橋 正人 TAKAHASHI Masato
  • 大丸 智弘 DAIMARU Tomohiro
  • 林 司 HAYASHI Tsukasa
代理人
  • 上羽 秀敏 UEBA Hidetoshi
優先権情報
2011-16356626.07.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING CARBON THIN FILM USING SAME
(FR) DISPOSITIF À PLASMA ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COUCHE MINCE DE CARBONE AU MOYEN DUDIT DISPOSITIF
(JA) プラズマ装置およびそれを用いたカーボン薄膜の製造方法
要約
(EN)
This plasma device (10) is provided with a vacuum vessel (1), an arc vaporization source (3), a negative electrode member (4), a shutter (5), and a power source (7). The arc vaporization source (3) is affixed to the side wall of the vacuum vessel (1) facing a substrate (20). The negative electrode member (4) comprises lamellar carbon and is attached to the arc vaporization source (3). The power source (7) applies a negative voltage to the arc vaporization source (3). When arc discharge is started in the vicinity of the arc vaporization source (3), an arc spot moves across the surface of the negative electrode member (4). Afterwards, once the arc spot ceases to move, the shutter (5) is opened, and a carbon thin film is formed on the substrate (20).
(FR)
La présente invention concerne un dispositif à plasma (10) pourvu d'un réservoir sous vide (1), d'une source de vaporisation à arc (3), d'un élément d'électrode négative (4), d'un obturateur (5) et d'une source de courant (7). La source de vaporisation à arc (3) est fixée à la paroi latérale du réservoir sous vide (1) tournée vers un substrat (20). L'élément d'électrode négative (4) comprend du carbone lamellaire et est fixé à la source de vaporisation à arc (3). La source de courant (7) applique une tension négative sur la source de vaporisation à arc (3). Lorsqu'une décharge en arc est démarrée au voisinage de la source vaporisation à arc (3), un point d'arc se déplace sur toute l'étendue de la surface de l'élément d'électrode négative (4). Après cela, une fois que le point d'arc cesse de se déplacer, l'obturateur (5) est ouvert et une couche mince de carbone est formée sur le substrat (20).
(JA)
 プラズマ装置(10)は、真空容器(1)と、アーク式蒸発源(3)と、陰極部材(4)と、シャッター(5)と、電源(7)とを備える。アーク式蒸発源(3)は、真空容器(1)の側壁に基板(20)に対向して固定される。陰極部材(4)は、層状構造のカーボンからなり、アーク式蒸発源(3)に取り付けられる。電源(7)は、アーク式蒸発源(3)に負の電圧を印加する。アーク式蒸発源(3)の近傍でアーク放電が開始されると、アークスポットが陰極部材(4)の表面を移動する。その後、アークスポットが移動しなくなると、シャッター(5)を開け、カーボン薄膜を基板(20)上に形成する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報