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1. WO2013014860 - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

公開番号 WO/2013/014860
公開日 31.01.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/004223
国際出願日 29.06.2012
IPC
H01L 21/683 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683支持または把持のためのもの
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H01L 31/04 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04光起電変換装置として使用されるもの
CPC
H01J 2237/201
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
20Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
201for mounting multiple objects
H01J 37/32715
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32715Workpiece holder
H01J 37/32724
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32715Workpiece holder
32724Temperature
H01L 21/67069
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67063for etching
67069for drying etching
H01L 21/68764
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
687using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
68714the wafers being placed on a susceptor, stage or support
68764characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
H01L 21/68785
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
687using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
68714the wafers being placed on a susceptor, stage or support
68785characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
出願人
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 置田 尚吾 OKITA, Shogo (UsOnly)
  • 渡邉 彰三 WATANABE, Syouzou (UsOnly)
発明者
  • 置田 尚吾 OKITA, Shogo
  • 渡邉 彰三 WATANABE, Syouzou
代理人
  • 鮫島 睦 SAMEJIMA, Mutsumi
優先権情報
2011-16322826.07.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA PROCESSING DEVICE AND PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
要約
(EN)
A dry-etching device (1) is provided with a tray (3) for carrying substrates (5). Substrate-housing holes (4A-4C), which are through holes capable of housing three substrates (5), are provided to the tray (3). The substrate (5) is supported by a substrate support part (11) protruding from the hole walls of the substrate-housing holes (4A-4C). A stage (21) is provided in a chamber (2) for generating plasma. The stage (21) is inserted into the substrate-housing holes (4A-4C) from the lower surface of the tray (3). A substrate placement surface (28), which is the upper end surface of the stage, is provided with substrate placement sections (27A-27C) on which the lower surface of the substrate (5) transferred from the substrate support part (11) is placed. This invention makes it possible to obtain both high shape controllability with regards to rectangular substrates and good productivity, while minimizing an increase in device size.
(FR)
Un dispositif de gravure à sec (1) possède une platine (3) de transport de substrats (5). Des trous de réception de substrats (4A à 4C), qui sont des trous traversants aptes à recueillir trois substrats (5), sont ménagés dans la platine (3). Le substrat (5) est supporté par une partie de support de substrat (11) qui fait saillie par rapport aux parois des trous de réception de substrats (4A à 4C). Une plate-forme (21) est placée dans une chambre (2) pour la production de plasma. La plate-forme (21) est insérée dans les trous de réception de substrats (4A à 4C) par le dessous de la platine (3). Une surface de placement de substrats (28), qui constitue la surface supérieure de la plate-forme, possède des sections de placement de substrats (27A à 27C) sur lesquelles est placée la surface inférieure du substrat (5) transféré depuis la partie de support de substrat (11). La présente invention permet d'une part d'obtenir une excellente commande de la forme pour les substrats rectangulaires et d'autre part d'assurer une bonne productivité, tout en réduisant au minimum l'augmentation de la taille du dispositif.
(JA)
 ドライエッチング装置1は基板5を搬送するトレイ3を備える。トレイ3には3枚の基板5を収容可能な貫通孔である基板収容孔4A~4Cが設けられている。基板5は基板収容孔4A~4Cの孔壁から突出する基板支持部11により支持される。プラズマを発生させるチャンバ2内にはステージ21が設けられている。ステージ21はトレイ3の下面から基板収容孔4A~4Cに挿入され、かつその上端面である基板載置面28に基板支持部11から受け渡された基板の5下面が載置される基板載置部27A~27Cを備える。角型基板に対する高い形状制御性と良好な生産性の両方を、装置の大型化を抑制しつつ実現できる。
関連公開情報:
国際事務局に記録されている最新の書誌情報