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1. WO2013015062 - 放射線撮影装置

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明 細 書

発明の名称 放射線撮影装置

技術分野

0001  

背景技術

0002   0003   0004   0005  

先行技術文献

特許文献

0006  

発明の概要

発明が解決しようとする課題

0007   0008  

課題を解決するための手段

0009   0010   0011   0012   0013   0014   0015   0016   0017   0018   0019  

発明の効果

0020  

図面の簡単な説明

0021  

発明を実施するための形態

0022   0023   0024   0025   0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033   0034   0035   0036   0037   0038   0039   0040   0041   0042   0043   0044   0045   0046   0047   0048   0049   0050   0051   0052   0053   0054   0055   0056   0057   0058   0059   0060   0061   0062   0063   0064   0065   0066   0067   0068   0069   0070   0071   0072   0073   0074   0075   0076   0077   0078   0079   0080   0081   0082   0083   0084   0085   0086   0087   0088   0089   0090   0091   0092   0093   0094   0095   0096   0097   0098   0099   0100   0101   0102   0103   0104   0105   0106   0107   0108   0109   0110   0111   0112   0113   0114   0115   0116   0117   0118  

符号の説明

0119  

請求の範囲

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13  

図面

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13  

明 細 書

発明の名称 : 放射線撮影装置

技術分野

[0001]
 本発明は、動画撮影と静止画撮影とが可能な放射線撮影装置に関する。

背景技術

[0002]
 医療分野において、画像診断を行うために、放射線(例えば、X線)を用いて被写体(患者の撮影部位)を撮影する放射線撮影装置が知られている。放射線撮影装置は、放射線(例えば、X線)を被写体に向けて放射する放射線発生器と、放射線発生器に対向配置され、被写体を透過した放射線を検出して画像化する放射線検出器とを備える。
[0003]
 この放射線撮影装置には、動画撮影(透視撮影ともいう)と静止画撮影(単に撮影ともいう)の両方が可能なものがある。動画撮影を行う場合と静止画撮影を行う場合とでは、放射線発生器から放射される放射線の線量が異なる。動画撮影は、低線量で行われ、静止画撮影のための患者の位置決めや、病変部の探索等を行うために使用される。静止画撮影は、高線量で行われ、病変部の鮮明な放射線画像を得るために使用される。一般に、静止画撮影時の線量は、動画撮影時の線量の100倍程度である。
[0004]
 このように動画撮影と静止画撮影が可能な放射線撮影装置では、動画撮影と静止画撮影とのいずれを行うかに応じて放射線検出器の駆動モードを切り替える必要がある。この駆動モードの切り替えを容易に行うために、特許文献1では、放射線発生器から射出される放射線の線量を放射線検出器側で監視し、低線量から高線量に移行するタイミングに合わせて、放射線検出器を動画撮影モードから静止画撮影モードに切り替えることが提案されている。これにより、放射線発生器と放射線検出器との間で同期信号の授受を行わずに放射線検出器の駆動モードを切り替えることができる。
[0005]
 しかし、特許文献1に記載の放射線撮影装置は、単一の放射線検出器を用いて動画撮影と静止画撮影を行っているため、動画撮影の場合と静止画撮影の場合との間で画質や視野サイズ等を変更することができない。そこで、特許文献2,3では、静止画撮影を行う第1の放射線検出器と、第1の放射線検出器より小視野であって、動画撮影を行う第2の放射線検出器とを設け、静止画撮影を行う場合には、第2の放射線検出器を放射線発生器からの放射線照射領域から退避させたうえで、第1の放射線検出器により静止画撮影を行う放射線撮影装置が提案されている。

先行技術文献

特許文献

[0006]
特許文献1 : 特開2003-307569号公報
特許文献2 : 特開2011-004966号公報
特許文献3 : 特開2002-102213号公報

発明の概要

発明が解決しようとする課題

[0007]
 しかしながら、特許文献2,3に記載の放射線撮影装置では、第2の放射線検出器で動画撮影を行っている間に第1の放射線検出器で静止画撮影を行う場合には、第2の放射線検出器を放射線照射領域から退避させる機械的な動作が必要であるため、動画撮影中に迅速に静止画撮影を行うことができず、撮影好機を逃してしまう恐れがある。
[0008]
 本発明は、動画撮影を行なっている間に、迅速に静止画撮影を行うことを可能とする放射線撮影装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0009]
 上記課題を解決するために、本発明の放射線撮影装置は、第1の放射線検出器と、第2の放射線検出器と、移動機構と、制御部とを備える。第1の放射線検出器は、放射線発生器から射出された放射線を検出して画像データを生成する。第2の放射線検出器は、第1の放射線検出器より放射線を検出する放射線検出領域が小さく、第1の放射線検出器を透過した放射線を検出して画像データを生成する。移動機構は、第2の放射線検出器を移動させる。制御部は、第1の放射線検出器に静止画撮影及び動画撮影のうち一方を実行させ、第2の放射線検出器に静止画撮影及び動画撮影のうち他方を実行させる。
[0010]
 制御部は、第1の放射線検出器に静止画撮影を実行させ、第2の放射線検出器に動画撮影を実行させることが好ましい。この場合、制御部は、第2の放射線検出器を第1の放射線検出器より高いフレームレートで駆動する。
[0011]
 移動機構は、第2の放射線検出器を、第1の放射線検出器の放射線検出領域に対応する領域内で移動させることが好ましい。
[0012]
 放射線発生器から射出された放射線パルスの線量を測定する放射線量測定部と、放射線量測定部により測定された線量を所定の閾値と比較する線量判定部とをさらに備えることが好ましい。制御部は、線量判定部により所定の閾値より小さい低線量パルスが検出された場合には、第2の放射線検出器に動画撮影を実行させ、線量判定部により閾値より大きい高線量パルスが検出された場合には、第1の放射線検出器に静止画撮影を実行させる。
[0013]
 移動機構は、放射線発生器の位置に基づいて第2の放射線検出器を移動させることが好ましい。また、移動機構は、第1の放射線検出器により検出される放射線照射範囲に基づいて第2の放射線検出器を移動させてもよい。
[0014]
 第1の放射線検出器と第2の放射線検出器とを互いに当接した状態と離間した状態との間で変位させる変位機構をさらに備えることが好ましい。この変位機構は、第2の放射線検出器の移動時に第1の放射線検出器と第2の放射線検出器とを離間させる。
[0015]
 第1の放射線検出器は、放射線を吸収して可視光を発生する発光部と、発光部の放射線入射側に配置されると共に、発光部により発生された可視光を検出して画像データを生成する第1の光検出部とにより構成され、第2の放射線検出器は、発光部と、発光部の放射線入射側とは反対側に配置されると共に、発光部により発生された可視光を検出して画像データを生成する第2の光検出部とにより構成され、移動機構は、第2の光検出部を移動させることが好ましい。
[0016]
 この場合、発光部は、柱状結晶蛍光体を有し、柱状結晶蛍光体の先端部が第1の光検出部に対向していることが好ましい。
[0017]
 第1の放射線検出器は、放射線を吸収して可視光を発生する第1の発光部と、第1の発光部の放射線入射側に配置されると共に、第1の発光部により発生された可視光を検出して画像データを生成する第1の光検出部とにより構成され、第2の放射線検出器は、第1の発光部及び第1の光検出部を透過した放射線を吸収して可視光を発生する第2の発光部と、第2の発光部の放射線入射側とは反対側に配置されると共に、第2の発光部により発生された可視光を検出して画像データを生成する第2の光検出部とにより構成されていてもよい。
[0018]
 この場合、第1の発光部と第2の発光部との一方が柱状結晶蛍光体を有し、他方がGOS蛍光体を有することが好ましい。
[0019]
 第2の光検出部は、CMOS型イメージセンサまたはCCD型イメージセンサであることが好ましい。

