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1. (WO2013010113) NON-CONTACT TRANSFER PRINTING
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2013/010113 国際出願番号: PCT/US2012/046744
国際公開日: 17.01.2013 国際出願日: 13.07.2012
IPC:
B41J 29/38 (2006.01)
B 処理操作;運輸
41
印刷;線画機;タイプライター;スタンプ
J
タイプライタ;選択的プリンティング機構,すなわち版以外の手段でプリンティングする機構;誤植の修正
29
他に分類されないタイプライタまたは選択的プリンティング機構の細部,またはその付属装置
38
プリンティング機構全体に対する駆動装置,電動機,制御装置,または自動的停止装置
出願人:
THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ILLINOIS [US/US]; 352 Henry Administration Building 506 South Wright Street Urbana, Illinois 61801, US (AllExceptUS)
ROGERS, John, A. [US/US]; US (UsOnly)
FERREIRA, Placid, M. [IN/US]; US (UsOnly)
SAEIDPOURAZAR, Reza [IR/US]; US (UsOnly)
発明者:
ROGERS, John, A.; US
FERREIRA, Placid, M.; US
SAEIDPOURAZAR, Reza; US
代理人:
MARSHALL, Shireen, R.; Greenlee Sullivan, P.C. 4875 Pearl East Circle Suite 200 Boulder, CO 80301, US
優先権情報:
61/507,78414.07.2011US
61/594,65203.02.2012US
発明の名称: (EN) NON-CONTACT TRANSFER PRINTING
(FR) IMPRESSION PAR TRANSFERT SANS CONTACT
要約:
(EN) A transfer printing process that exploits the mismatch in mechanical or thermo-mechanical response at the interface of a printable micro- or nano-device and a transfer stamp to drive the release of the device from the stamp and its non-contact transfer to a receiving substrate are provided. The resulting facile, pick-and-place process is demonstrated with the assembling of 3-D microdevices and the printing of GAN light-emitting diodes onto silicon and glass substrates. High speed photography is used to provide experimental evidence of thermo-mechanically driven release.
(FR) L'invention porte sur un procédé d'impression par transfert qui exploite le décalage dans la réponse mécanique ou thermomécanique à l'interface d'un microdispositif ou nanodispositif imprimable et d'un tampon transfert pour entraîner la libération du dispositif du tampon et son transfert sans contact sur un substrat de réception. Le procédé facile de transfert par preneur-placeur résultant est démontré par l'assemblage de microdispositifs en 3 dimensions et l'impression de diodes électroluminescentes de réseau global (GAN) sur des substrats de silicium et de verre. Une photographie ultra rapide est utilisée pour fournir une preuve expérimentale de la libération entraînée de façon thermomécanique.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)