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1. WO2013011647 - 酸化カーボン薄膜の製造方法および酸化カーボン薄膜を有する素子とその製造方法

公開番号 WO/2013/011647
公開日 24.01.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/004364
国際出願日 05.07.2012
IPC
C01B 31/02 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
B非金属元素;その化合物
31炭素;その化合物
02炭素の製造;精製
H01L 29/161 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
02半導体本体
12構成材料に特徴のあるもの
16ドーピング材料または他の不純物は別にして,非結合型周期表の第IV族の元素のみを含むもの
16129/16に分類されている元素のうち2つ以上を含むもの
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 51/05 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
CPC
C01B 32/184
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
32Carbon; Compounds thereof
15Nano-sized carbon materials
182Graphene
184Preparation
C01B 32/23
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
32Carbon; Compounds thereof
20Graphite
21After-treatment
23Oxidation
H01B 13/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
13Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
06Insulating conductors or cables
18Applying discontinuous insulation, e.g. discs, beads
H01B 3/004
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
3Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
002Inhomogeneous material in general
004with conductive additives or conductive layers
H01L 29/66742
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66477with an insulated gate, i.e. MISFET
66742Thin film unipolar transistors
H01L 29/78684
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
78684having a semiconductor body comprising semiconductor materials of Group IV not being silicon, or alloys including an element of the group IV, e.g. Ge, SiN alloys, SiC alloys
出願人
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 小田川 明弘 ODAGAWA, Akihiro (UsOnly)
  • 松川 望 MATSUKAWA, Nozomu (UsOnly)
発明者
  • 小田川 明弘 ODAGAWA, Akihiro
  • 松川 望 MATSUKAWA, Nozomu
代理人
  • 鎌田 耕一 KAMADA, Koichi
優先権情報
2011-15965921.07.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PROCESS FOR PRODUCING THIN OXIDIZED CARBON FILM, AND ELEMENT HAVING THIN OXIDIZED CARBON FILM AND PROCESS FOR PRODUCING SAME
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN FILM MINCE DE CARBONE OXYDÉ, ET ÉLÉMENT AYANT UN FILM MINCE DE CARBONE OXYDÉ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 酸化カーボン薄膜の製造方法および酸化カーボン薄膜を有する素子とその製造方法
要約
(EN)
This process for producing a thin oxidized carbon film comprises: a first step in which a thin carbon film is prepared, and copper oxides that are in contact with the thin carbon film and that comprise a mixture of Cu2O and CuO are prepared; and a second step in which a voltage or current is applied between the thin carbon film and the copper oxides so that the thin carbon film is the positive side, thereby oxidizing the part of the thin carbon film which is in contact with the copper oxides to convert the part to an oxidized part constituted of oxidized carbon and form a thin oxidized carbon film having the oxidized part. This production process is a method capable of forming a nanometer-order pattern on thin carbon films including graphene, and is widely applicable as a processing technique for producing electronic devices.
(FR)
Le procédé selon l'invention pour la fabrication d'un film mince de carbone oxydé comprend : une première étape dans laquelle un film mince de carbone est préparé, et des oxydes de cuivre qui sont en contact avec le film mince de carbone et qui comprennent un mélange de Cu2O et de CuO sont préparés ; et une seconde étape dans laquelle une tension ou un courant est appliqué entre le film mince de carbone et les oxydes de cuivre de telle sorte que le film mince de carbone soit le côté positif, permettant ainsi d'oxyder la partie du film mince de carbone qui est en contact avec les oxydes de cuivre pour convertir la partie en une partie oxydée constituée de carbone oxydé et former un film mince de carbone oxydé ayant la partie oxydée. Ce procédé de fabrication est un procédé apte à former un motif de l'ordre du nanomètre sur les films minces de carbone comprenant le graphène, et est largement applicable comme technique de traitement pour la production de dispositifs électroniques.
(JA)
 本発明の酸化カーボン薄膜の製造方法は、カーボン薄膜と、カーボン薄膜に接するとともにCuOおよびCuOの混合体を含む銅酸化物とを準備する第1のステップと;カーボン薄膜と銅酸化物との間にカーボン薄膜側を正とする電圧または電流を印加することにより、カーボン薄膜における銅酸化物と接する部分を酸化させて酸化カーボンにより構成される酸化部に変化させ、酸化部を有する酸化カーボン薄膜を形成する第2のステップと;を含む。この製造方法は、グラフェンをはじめとするカーボン薄膜に対してナノメートルオーダーのパターンを形成しうる方法であって、電子デバイスを製造するためのプロセス技術としての汎用的な応用が可能である。
関連公開情報:
国際事務局に記録されている最新の書誌情報