発明の効果

[0020]
 本発明の放射線撮影装置によれば、第2の放射線検出器が、第1の放射線検出器を透過した放射線を検出するため、第1及び第2の放射線検出器の一方で動画撮影を行なっている間に、他方で迅速に静止画撮影を行うことができる。また、第1の放射線検出器を静止画撮影用、第2の放射線検出器を動画撮影用とした場合には、第2の放射線検出器は放射線検出領域が小さいため、発熱量が小さく、温度上昇が抑制される。

図面の簡単な説明

[0021]
[図1] 放射線情報システムのブロック図である。
[図2] 放射線撮影システムの各装置の配置状態を示す側面図である。
[図3] 電子カセッテの一部破断斜視図である。
[図4] 第2の光検出器の移動機構を説明する平面図である。
[図5] 電子カセッテの構成を模式的に示す断面図である。
[図6] シンチレータの構成を示す断面図である。
[図7] 第1の放射線検出器、第2の放射線検出器、放射線量測定部の構成を説明する説明図である。
[図8] 電子カセッテの電気的構成を示すブロック図である。
[図9] 放射線発生器及びコンソールのブロック図である。
[図10] 放射線撮影システムの動作タイミングを説明する説明図である。
[図11] 1及び第2第放射線検出器の配置についての第1の変形例を説明する説明図である。
[図12] 1及び第2第放射線検出器の配置についての第2の変形例を説明する説明図である。
[図13] 変位機構を説明する説明図である。

