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1. WO2013011674 - 半導体発光素子

公開番号 WO/2013/011674
公開日 24.01.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/004523
国際出願日 12.07.2012
IPC
H01L 33/10 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
10反射構造を有するもの,例.半導体ブラッグ反射鏡
CPC
H01L 33/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
H01L 33/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
10with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
H01L 33/405
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
40Materials therefor
405Reflective materials
H01L 33/42
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
40Materials therefor
42Transparent materials
H01L 33/46
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
46Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
出願人
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 中村 晃子 NAKAMURA, Akiko (UsOnly)
  • 粂 雅博 KUME, Masahiro (UsOnly)
  • 廣木 均典 HIROKI, Masanori (UsOnly)
発明者
  • 中村 晃子 NAKAMURA, Akiko
  • 粂 雅博 KUME, Masahiro
  • 廣木 均典 HIROKI, Masanori
代理人
  • 特許業務法人前田特許事務所 MAEDA & PARTNERS
優先権情報
2011-15641515.07.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ÉLECTROLUMINESCENT
(JA) 半導体発光素子
要約
(EN)
This semiconductor light emitting element is provided with: a substrate having light transmitting characteristics; a semiconductor layer that is provided with an n-type semiconductor layer, a light emitting layer, and a p-type semiconductor layer, which are laminated on the substrate; a transparent conducting layer that is provided on the semiconductor layer; a multilayer reflecting layer which is laminated on the reflecting region by dividing the upper surface of the transparent conducting layer into a reflecting region, which is a region for reflecting light emitted from the light emitting layer, and a conducting region, which is the regions other than the reflecting region; and a metal reflecting layer that is provided to cover the conducting region and the multilayer reflecting layer. The multilayer reflecting layer is formed by alternately laminating one or more first refractive index transparent layers having a refractive index of n1, and one or more second refractive index transparent layers having a refractive index of n2 that is smaller than n1, and the outermost layer of the multilayer reflecting layer, said outermost layer being on the metal reflecting layer side, is the second refractive index transparent layer.
(FR)
L'invention concerne un élément semi-conducteur électroluminescent comprenant : un substrat ayant des caractéristiques de transmission de la lumière ; une couche semi-conductrice comportant une couche semi-conductrice de type n, une couche électroluminescente et une couche semi-conductrice de type p, qui sont stratifiées sur le substrat ; une couche conductrice transparente qui est placée sur la couche semi-conductrice ; une couche réfléchissante à couches multiples qui est stratifiée sur la région de réflexion en divisant la surface supérieure de la couche conductrice transparente en une région réfléchissante, qui est une région destinée à réfléchir la lumière émise par la couche électroluminescente, et une région conductrice, qui regroupe les régions autres que la région réfléchissante ; et une couche métallique réfléchissante qui est prévue pour recouvrir la région conductrice et la région réfléchissante à couches multiples. La couche réfléchissante à couches multiples est formée en stratifiant alternativement une ou plusieurs couches transparentes à premier indice de réfraction, offrant un indice de réfraction n1, et une ou plusieurs couches transparentes à second indice de réfraction, offrant un indice de réfraction n2 qui est inférieur à n1, et la couche extérieure de la couche réfléchissante à couches multiples, ladite couche extérieure se trouvant sur le côté de la couche métallique réfléchissante, est une couche transparente à second indice de réfraction.
(JA)
 本発明の半導体発光素子は、光透過性を有する基板と、基板に積層されたn型半導体層、発光層およびp型半導体層を備えた半導体層と、半導体層の上に設けられた透明導電層と、透明導電層の上面を、発光層からの光を反射させるための領域である反射領域とそれ以外の導通領域とに分けて反射領域に積層された多層反射層と、導通領域および多層反射層を覆って設けられた金属反射層とを備え、多層反射層は、屈折率n1の第1屈折率透明層と、屈折率がn1よりも小さいn2である第2屈折率透明層とが交互にそれぞれ1層以上積層されてなり、多層反射層において金属反射層側の最外層が第2屈折率透明層である。
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