処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2013011864 - 薄膜デバイスおよび薄膜デバイスの製造方法

公開番号 WO/2013/011864
公開日 24.01.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/067535
国際出願日 10.07.2012
IPC
B81B 3/00 2006.01
B処理操作;運輸
81マイクロ構造技術
Bマイクロ構造装置またはシステム,例.マイクロマシン装置
3可撓性の,または変形可能な要素,例.弾性のある舌片または薄膜,からなる装置
B81C 1/00 2006.01
B処理操作;運輸
81マイクロ構造技術
Cマイクロ構造装置またはシステムの製造または処理に,特に適合した方法または装置
1基層中または基層上での装置またはシステムの製造または処理
C23C 14/14 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06被覆材料に特徴のあるもの
14金属質材料,ほう素またはけい素
H01L 41/09 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
08圧電または電歪素子
09電気的入力および機械的出力をもつもの
H01L 41/187 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
16材料の選択
18圧電または電歪素子用
187セラミック組成物
CPC
B81B 2201/0221
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
2201Specific applications of microelectromechanical systems
02Sensors
0221Variable capacitors
B81B 2203/04
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
2203Basic microelectromechanical structures
04Electrodes
B81C 1/00666
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00642for improving the physical properties of a device
0065Mechanical properties
00666Treatments for controlling internal stress or strain in MEMS structures
B81C 1/00698
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00642for improving the physical properties of a device
00698Electrical characteristics, e.g. by doping materials
B81C 2201/017
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2201Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
01in or on a substrate
0161Controlling physical properties of the material
0163Controlling internal stress of deposited layers
017Methods for controlling internal stress of deposited layers not provided for in B81C2201/0164 - B81C2201/0169
B81C 2201/0181
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2201Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
01in or on a substrate
0174for making multi-layered devices, film deposition or growing
0181Physical Vapour Deposition [PVD], i.e. evaporation, sputtering, ion plating or plasma assisted deposition, ion cluster beam technology
出願人
  • 株式会社村田製作所 Murata Manufacturing Co., Ltd. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 梅田圭一 UMEDA, Keiichi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 梅田圭一 UMEDA, Keiichi
代理人
  • 特許業務法人 楓国際特許事務所 Kaede Patent Attorneys' Office
優先権情報
2011-15620115.07.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) THIN FILM DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF À FILM MINCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 薄膜デバイスおよび薄膜デバイスの製造方法
要約
(EN)
Provided is a thin film device that includes a thin film electrode including a main electrode layer formed of tungsten, wherein the thin film electrode has low resistivity. A thin film device (1) includes a thin film electrode (7) that has a ground layer (7A) and a main electrode layer (7B) formed on the ground layer (7A), the ground layer (7A) is formed of titanium tungsten alloy in which a surface morphology has a wave-shaped crystal structure, and the main electrode layer (7B) is formed of tungsten in which a surface morphology has a wave-shaped crystal structure.
(FR)
La présente invention se rapporte à un dispositif à film mince qui comprend une électrode à film mince comprenant une couche d'électrode principale constituée de tungstène, l'électrode à film mince ayant une faible résistivité. Un dispositif à film mince (1) comprend une électrode à film mince (7) qui possède une couche de masse (7A) et une couche d'électrode principale (7B) formée sur la couche de masse (7A), la couche de masse (7A) étant constituée d'un alliage titane-tungstène dans lequel une morphologie de surface présente une structure cristalline en forme d'ondes, et la couche d'électrode principale (7B) étant constituée de tungstène dans lequel une morphologie de surface présente une structure cristalline en forme d'ondes.
(JA)
 タングステンからなる主電極層を含む薄膜電極を備える薄膜デバイスにおいて、薄膜電極が低い抵抗率を有することを実現する。下地層(7A)と、下地層(7A)の上に形成された主電極層(7B)とを有する薄膜電極(7)を備え、下地層(7A)は、表面モフォロジーが波状である結晶構造を有するチタン・タングステン合金からなり、主電極層(7B)は、表面モフォロジーが波状である結晶構造を有するタングステンからなる、薄膜デバイス(1)。
他の公開
国際事務局に記録されている最新の書誌情報