発明を実施するための形態

[0022]
 図1において、放射線情報システム(RIS:Radiology Information System)10は、病院内の放射線科部門における診療予約や診断記録等の情報管理を行うためのシステムである。RIS10は、複数の端末装置11、RISサーバ12、病院内の各放射線撮影室(或いは手術室)に設置された放射線撮影システム13が、有線又は無線で病院内ネットワークNWに接続されることにより構成されている。
[0023]
 端末装置11としては、パーソナル・コンピュータ(PC)等が用いられ、撮影者(医師や放射線技師)によって操作される。撮影者は、端末装置11を操作して診断情報や施設予約の入力・閲覧を行う。放射線画像の撮影依頼(撮影予約)も端末装置11を介して入力される。
[0024]
 RISサーバ12は、RISデータベース(DB)を記憶する記憶部12Aを備えたコンピュータである。記憶部12Aには、患者の属性情報(患者の氏名、性別、生年月日、年齢、血液型、患者ID等)や、病歴、受診歴、放射線撮影の履歴、過去に撮影した放射線画像のデータ等の患者に関する他の情報、各放射線撮影システム13が有する電子カセッテ15に関する情報(識別番号、型式、サイズ、感度、使用可能な撮影部位、使用開始年月日、使用回数等)が登録されている。RISサーバ12は、記憶部12Aに登録されている情報に基づいて、RIS10全体を管理する処理(例えば、各端末装置11からの撮影依頼を受け付け、各放射線撮影システム13の撮影スケジュールを管理する処理)を行う。
[0025]
 放射線撮影システム13は、RISサーバ12から指示された放射線画像の撮影を、医師や放射線技師の操作に従って行う。放射線撮影システム13は、放射線を発生する放射線発生器14と、患者の撮影部位を透過した放射線を検出し放射線画像を生成する電子カセッテ15と、電子カセッテ15を充電するためのクレードル16と、これらの各機器の動作を制御するコンソール17とを備えている。電子カセッテ15は、可搬型の放射線撮影装置である。
[0026]
 図2において、放射線撮影室には、放射線発生器14と、立位の患者20Aの撮影部位を放射線撮影(以下、立位撮影という)する際に用いられる立位台20と、臥位の患者21Aの撮影部位を放射線撮影(以下、臥位撮影という)する際に用いられる臥位台21とが設置されている。立位台20には、電子カセッテ15が装着されるカセッテ室22が設けられている。立位撮影を行う際には、電子カセッテ15を立位台20のカセッテ室22に保持させる。臥位撮影を行う際には、臥位台21のカセッテ室23に電子カセッテ15を収納する。
[0027]
 また、放射線撮影室には、1つの放射線発生器14で立位撮影と臥位撮影とを可能とするために、伸縮自在な支柱25を介して放射線発生器14を支持しながら、天井26に沿って二次元的に移動する移動機構24が設けられている。支柱25は、放射線発生器14を、水平な軸回り(矢印A方向)、及び鉛直な軸回り(矢印B方向)の回転を可能に支持している。
[0028]
 クレードル16には、電子カセッテ15を収納可能な収容部16Aが形成されている。電子カセッテ15は、非使用時には収容部16Aに収納され、この状態で内蔵バッテリの充電が行われる。放射線画像の撮影時には、電子カセッテ15は、撮影者によってクレードル16から取り出され、立位撮影の場合には立位台20の保持部22に保持され、臥位撮影の場合には臥位台21のカセッテ室23に収容される。
[0029]
 図3において、電子カセッテ15は、筐体30、放射線量測定センサ31、第1の光検出部32、発光部33、第2の光検出部34、及び収納ケース35を備えている。放射線量測定センサ31、第1の光検出部32、発光部33、及び第2の光検出部34は、放射線の入射方向に沿ってこの順に筐体30内に積層されている。放射線量測定センサ31、第1の光検出部32、及び発光部33は、面積が同じパネル状をしている。第2の光検出部34は、第1の光検出部32より面積が小さく、光検出領域(視野範囲)が小さい。
[0030]
 筐体30は、放射線透過性材料により形成され、全体形状が直方体状である。筐体30は、カーボン等の放射線低吸収材で形成された天板30Aを有する。天板30Aには、患者の撮影部位を透過した放射線が照射される。筐体30のうち、天板30A以外の部分は、ABS樹脂等で形成されている。
[0031]
 天板30Aには、複数個の発光ダイオード(LED)で構成され、電子カセッテ15の動作モード(例えば「レディ状態」や「データ送信中」等)やバッテリの残容量等の動作状態を表示するための表示部37が設けられている。なお、表示部37は、LED以外の発光素子で構成された表示装置や、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイであってもよい。また、表示部37を、天板30A以外の部分に設けてもよい。
[0032]
 収納ケース35は、天板30Aの長手方向の一端側に沿って設けられている。収納ケース35には、マイクロコンピュータ(図示せず)や、バッテリ(図示せず)を収納している。バッテリは、充電可能で、かつ着脱可能である。放射線量測定センサ31、第1の光検出部32、第2の光検出部34を含む電子カセッテ15の各種電子回路は、バッテリから供給される電力によって動作する。これらの各種電子回路が放射線によって損傷することを防止するため、収納ケース36の天板30A側には鉛板等の放射線遮蔽部材(図示せず)が設けられている。
[0033]
 図4において、第2の光検出部34は、発光部33の放射線の入射側とは反対側に配置されている。第2の光検出部34は、第1の案内レール37Aにより、発光部33の長手方向(X方向)に移動自在に保持されている。第2の光検出部34には、第1の電動機38Aが接続されている。この第1の電動機38Aにより、第2の光検出部34がX方向に駆動される。
[0034]
 第1の案内レール37Aは、発光部33の短辺に沿って設けられた第2の案内レール37Bにより、発光部33の短手方向(Y方向)に移動自在に保持されている。第1の案内レール37Aには、第2の電動機38Bが接続されている。この第2の電動機38Bにより、第1の案内レール37AがY方向に駆動される。このように、第2の光検出部34は、第1の光検出部32の放射線検出領域に対応する領域内でXY方向に移動自在となっている。
[0035]
 図5において、第1の光検出部32は、光電変換部321、薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)322、及びキャパシタ323を有する画素324を、絶縁性基板325に複数形成することにより構成されている。画素324は、2次元マトリクス状に配列されている。
[0036]
 絶縁性基板325と、TFT322及びキャパシタ323が形成された層とは、いわゆるTFTアクティブマトリクス基板(以下、TFT基板という)32Aを構成している。TFT322は、アモルファスシリコンにより形成されている。絶縁性基板325は、石英基板、ガラス基板、樹脂基板等の光透過性を有し、かつ放射線の吸収が少ない材料で形成されている。
[0037]
 光電変換部321は、第1の電極321A及び第2の電極321Bと、これらの間に、配置された光電変換膜321Cとを有する。光電変換膜321Cは、アモルファスシリコンにより形成されており、後述する発光部33から放出された可視光を吸収して電荷を発生する。光電変換部321は、PIN型またはMIS型のフォトダイオードを構成しており、TFT基板32A上に設けられている。TFT基板32A上には、光電変換部321を覆う平坦化層326が設けられている。平坦化層326は、窒化シリコンや酸化シリコン等で形成されており、放射線の入射側と反対側の面が平坦化されている。
[0038]
 第2の光検出部34は、第1の光検出部32と同様な構成であり、光電変換部341、TFT342、及びキャパシタ343を備えた画素344が、絶縁性基板345に2次元マトリクス状に複数形成されている。
[0039]
 光電変換部341は、第1の電極341A及び第2の電極341Bと、これらの間に配置された光電変換膜341Cとにより構成されている。また、光電変換部341を覆う平坦化層346が設けられており、平坦化層346は、放射線の入射側の面が平坦化されている。絶縁性基板345と、TFT342及びキャパシタ343が形成された層とが、TFT基板34Aを構成している。
[0040]
 第2の光検出部34は、放射線の入射方向に対する各部の構成順序が、第1の光検出部32の各部の構成順序とは逆である。すなわち、第1の光検出部32の平坦化層326と、第2の光検出部34の平坦化層346とが対向しており、これらの間に発光部33が配置されている。発光部33は、放射線の入射に応じて可視光を発生して放出する。第1の光検出部32の平坦化層326と発光部33とは、透光性を有する接着層327によって接着されている。
[0041]
 第2の光検出部34の平坦化層346と発光部33との間には、前述の移動機構(第1及び第2の案内レール37A,37B、第1及び第2の電動機38A,38B)により第2の光検出部34を円滑に移動させるために、隙間APが設けられている。この隙間APは、発光部33から第2の光検出部34への光の入射を阻害しないように、可能な限り狭いことが好ましい。
