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1. WO2013015033 - ドライエッチング剤

公開番号 WO/2013/015033
公開日 31.01.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/065074
国際出願日 13.06.2012
IPC
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
CPC
C09K 13/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
13Etching, surface-brightening or pickling compositions
C09K 13/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
13Etching, surface-brightening or pickling compositions
04containing an inorganic acid
08containing a fluorine compound
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
H01L 21/31116
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
311Etching the insulating layers ; by chemical or physical means
31105Etching inorganic layers
31111by chemical means
31116by dry-etching
H01L 21/32137
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
321After treatment
3213Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
32133by chemical means only
32135by vapour etching only
32136using plasmas
32137of silicon-containing layers
出願人
  • セントラル硝子株式会社 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 菊池 亜紀応 KIKUCHI, Akiou (UsOnly)
  • 梅崎 智典 UMEZAKI, Tomonori (UsOnly)
  • 日比野 泰雄 HIBINO, Yasuo (UsOnly)
  • 毛利 勇 MORI, Isamu (UsOnly)
  • 岡本 覚 OKAMOTO, Satoru (UsOnly)
発明者
  • 菊池 亜紀応 KIKUCHI, Akiou
  • 梅崎 智典 UMEZAKI, Tomonori
  • 日比野 泰雄 HIBINO, Yasuo
  • 毛利 勇 MORI, Isamu
  • 岡本 覚 OKAMOTO, Satoru
代理人
  • 小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi
優先権情報
2011-16400827.07.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DRY ETHCING AGENT
(FR) AGENT DE GRAVURE À SEC
(JA) ドライエッチング剤
要約
(EN)
[Problem] To provide a dry etching agent having little effect on the global environment but having the required performance. [Solution] Provided is a dry etching agent comprising, each at a specific vol%, (A) a fluorine-containing unsaturated hydrocarbon represented by the formula CaFbHc (where a, b and c are each positive integers and satisfy the correlation of 2 < a < 5, c < b > 1, 2a + 2 > b + c, b < a + c, excluding the case where a = 3, b = 4, or c = 2), (B) at least one gas selected from the group consisting of O2, O3, CO, CO2, COCl2, COF2, F2, NF3, Cl2, Br2, I2, and YFn (where Y is Cl, Br or I and n is an integer between 1 and 5), and (C) at least one gas selected from the group consisting of N2, He, Ar, Ne, Xe, and Kr.
(FR)
L'objet de l'invention est de fournir un agent de gravure à sec ayant peu d'effet sur l'environnement global mais présentant la performance requise. A cet effet, un agent de gravure à sec comprenant, chacun à un pourcentage en volume spécifique, (A) un hydrocarbure insaturé fluoré représenté par la formule CaFbHc (a, b et c étant chacun des entiers positifs et satisfaisant la corrélation de 2 < a < 5, c < b > 1, 2a + 2 > b + c, b < a + c, à l'exclusion du cas dans lequel a = 3, b = 4, ou c = 2), (B) au moins un gaz choisi dans le groupe constitué par O2, O3, CO, CO2, COCl2, COF2, F2, NF3, Cl2, Br2, I2, et YFn (Y étant Cl, Br ou I et n étant un entier entre 1 et 5), et (C) au moins un gaz choisi dans le groupe constitué par N2, He, Ar, Ne, Xe et Kr.
(JA)
【課題】地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。 【解決手段】(A)式:Cabc(式中、a、b及びcは、それぞれ正の整数を表し、2≦a≦5、c<b≧1、2a+2>b+c、b≦a+cの関係を満たす。但し、a=3、b=4、c=2の場合を除く。)で表される含フッ素不飽和炭化水素と、(B)O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2及びYFn(但し、YはCl、Br又はIを表す。nは1~5整数を表す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種のガスと、(C)N2、He、Ar、Ne、Xe及びKrからなる群より選ばれる少なくとも1種のガスとを、それぞれ特定の体積%で含む、ドライエッチング剤を提供する。
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