処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2013011539 - 有機発光素子の製造方法

公開番号 WO/2013/011539
公開日 24.01.2013
国際出願番号 PCT/JP2011/004059
国際出願日 15.07.2011
IPC
H05B 33/10 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
10エレクトロルミネッセンス光源の製造に特に適用する装置または方法
H01L 51/50 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H05B 33/12 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
12実質的に2次元放射面をもつ光源
H05B 33/22 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
12実質的に2次元放射面をもつ光源
22補助的な誘電体または反射層の配置あるいは化学的または物理的組成によって特徴づけられたもの
CPC
H01L 27/3244
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
32with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
3241Matrix-type displays
3244Active matrix displays
H01L 27/3283
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
32with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
3241Matrix-type displays
3281Passive matrix displays
3283including banks or shadow masks
H01L 51/5012
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
5012Electroluminescent [EL] layer
H01L 51/5088
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
5088Carrier injection layer
H01L 51/5234
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
52Details of devices
5203Electrodes
5221Cathodes, i.e. with low work-function material
5234Transparent, e.g. including thin metal film
H01L 51/56
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
56Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices or of parts thereof
出願人
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 山田 隆太 YAMADA, Ryuuta (UsOnly)
  • 大内 暁 OHUCHI, Satoru (UsOnly)
  • 小松 隆宏 KOMATSU, Takahiro (UsOnly)
  • 藤村 慎也 FUJIMURA, Shinya (UsOnly)
  • 藤田 浩史 FUJITA, Hirofumi (UsOnly)
発明者
  • 山田 隆太 YAMADA, Ryuuta
  • 大内 暁 OHUCHI, Satoru
  • 小松 隆宏 KOMATSU, Takahiro
  • 藤村 慎也 FUJIMURA, Shinya
  • 藤田 浩史 FUJITA, Hirofumi
代理人
  • 中島 司朗 NAKAJIMA, Shiro
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN ÉLÉMENT ORGANIQUE ÉLECTROLUMINESCENT
(JA) 有機発光素子の製造方法
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to provide a method for producing an organic light-emitting element wherein it is possible to expect excellent luminescence properties by improving the resistance of the hole injection property to dissolution and by exerting excellent hole injection efficiency. An organic EL element (1) is configured by laminating a positive electrode (2), a hole injection layer (4), a buffer layer (6A), a light-emitting layer (6B), and a negative electrode (8) on one surface of a substrate (10) in said order. A light-emitting region is partitioned by means of a bank (5). The hole injection layer (4) is a tungsten oxide layer containing an oxygen defect section and formed under predetermined conditions, wherein in an electronic state the occupancy level has a bond energy range that is lower than the lowest bond energy in a valence bond by 1.8 to 3.6 eV. After the layer is formed, the density thereof is increased by firing same for 15 to 45 minutes in an atmosphere in which the temperature is between 200 and 230°C, thereby improving the resistance to dissolution by an etching liquid or a cleaning liquid used during the bank formation step.
(FR)
L’invention a pour objet de mettre en œuvre un procédé de production d'un élément organique électroluminescent dont on peut attendre d'excellentes propriétés de luminescence par l'amélioration de la résistance à la dissolution de la fonction d'injection de trous et par la réalisation d'une excellente efficacité d'injection de trous. Un élément organique électroluminescent (1) est réalisé par stratification d'une électrode positive (2), d'une couche d'injection de trous (4), d'une couche tampon (6A), d'une couche électroluminescente (6B), et d'une électrode négative (8) sur une surface d'un substrat (10) dans cet ordre. Une région électroluminescente est divisée au moyen d'un banc (5). La couche d'injection de trous (4) est une couche d'oxyde de tungstène présentant une section déficitaire en oxygène et formée dans des conditions prédéterminées. Dans un état électronique, le niveau d'occupation présente une gamme des énergies de liaison inférieure de 1,8 à 3,6 eV à l'énergie de liaison la plus basse dans une liaison de valence. Après formation de la couche, la densité de celle-ci est accrue par cuisson d'une durée de 15 à 45 minutes dans une atmosphère dont la température est comprise entre 200 et 230°C, ce qui améliore la résistance à la dissolution par un liquide de gravure ou un liquide de nettoyage utilisé au cours de l'étape de formation du banc.
(JA)
 本発明は、ホール注入特性の溶解耐性を向上させるとともに、良好なホール注入効率を発揮させることにより、優れた発光特性を期待することのできる有機発光素子の製造方法を提供することを目的とする。 基板10の片面に、陽極2、ホール注入層4、バッファ層6A、発光層6B、陰極8を順次積層して有機EL素子1を構成する。発光領域はバンク5で区画する。ホール注入層4は所定条件で成膜した酸素欠陥部分を含む酸化タングステン層であり、電子状態において、価電子帯で最も低い結合エネルギーよりも1.8~3.6eV低い結合エネルギーの範囲内に占有準位を存在させる。成膜後に200℃以上230℃以下の温度で15分以上45分以下、大気焼成して膜密度を増大させ、バンク形成工程時に用いるエッチング液や洗浄液等への溶解耐性を向上させる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報