[0042]
 第1の光検出部32の放射線入射側には、放射線量測定センサ31が形成されている。放射線量測定センサ31は、絶縁性基板325上に、配線層311、絶縁層312、光電変換部313、保護層314が順に形成されている。配線層311は、絶縁性基板315上に後述する配線73(図8参照)がパターニングされた層である。光電変換部313は、発光部33から放出され第1の光検出部32を透過した可視光を検出する素子であり、絶縁層312上にマトリクス状に複数形成されている。放射線量測定センサ31の厚みは、0.05mm程度である。
[0043]
 光電変換部313は、第1の電極313A及び第2の電極313Bと、これらの間に配置された光電変換膜313Cとを備える。光電変換膜313Cは、有機光電変換材料で形成されている。光電変換膜313Cは、インクジェットヘッド等を用いて有機光電変換材料を第2の電極313B上に塗布することにより形成される。
[0044]
 図6において、発光部33は、蒸着基板331、シンチレータ332、及び防湿保護膜333により構成されている。蒸着基板331は、石英基板、ガラス基板、樹脂基板等の光透過性を有する基板である。シンチレータ332は、蒸着基板331上にタリウム活性化ヨウ化セシウム(CsI:Tl)を蒸着することにより形成される。シンチレータ332は、非柱状結晶332Aと、この非柱状結晶332A上に立設した複数の柱状結晶332Bとにより形成されている。防湿保護膜333は、透光性を有する防湿性材料(例えば、ポリパラキシリレン)により形成されており、シンチレータ332の周囲を覆っている。なお、CsI:Tlに代えて、ナトリウム活性化ヨウ化セシウム(CsI:Na)等の蛍光体材料を用いてもよい。
[0045]
 シンチレータ332は、柱状結晶332Bの先端部332Cが第1の光検出部32に対向して配置されている。複数の柱状結晶332Bは、互いに空隙GPを介して離間されている。各柱状結晶332Bの径は、数μm~10μm程度である。
[0046]
 シンチレータ332は、放射線発生器14から射出され、患者、天板30A、放射線量測定センサ31、第1の光検出部32等を透過して発光部33に入射した放射線を吸収して可視光を生成する。放射線は、第1の光検出部32の側からシンチレータ332に入射するため、シンチレータ332内での発光は、主に先端部332C側で生じる。シンチレータ332で発生した可視光は、柱状結晶332Bのライトガイド効果によって、第1の光検出部32及び第2の光検出部34の方向に進行する。
[0047]
 第1の光検出部32の方向に進行した光は、尖った先端部332Cから射出され、防湿保護膜333を透過して第1の光検出部32に入射し、第1の光検出部32の光電変換部321により検出される。また、第1の光検出部32に入射した可視光の一部は、第1の光検出部32を透過して放射線量測定センサ31に入射する。放射線量測定センサ31に入射した可視光は、光電変換部313により検出される。
[0048]
 一方、第2の光検出部34の方向に進行した可視光は、非柱状結晶332Aに入射し、非柱状結晶332Aによって一部が反射されるが、大半は蒸着基板331を透過する。蒸着基板331を透過した可視光の一部は、第2の光検出部34に入射し、光電変換部341により検出される。
[0049]
 図7に示すように、発光部33と第1の光検出部32とにより、第1の放射線検出器40が構成されている。第1の放射線検出器40は、放射線の進行方向に沿って、第1の光検出部32、発光部33の順に配置されている。このような配置方式は、ISS(Irradiation Side Sampling)型と呼ばれる。また、発光部33と第2の光検出部34とにより、第2の放射線検出器41が構成されている。第2の放射線検出器41は、放射線の進行方向に沿って、発光部33、第2の光検出部34の順に配置される。このような配置方式は、PSS(Penetration Side Sampling)型と呼ばれる。第1の放射線検出器40の放射線検出領域は、第1の光検出部32の光検出領域で規定され、第2の放射線検出器41の放射線検出領域は、第2の光検出部34の光検出領域で規定される。
[0050]
 さらに、発光部33と放射線量測定センサ31とにより、ISS型の放射線量測定部42が構成されている。前述のように、発光部33のシンチレータ332内での発光は、第1の光検出部32の近傍で生じるため、第1の放射線検出器40では、光量が大きく高精細な画像が得られる。他方、第2の放射線検出器41は、発光位置から離れているので、入射光量が小さい。
[0051]
 入射光量が大きい第1の放射線検出器40は、静止画撮影に用いられる。入射光量が小さい第2の放射線検出器41は、動画撮影に用いられる。第2の放射線検出器41は、画素344の数(有効画素数)が第1の放射線検出器40の画素324の数より少ない。このため、第2の放射線検出器41は、第1の放射線検出器40より高いフレームレートで駆動される。
[0052]
 図8において、第1の光検出部32には、行方向に沿って延在され、各TFT322をオン/オフさせるための複数本のゲート配線50と、行方向と交差する列方向に沿って延在され、キャパシタ323に蓄積された電荷をオン状態のTFT322を介して読み出すための複数本のデータ配線51が設けられている。第1の放射線検出器40には、この第1の光検出部32の他、ゲート線ドライバ52、信号処理部53、及び画像メモリ54が設けられている。
[0053]
 ゲート配線50は、ゲート線ドライバ52に接続されている。データ配線51は、信号処理部53に接続されている。患者の撮影部位を透過した放射線(撮影部位の画像情報を担持した放射線)が電子カセッテ15に照射されると、発光部33からは、放射線の照射量に応じた光量の可視光が放出される。各画素324の光電変換部321では、可視光の入射光量に応じた大きさの電荷が発生する。この電荷がキャパシタ323に蓄積される。
[0054]
 キャパシタ323に電荷が蓄積されると、TFT322は、ゲート線ドライバ52からゲート配線50を介して供給される信号により行単位で順にオンされる。TFT322がオンされた画素324のキャパシタ323に蓄積されている電荷は、アナログの電気信号としてデータ配線51を伝送されて信号処理部53に入力される。このように、各画素324のキャパシタ323に蓄積された電荷は行単位で順に読み出される。
[0055]
 信号処理部53は、周知のように、データ配線51毎に、増幅器(図示せず)及びサンプルホールド回路(図示せず)を備えている。各データ配線51を伝送された電気信号は、増幅器で増幅された後、サンプルホールド回路に保持される。サンプルホールド回路の出力側には、マルチプレクサ(図示せず)、A/D変換器(図示せず)が順に接続されている。各サンプルホールド回路に保持された電気信号は、マルチプレクサにより選択され、A/D変換器によってデジタルの画像データに変換される。信号処理部53には、画像メモリ54が接続されており、信号処理部53のA/D変換器から出力された画像データは、画像メモリ54に記憶される。
[0056]
 第2の光検出部34には、同様に、複数本のゲート配線60と、複数本のデータ配線61が設けられている。第2の放射線検出器41には、この第2の光検出部34の他、ゲート線ドライバ62、信号処理部63、及び画像メモリ64が設けられている。ゲート配線60はゲート線ドライバ62に接続されており、データ配線61は信号処理部63に接続されている。そして、信号処理部63には、画像メモリ64が接続されている。
[0057]
 第2の光検出部34は、画素344の数が少ないため、ゲート配線60及びデータ配線61の本数が、第1の光検出部32のゲート配線50及びデータ配線51の本数より少ない。また、第2の放射線検出器41は動画撮影用であるため、信号処理部63の増幅器のゲインは、第1の放射線検出器40における信号処理部53の増幅器のゲインより大きな値に設定されている。これ以外の第2の放射線検出器41の構成は、第1の放射線検出器40の構成と同一であるため、詳しい説明は省略する。
[0058]
 画像メモリ54,64は、電子カセッテ15の全体の動作を制御するカセッテ制御部70と接続されている。カセッテ制御部70は、マイクロコンピュータであり、CPU70Aと、RAM70Bと、フラッシュメモリ等の不揮発性のROM70Cとを有する。
[0059]
 カセッテ制御部70には、外部機器との間で各種情報の送受信を無線により行う無線通信部71が接続されている。無線通信部71は、IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers)802.11a/b/g/nに代表される無線LAN(Local Area Network)規格に対応している。カセッテ制御部70は、無線通信部71を介してコンソール17と無線通信を行う。
[0060]
 詳しくは後述するが、カセッテ制御部70は、前述のXY方向への放射線発生器14の移動に応じて第1及び第2の電動機38A,38Bをそれぞれ制御して、第2の光検出部34を移動させる。
[0061]
