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1. WO2013011776 - 基板処理装置、および薄膜太陽電池の製造装置

公開番号 WO/2013/011776
公開日 24.01.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/065166
国際出願日 13.06.2012
IPC
H01L 21/68 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
68位置決め,方向決め,または整列のためのもの
H01L 31/04 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04光起電変換装置として使用されるもの
CPC
C23C 14/54
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
54Controlling or regulating the coating process
C23C 14/56
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
H01L 21/67259
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
H01L 21/6776
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
677for conveying, e.g. between different workstations
67739into and out of processing chamber
6776Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
出願人
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 久家 健太郎 KUGE, Kentaroh (UsOnly)
  • 梶田 英作 KAJITA, Eisaku (UsOnly)
  • 中村 順 NAKAMURA, Jun (UsOnly)
発明者
  • 久家 健太郎 KUGE, Kentaroh
  • 梶田 英作 KAJITA, Eisaku
  • 中村 順 NAKAMURA, Jun
代理人
  • 特許業務法人原謙三国際特許事務所 HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
優先権情報
2011-15717115.07.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND MANUFACTURING DEVICE FOR THIN-FILM SOLAR CELL
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE À COUCHES MINCES
(JA) 基板処理装置、および薄膜太陽電池の製造装置
要約
(EN)
A sputtering device (1) related to the present invention is provided with an optical fiber sensor (6) that utilizes a laser beam (L) to detect a substrate (S) conveyed by conveyance rollers (3). At least the emission end facet (65a) or the reception end facet (66a) of the optical fiber sensor (6) is provided inside a chamber (2) and is positioned at a predetermined height from the bottom surface of the chamber (2) while facing upward with respect to the horizontal direction.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif de pulvérisation (1) comprenant un capteur à fibre optique (6) qui utilise un faisceau laser (L) pour détecter un substrat (S) transporté par des galets de transport (3). Au moins la facette d'extrémité d'émission (65a) ou la facette d'extrémité de réception (66a) du capteur à fibre optique (6) est placée à l'intérieur d'une chambre (2) et est positionnée à une hauteur prédéterminée par rapport à la surface inférieure de la chambre (2) en étant tournée vers le haut par rapport à la direction horizontale.
(JA)
 本発明に係るスパッタリング装置(1)は、搬送ローラ(3)によって搬送された基板(S)をレーザ光(L)によって検出する光ファイバセンサ(6)を備える。光ファイバセンサ(6)の発光端面(65a)と受光端面(66a)との少なくとも一方は、チャンバ(2)内に配置されており、チャンバ(2)の底面から所定の高さ位置で、水平方向に対して上向きに配置されている。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報