 放射線量測定部42は、放射線発生器14から電子カセッテ15に照射される放射線の線量(単位時間当たりの放射線量)を測定するために用いられる。放射線発生器14は、放射線として、動画撮影用の低線量パルスと、静止画撮影用の高線量パルスとを、撮影者の操作に従って射出する。
[0062]
 放射線量測定部42の放射線量測定センサ31には、光電変換部313と同数の配線73が設けられている。放射線量測定部42には、この放射線量測定センサ31の他、信号検出部74が設けられている。各光電変換部313は、専用の配線73を介して信号検出部74に接続されている。信号検出部74は、配線73毎に、増幅器、サンプルホールド回路、及びA/D変換器(いずれも図示せず)を備えており、カセッテ制御部70及び線量判定部75と接続されている。
[0063]
 信号検出部74は、カセッテ制御部70からの制御により、光電変換部313から配線73を介して伝送される信号のサンプリングを所定の周期で行い、サンプリングした信号をデジタルデータに変換して線量判定部75へ順次出力する。線量判定部75は、信号検出部74から入力されたデータに基づき、放射線発生器14から照射された放射線の線量を判定(すなわち、動画撮影用の低線量パルス、静止画撮影用の高線量パルスのいずれであるかを判定)する。この判定結果は、カセッテ制御部70へ出力される。
[0064]
 電子カセッテ15には電源部77が設けられており、上述した各種電子回路と配線(図示せず)により接続されている。電源部77は、電子カセッテ15の可搬性を損なわないように、前述のバッテリを内蔵しており、このバッテリから各種電子回路へ電力を供給する。また、電源部77は、カセッテ制御部70に接続されている。カセッテ制御部70は、第1の放射線検出器40及び第2の放射線検出器41への電力の供給を選択的にオン/オフすることを可能とする。
[0065]
 図9において、コンソール17は、コンピュータで構成され、装置全体の動作を制御するCPU170と、制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されたROM171と、各種データを一時的に記憶するRAM172と、各種データを記憶するHDD173とを有し、これらはバス線BLを介して互いに接続されている。また、バス線BLには、通信I/F174及び無線通信部175が接続され、ディスプレイ176がディスプレイドライバ177を介して接続されている。更に、バス線BLには、操作部178が操作入力検出部179を介して接続されている。
[0066]
 通信I/F174は、接続端子17A及び通信ケーブル78を介して、放射線発生器14の接続端子14Aに接続されている。CPU170は、通信I/F174等を用いた有線方式により、放射線発生器14との間で、曝射条件等の情報を送受信する。また、無線通信部175は、電子カセッテ15の無線通信部71と通信し、CPU170と電子カセッテ15との間で、画像データ等の各種の情報を送受信する。
[0067]
 ディスプレイドライバ177は、ディスプレイ176に各種情報を表示させるための信号を生成して出力する。CPU170は、ディスプレイドライバ177を介して、操作メニューや放射線画像等をディスプレイ176に表示させる。操作部178は、キーボード等により構成され、各種情報や操作指示が入力される。操作入力検出部179は、操作部178に対する操作を検出し、検出結果をCPU170に送信する。また、操作部178には、放射線撮影室の床上に配置され、動画撮影と静止画撮影との切り替えを行うためのフットスイッチ(図示せず)が接続されている。このフットスイッチは、撮影者が足で踏むことによってオン/オフする。
[0068]
 放射線発生器14は、放射線を発生する放射線源140と、コンソール17との間で曝射条件等の各種情報の送受信を行う通信I/F141と、コンソール17から受信した曝射条件に基づいて放射線源140を制御する線源制御部142と、放射線発生器14のXY方向に関する位置を検出する位置検出装置143とを備えている。
[0069]
 位置検出装置143は、ポテンショメータ等により構成されている。位置検出装置143により検出された放射線発生器14の位置情報は、通信I/F141を介してコンソール17に送信され、コンソール17の無線通信部175から電子カセッテ15に送信される。電子カセッテ15では、無線通信部71により放射線発生器14の位置情報が受信される。カセッテ制御部70は、放射線発生器14の位置情報に基づいて、第1及び第2の電動機38A,38Bを制御する。
[0070]
 次に、RIS10の作用について説明する。放射線画像の撮影が必要な場合に、端末装置11から撮影依頼を入力する。この撮影依頼では、撮影対象とする患者、撮影対象とする撮影部位が指定され、管電圧、管電流などが必要に応じて指定される。
[0071]
 図1に示す端末装置11は、入力された撮影依頼の内容をRISサーバ12に通知する。RISサーバ12は、端末装置11から通知された撮影依頼の内容を記憶部12Aに記憶する。コンソール17は、RISサーバ12にアクセスすることにより、撮影依頼の内容及び撮影対象とする患者の属性情報を取得し、撮影依頼の内容及び患者の属性情報をディスプレイ176(図9参照)に表示させる。
[0072]
 撮影者(放射線技師等)は、ディスプレイ176に表示された撮影依頼の内容に基づいて、放射線画像の撮影を行うための準備作業を行う。例えば、臥位台21上に横臥した患者21Aの患部の撮影を行う場合には、臥位台21のカセッテ室23に電子カセッテ15を収納する。
[0073]
 撮影者は、上記の準備作業が完了すると、コンソール17の操作部178を介して準備作業の完了を通知する操作を行う。コンソール17は、この操作をトリガとして、電子カセッテ15の動作モードをレディ状態とする。電子カセッテ15は、レディ状態となると、カセッテ制御部70により放射線量測定部42及び線量判定部75が駆動され、放射線発生器14から照射される放射線パルス(動画撮影用の低線量パルスまたは静止画撮影用の高線量パルス)を検出するための待ち受け動作を開始する。コンソール17は、ディスプレイ176の表示を切り替えることで撮影可能状態になったことを撮影者へ通知する。
[0074]
 この通知を確認した撮影者は、操作部178を介して撮影指示を行う。例えば、静止画撮影の場合には、コンソール17は、曝射開始を指示する指示信号を放射線発生器14へ送信する。放射線発生器14は、コンソール17から受信した曝射条件に応じた管電圧、管電流で放射線発生器14から静止画撮影用の高線量パルスを射出させる。
[0075]
 電子カセッテ15のカセッテ制御部70は、放射線量測定部42及び線量判定部75により高線量パルスを検出すると、第1の放射線検出器40を駆動して撮影動作を行い、第1の放射線検出器40により得られた画像データを、無線通信部71を介してコンソール17に送信する。コンソール17では、入力された画像データは、静止画像としてディスプレイ176に表示される。
[0076]
 循環器系の診断や処置を行う場合には、撮影者として数名の医師等がチームを組んで対処する。このチームは、患者の載置されている臥位台21の位置を調整したり、患者の撮影部位に合わせて放射線発生器14を回転させたりする操作を担当する補助的な役割を担う者と、動画像(透視像)を観察しながら患者に挿入するカテーテルやガイドワイヤを操作する医師とにより構成される。この医師は、カテーテルやガイドワイヤを操作するために両手が塞がっているため、前述のフットスイッチを用いて動画撮影、静止画撮影の切り替えを行う。動画撮影は、患者の位置決めや、病変部の探索に使用される。静止画撮影は、病変部のより鮮明な放射線画像を得るために使用される。
[0077]
 次に、図10に示すタイミングチャートを用いて動画撮影中に行われる静止画撮影動作について説明する。動画撮影時には、放射線発生器14から動画撮影用の低線量パルスが所定の間隔で患者に向けて照射される。このとき、カセッテ制御部70は、位置検出装置143により逐次検出される放射線発生器14の位置情報に基づいて、第1及び第2の電動機38A,38Bを制御し、放射線発生器14からの放射線の照射領域に第2の光検出部34が位置するように第2の光検出部34を移動させる。また、カセッテ制御部70は、コリメータ140Aを制御して、放射線の照射領域の形状及び大きさを第2の光検出部34の検出領域に合わせる。
[0078]
 また、このとき、放射線量測定部42は、この低線量パルスの照射間隔より短い間隔で放射線のサンプリングを行っている。線量判定部75は、放射線量測定部42により測定される放射線の立ち上がり時の放射線量を、所定の閾値と比較し、この閾値より放射線量(強度)が小さい場合には、低線量パルスと判定する。
[0079]
 線量判定部75により低線量パルスが検出されると、カセッテ制御部70は、低線量パルスに同期して第2の放射線検出器41を駆動し、動画撮影動作MPを実行させる。この動画撮影動作MPでは、まず、ゲート線ドライバ62により全てのゲート配線60が一括選択されて全てのTFT342がオン状態となり、キャパシタ343に蓄積された電荷が破棄(リセット)される。
[0080]
 次に、全てのゲート配線60が非選択とされて全てのTFT342がオフ状態となり、キャパシタ343が電荷蓄積状態となる。光電変換部341により、患者の撮影部位を透過した放射線に応じた電荷が発生され、キャパシタ343に蓄積される。そして、低線量パルスの照射終了後、ゲート線ドライバ62によりゲート配線60が順次に駆動され、各画素344のキャパシタ343に蓄積された電荷が、オン状態のTFT342からデータ配線61を介して信号処理部63に出力され、信号処理部63により画像データが生成される。
[0081]
 この動画撮影動作MP時には、カセッテ制御部70は、電源部77から第1の放射線検出器40の各部への電源電圧の供給を停止し、オフ状態(OFF)とする。これにより、第2の放射線検出器41の読み出し動作への電源ノイズの影響が低減される。
[0082]
 低線量パルスが検出されるたびに動画撮影動作MPが行われ、画像データが画像メモリ64から無線通信部71を介してコンソール17に順次に送信される。コンソール17では、入力された画像データは、動画像としてディスプレイ176に表示される。
[0083]
 この動画撮影中に、フットスイッチ等の操作により静止画撮影指示がなされた場合には、放射線発生器14から静止画撮影用の高線量パルスが患者の撮影部位に向けて照射される。この高線量パルスの線量は、低線量パルスの100倍程度である。線量判定部75は、放射線量測定部42により検出される放射線の立ち上がり時の放射線量を、所定の閾値と比較し、この閾値より放射線量が大きい場合には、高線量パルスと判定する。
[0084]
 線量判定部75により高線量パルスが検出されると、カセッテ制御部70は、高線量パルスに同期して第1の放射線検出器40を駆動し、静止画撮影動作SPを実行させる。この静止画撮影動作SPは、動画撮影動作MPと同様であり、第1の放射線検出器40により画像データが生成される。この画像データは、無線通信部71を介してコンソール17に送信され、コンソール17では、静止画像としてディスプレイ176に表示される。なお、この静止画像を、ディスプレイ176以外の別のディスプレイに表示してもよい。また、動画及び静止画は、術後の検討のためにメモリ内に保存される。
[0085]
 また、この静止画撮影動作SP時には、カセッテ制御部70は、電源部77から第2の放射線検出器41の各部への電源電圧の供給を停止し、オフ状態(OFF)とする。これにより、第1の放射線検出器40の読み出し動作への電源ノイズの影響が低減される。
[0086]
 以上のように、第1の放射線検出器40は、画素324の数が多いため、高精細な静止画像が得られる。これに対して、第2の放射線検出器41は、画素344の数が少ないため、高速駆動され、高フレームレートで動画像が生成される。
[0087]
 また、動画撮影時には、第2の放射線検出器41の放射線検出領域(第2の光検出部34の光検出領域)にのみ放射線が照射されるため、患者の無駄な被曝が抑制される。また、第2の光検出部34が小面積であることにより、駆動時の発熱量が小さく、かつ、筐体30内に生じた空間(第2の光検出部34が移動する空間)により放熱性が向上するため、電子カセッテ15の動画撮影時の温度上昇が抑制される。
[0088]
 また、第1の放射線検出器40と第2の放射線検出器41とは放射線の進行方向に積層され、第2の放射線検出器41は第1の放射線検出器40を透過した放射線を検出する構成であるため、動画撮影から静止画撮影に切り替える際に、第2の放射線検出器41を移動させる必要はなく、迅速に静止画撮影が行われる。
[0089]
 なお、上記実施形態では、第2の放射線検出器41を、TFT基板34Aを用いて構成された第2の光検出部34を用いているが、第2の光検出部34として、シリコン基板をベースとして構成されたCMOS型イメージセンサやCCD型イメージセンサを用いることも可能である。これにより、第2の放射線検出器41は、より高速駆動が可能となる。さらに、シリコン基板に代えて、炭化シリコン(SiC)等のワイドギャップ半導体基板を用いることも好ましい。SiC基板は、シリコン基板より500倍程度放射線耐性に優れることが利点である。
[0090]
 次に、電子カセッテの他の構成について説明する。図11では、第1の放射線検出器40を第1の発光部33Aと第1の光検出部32とにより構成し、第2の放射線検出器41を第2の発光部33Bと第2の光検出部34とにより構成している。第1の放射線検出器40及び第2の放射線検出器41はいずれもISS型である。
[0091]
 この場合、第1の発光部33Aの放射線入射側とは反対側の面に光反射層80Aを形成し、第2の発光部33Bの放射線入射側とは反対側の面に光反射層80Bを形成することが好ましい。光反射層80A,80Bは、アルミニウム等の金属膜により形成される。第2の放射線検出器41は、前述の移動機構(第1及び第2の案内レール37A,37B、第1及び第2の電動機38A,38B)により、XY方向に移動される。
[0092]
 第1の発光部33Aは、前述の発光部33と同一構成であり、CsI:TlやCsI:Na等の柱状結晶構造を有する柱状結晶蛍光体を有する。第1の発光部33Aは、前述の発光部33の場合とは異なり、第1の光検出部32に入射させる可視光のみを発生すればよいため、発光部33より柱状結晶蛍光体の厚みを薄くすることが可能である。柱状結晶蛍光体は、高価であり、また、厚みが厚いほど耐衝撃性が低下するため、柱状結晶蛍光体の厚みを薄くすることにより、コストの削減と耐衝撃性の向上を図ることができる。
[0093]
 第2の発光部33Bに、柱状結晶蛍光体を用いてもよいが、酸化ガドリニウム(GOS)蛍光体を用いてもよい。GOS蛍光体は、粉末の粒子であるため、バインダー樹脂に混ぜられている。GOS蛍光体を大粒子とすることで、分解能は低下するが、放射線に対する感度を向上させることができる。一方、第2の発光部33Bに柱状結晶蛍光体を用いる場合には、柱状結晶蛍光体の先端部を第2の光検出部34に対向させることが好ましい。柱状結晶蛍光体は、放射線に対する感度が高いため、動画撮影時の放射線の線量を下げ、患者の被曝を低減することができる。
[0094]
 また、第1の発光部33AにGOS蛍光体を用いることも可能である。GOS蛍光体は、柱状結晶蛍光体より原子番号が大きく、柱状結晶蛍光体より高いエネルギーの放射線(X線)を吸収する。この構成は、動画撮影と静止画撮影とで放射線源140の管電圧を変え、高コントラストの静止画像を得るために静止画撮影時の管電圧を高くする場合に有効である。なお、GOS蛍光体を小粒子とすることで分解能を向上させることができる。
[0095]
 図12に示す配置例では、第2の放射線検出器41を構成する第2の発光部33Bと第2の光検出部34とを、放射線の進行方向に対して、図11の例とは逆に配置している。この例では、第1の放射線検出器40がISS型、第2の放射線検出器41がPSS型である。この場合には、第2の発光部33Bの放射線入射側の面に光反射層80Bを形成することが好ましい。その他の構成については上記の例と同様であるため、説明は省略する。なお、第1の放射線検出器40及び第2の放射線検出器41は、ISS型、PSS型のいずれであってもよい。
[0096]
 また、上記各配置例では、第1の放射線検出器40において、第1の光検出部32の光電変換膜321Cをアモルファスシリコンによって構成しているが、光電変換膜321Cを、有機光電変換材料を含む材料で構成してもよい。この場合には、主に可視光域で高い吸収を示す吸収スペクトルが得られ、光電変換膜321Cではシンチレータ332から放出された可視光以外の電磁波の吸収が殆どない。これにより、放射線が光電変換膜321Cで吸収されることで発生するノイズが抑制される。
[0097]
 また、有機光電変換材料からなる光電変換膜321Cは、インクジェットヘッド等を用いて有機光電変換材料をTFT基板32A上に付着させることで形成することができ、TFT基板32Aに含まれる絶縁性基板325には、耐熱性は要求されない。このため、絶縁性基板325をガラス以外の材質とすることができる。
[0098]
 光電変換膜321Cを有機光電変換材料で構成した場合、光電変換膜321Cで放射線が殆ど吸収されないので、第1の光検出部32を透過することによる放射線の減衰が抑制される。従って、光電変換膜321Cを有機光電変換材料で構成することは、第1の放射線検出器40がISS型である場合に好適である。
[0099]
 光電変換膜321Cを構成する有機光電変換材料は、シンチレータ332から放出された光を最も効率良く吸収するために、その吸収ピーク波長が、シンチレータ332の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長とシンチレータ332の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければシンチレータ332から放出された光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、シンチレータ332の発光ピーク波長との差が10nm以内であることが好ましく、5nm以内であることがより好ましい。
[0100]
 このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、キナクリドン系有機化合物やフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。キナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は560nmであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ332の材料としてCsI:Tlを用いれば、上記ピーク波長の差を5nm以内にすることが可能であり、シンチレータ332で発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。
[0101]
 光電変換膜321Cは、有機p型化合物または有機n型化合物を含有することが好ましい。有機p型化合物は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体であり、電子を供与しやすい性質を有する。より詳しくは、有機p型化合物は、2つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物である。ドナー性有機半導体としては、電子供与性を有するものであれば如何なる有機化合物も使用可能である。有機n型化合物は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体であり、電子を受容し易い性質を有する。より詳しくは、有機n型化合物は、2つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物である。アクセプター性有機半導体としては、電子受容性を有するものであれば如何なる有機化合物も使用可能である。
[0102]
 また、光電変換部321は、少なくとも電極321A,321Bと光電変換膜321Cとを含んでいればよいが、暗電流の増加を抑制するため、電子ブロッキング膜及び正孔ブロッキング膜の少なくとも何れかを設けることが好ましく、両方を設けることがより好ましい。
[0103]
 また、TFT322の活性層としては、In、Ga及びZnのうちの少なくとも1つを含む非晶質酸化物(例えば、In-O系)が好ましく、In、Ga及びZnのうちの少なくとも2つを含む非晶質酸化物(例えば、In-Zn-O系、In-Ga-O系、Ga-Zn-O系)がより好ましく、In、Ga及びZnを含む非晶質酸化物が特に好ましい。In-Ga-Zn-O系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がInGaO (ZnO) (mは6未満の自然数)で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、m=4であることがより好ましい。
[0104]
 また、TFT322の活性層を有機半導体材料で形成してもよい。この場合、有機半導体材料としては、特開2009-212389号公報に記載されたフタロシアニン化合物や、ペンタセン、バナジルフタロシアニン等が挙げられる。
[0105]
 TFT322の活性層を、非晶質酸化物や有機半導体材料によって形成すれば、X線等の放射線を吸収せず、或いは吸収したとしても極めて微量に留まるため、ノイズの発生が効果的に抑制される。
[0106]
 また、TFT322の活性層をカーボンナノチューブで形成してもよい。この場合、TFT322のスイッチング速度が高速化する。また、TFT322における可視光域の光の吸収度合いを低下させることができる。なお、活性層をカーボンナノチューブで形成する場合、活性層にごく微量の金属性不純物が混入しただけでTFT322の性能が著しく低下するため、遠心分離等により非常に純度の高いカーボンナノチューブを分離・抽出して活性層の形成に用いる必要がある。
[0107]
 TFT322の活性層を構成する非晶質酸化物や有機半導体材料、光電変換膜321Cを構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。従って、絶縁性基板325としては、石英基板、ガラス基板等の耐熱性の高い基板に限られず、合成樹脂製の可撓性基板、アラミド、バイオナノファイバを用いることができる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の可撓性基板を用いることができる。このような合成樹脂製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもできる。なお、絶縁性基板325には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。
[0108]
 また、バイオナノファイバは、バクテリア(酢酸菌、Acetobacter Xylinum)が産出するセルロースミクロフィブリル束(バクテリアセルロース)と透明樹脂とを複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅50nmと可視光波長に対して1/10のサイズで、かつ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を60~70%も含有しながら、波長500nmで約90%の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数(3~7ppm)を有し、鋼鉄並の強度(460MPa)、高弾性(30GPa)で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄型化できる。
[0109]
 以上のように構成された第1の光検出部32と同様に第2の光検出部34を構成してもよい。
[0110]
 また、上記各配置例では、第1の放射線検出器40、第2の放射線検出器41、放射線量測定部42は、いずれも放射線をシンチレータで可視光に変換し、この可視光を電荷に変換する間接変換型の放射線検出器であるが、アモルファスセレン等の光導電性層により放射線を電荷に直接変換する直接変換型の放射線検出器としてもよい。
[0111]
 また、上記各配置例では、放射線量測定センサ31を、第1の光検出部32及び第2の光検出部34より放射線の上流側に配置しているが、これに代えて、放射線量測定センサ31を、第1の光検出部32及び第2の光検出部34より放射線の下流側に配置してもよい。さらには、放射線量測定センサ31を、第1の光検出部32または第2の光検出部34に組み込んでもよい。
[0112]
 また、上記実施形態では、第2の放射線検出器41を、第1及び第2の案内レール37A,37B、第1及び第2の電動機38A,38Bにより構成された移動機構により移動させているが、これに代えて、XYテーブル等の移動機構を用いて第2の放射線検出器41を移動させてもよい。
[0113]
 また、上記実施形態では、第2の放射線検出器41を、第1の放射線検出器40の放射線検出領域に対応する領域内で移動させているが、第2の放射線検出器41の移動範囲は、第1の放射線検出器40の放射線検出領域から部分的に外にはみ出してもよい。
[0114]
 また、上記実施形態では、第2の放射線検出器41を、第1の放射線検出器40から隙間APを空けて移動させているが、第2の放射線検出器41を第1の放射線検出器40に摺動させてもよい。この場合には、第2の放射線検出器41と第1の放射線検出器40との対向面に、摩擦係数が低いシリコン等の膜を形成することが好ましい。
[0115]
 さらに、図13に示すように、第2の放射線検出器41と第1の放射線検出器40とを当接した状態と離間した状態とに変位させる変位機構90を設けてもよい。第2の放射線検出器41を移動させる際には、同図(A)に示すように、第2の放射線検出器41と第1の放射線検出器40とを離間させ、動画撮影を行う際には、同図(B)に示すように、第2の放射線検出器41と第1の放射線検出器40とを当接させる。この変位機構90は、カセッテ制御部70により制御される。
[0116]
 また、上記実施形態では、カセッテ制御部70は、動画撮影時に、位置検出装置143により検出される放射線発生器14の位置情報に基づいて第2の放射線検出器41を移動させているが、動画撮影時に、第1の放射線検出器40に撮影動作を間欠的に行わせ、第1の放射線検出器40により得られる画像データから放射線照射領域を検出し、この放射線照射領域の位置に応じて第2の放射線検出器41を移動させてもよい。さらに、特開2011-004966号公報に記載されているように、患者に挿入されるカテーテル等の挿入物の進行に追従させて第2の放射線検出器41を移動させてもよい。
[0117]
 また、上記実施形態では、第1の放射線検出器40を静止画撮影用、第2の放射線検出器41を動画撮影用としているが、これとは逆に、第1の放射線検出器40を動画撮影用、第2の放射線検出器41を静止画撮影用としてもよい。この場合には、第1の放射線検出器40で広範囲を動画撮影しながら、第2の放射線検出器41で関心部位のみを局所的に静止画撮影することができる。
[0118]
 上記実施形態では、放射線撮影装置として電子カセッテを例示したが、電子カセッテに代えて、マンモグラフィ装置等の放射線検出装置にも本発明を適用可能である。

符号の説明

[0119]
 15 電子カセッテ
 31 放射線量測定センサ
 32 第1の光検出部
 33 発光部
 34 第2の光検出部
 37A 第1の案内レール
 37B 第2の案内レール
 38A 第1の電動機
 38B 第2の電動機
 40 第1の放射線検出器
 41 第2の放射線検出器
 42 放射線量測定部
 321,341 光電変換部
 324,344 画素
 332 シンチレータ
 332A 非柱状結晶
 332B 柱状結晶
 332C 先端部
 333 防湿保護膜

請求の範囲

[請求項1]
 放射線発生器から射出された放射線を検出して画像データを生成する第1の放射線検出器と、
 前記第1の放射線検出器より放射線を検出する放射線検出領域が小さく、前記第1の放射線検出器を透過した放射線を検出して画像データを生成する第2の放射線検出器と、
 前記第2の放射線検出器を移動させる移動機構と、
 前記第1の放射線検出器に静止画撮影及び動画撮影のうち一方を実行させ、前記第2の放射線検出器に静止画撮影及び動画撮影のうち他方を実行させる制御部と、
 を備えることを特徴とする放射線撮影装置。
[請求項2]
 前記制御部は、前記第1の放射線検出器に静止画撮影を実行させ、前記第2の放射線検出器に動画撮影を実行させることを特徴とする請求の範囲第1項に記載の放射線撮影装置。
[請求項3]
 前記制御部は、前記第2の放射線検出器を前記第1の放射線検出器より高いフレームレートで駆動することを特徴とする請求の範囲第2項に記載の放射線撮影装置。
[請求項4]
 前記移動機構は、前記第2の放射線検出器を、前記第1の放射線検出器の前記放射線検出領域に対応する領域内で移動させることを特徴とする請求の範囲第3項に記載の放射線撮影装置。
[請求項5]
 前記放射線発生器から射出された放射線パルスの線量を測定する放射線量測定部と、
 前記放射線量測定部により測定された線量を所定の閾値と比較する線量判定部とをさらに備え、
 前記制御部は、前記線量判定部により所定の閾値より小さい低線量パルスが検出された場合には、前記第2の放射線検出器に動画撮影を実行させ、前記線量判定部により前記閾値より大きい高線量パルスが検出された場合には、前記第1の放射線検出器に静止画撮影を実行させる、
 ことを特徴とする請求の範囲第3項に記載の放射線撮影装置。
[請求項6]
 前記移動機構は、前記放射線発生器の位置に基づいて前記第2の放射線検出器を移動させることを特徴とする請求の範囲第3項に記載の放射線撮影装置。
[請求項7]
 前記移動機構は、前記第1の放射線検出器により検出される放射線照射範囲に基づいて前記第2の放射線検出器を移動させることを特徴とする請求の範囲第3項に記載の放射線撮影装置。
[請求項8]
 前記第1の放射線検出器と前記第2の放射線検出器とを互いに当接した状態と離間した状態との間で変位させる変位機構をさらに備え、
 前記変位機構は、前記第2の放射線検出器の移動時に前記第1の放射線検出器と前記第2の放射線検出器とを離間させることを特徴とする請求の範囲第3項に記載の放射線撮影装置。
[請求項9]
 前記第1の放射線検出器は、放射線を吸収して可視光を発生する発光部と、前記発光部の放射線入射側に配置されると共に、前記発光部により発生された可視光を検出して画像データを生成する第1の光検出部とにより構成され、
 前記第2の放射線検出器は、前記発光部と、前記発光部の放射線入射側とは反対側に配置されると共に、前記発光部により発生された可視光を検出して画像データを生成する第2の光検出部とにより構成され、
 前記移動機構は、前記第2の光検出部を移動させることを特徴とする請求の範囲第1項から第8項いずれか1項に記載の放射線撮影装置。
[請求項10]
 前記発光部は、柱状結晶蛍光体を有し、前記柱状結晶蛍光体の先端部が前記第1の光検出部に対向していることを特徴とする請求の範囲第9項に記載の放射線撮影装置。
[請求項11]
 前記第1の放射線検出器は、放射線を吸収して可視光を発生する第1の発光部と、前記第1の発光部の放射線入射側に配置されると共に、前記第1の発光部により発生された可視光を検出して画像データを生成する第1の光検出部とにより構成され、
 前記第2の放射線検出器は、前記第1の発光部及び前記第1の光検出部を透過した放射線を吸収して可視光を発生する第2の発光部と、前記第2の発光部の放射線入射側とは反対側に配置されると共に、前記第2の発光部により発生された可視光を検出して画像データを生成する第2の光検出部とにより構成されている、
 ことを特徴とする請求の範囲第1項から第8項いずれか1項に記載の放射線撮影装置。
[請求項12]
 前記第1の発光部と前記第2の発光部との一方が柱状結晶蛍光体を有し、他方がGOS蛍光体を有することを特徴とする請求の範囲第11項に記載の放射線撮影装置。
[請求項13]
 前記第2の光検出部は、CMOS型イメージセンサまたはCCD型イメージセンサであることを特徴とする請求の範囲第9項または第11項に記載の放射線撮影装置。

図面

[ 図 1]

[ 図 2]

[ 図 3]

[ 図 4]

[ 図 5]

[ 図 6]

[ 図 7]

[ 図 8]

[ 図 9]

[ 図 10]

[ 図 11]

[ 図 12]

[ 図 13]