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1. WO2013008908 - 化学・物理現象検出方法及びその装置

公開番号 WO/2013/008908
公開日 17.01.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/067908
国際出願日 13.07.2012
IPC
G01N 27/00 2006.01
G物理学
01測定;試験
N材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
27電気的,電気化学的,または磁気的手段の利用による材料の調査または分析
G01N 27/414 2006.01
G物理学
01測定;試験
N材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
27電気的,電気化学的,または磁気的手段の利用による材料の調査または分析
26電気化学的変量の調査によるもの;電解または電気泳動の利用によるもの
403セルと電極の組合せ
414イオン感応性または化学的電界効果トランジスタ,例.ISFETSまたはCHEMFETS
H01L 27/14 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
CPC
G01N 27/4148
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electro-chemical, or magnetic means
26by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
403Cells and electrode assemblies
414Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
4148Integrated circuits therefor, e.g. fabricated by CMOS processing
G01N 27/4167
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electro-chemical, or magnetic means
26by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
416Systems
4166measuring a particular property of an electrolyte
4167pH
H01L 27/14609
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
H01L 27/14641
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14641Electronic components shared by two or more pixel-elements, e.g. one amplifier shared by two pixel elements
出願人
  • 国立大学法人豊橋技術科学大学 National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 太齋 文博 DASAI, Fumihiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 澤田 和明 SAWADA, Kazuaki [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 太齋 文博 DASAI, Fumihiro
  • 澤田 和明 SAWADA, Kazuaki
代理人
  • 小西 富雅 KONISHI, Tomimasa
優先権情報
2011-15568814.07.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR DETECTING CHEMICAL AND PHYSICAL PHENOMENON, AND DEVICE THEREFOR
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTECTION DE PHÉNOMÈNE CHIMIQUE ET PHYSIQUE ET SON DISPOSITIF
(JA) 化学・物理現象検出方法及びその装置
要約
(EN)
Provided are a device for detecting chemical and physical phenomenon suitable for high integration, and a method therefor. Rather than using a TG section signal to select pixels that require charge measurement, the on-off timing (the timing for moving the charge from a sensing section to an FD section) of the TG section is harmonized for all pixels, and the release or injection of the charge to the sensing section is separately controlled, whereby the charge is held only in sensing sections of pixels that require charge measurement, and the charge is emptied in sensing sections of pixels that do not require charge measurement. In this state, the TG section of all pixels can be opened at the same time, whereby the charge is transferred to the FD section from only the sensing sections holding a charge, and the charge level of the pixel is detected.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de détection de phénomène chimique et physique approprié pour une intégration élevée, et son procédé. Plutôt que d'utiliser un signal de partie TG pour sélectionner les pixels qui nécessitent une mesure de charge, le temps de marche-arrêt (le temps pour déplacer la charge d'une partie de détection à une partie FD) de la partie TG est harmonisé pour tous les pixels, et la libération ou l'injection de la charge dans la partie de détection est commandée séparément, la charge étant maintenue uniquement dans les parties de détection de pixels qui nécessitent une mesure de charge, et la charge étant vidée dans les parties de détection de pixels qui ne nécessitent pas de mesure de charge. Dans ce cas, la partie TG de tous les pixels peut être ouverte simultanément, la charge pouvant ainsi être transférée de la partie FD uniquement à partir des parties de détection détenant la charge, et le niveau de charge est détecté.
(JA)
 高集積化に適した化学・物理現象検出装置及びその制御方法を提供する。 電荷測定が必要なピクセルの選択をTG部信号で行なうことをやめて、TG部の開閉タイミング(センシング部からFD部への電荷の移動のタイミング)は全てのピクセルで同一タイミングとし、他方、センシング部への電荷の注入、排出を別途制御することにより、電荷測定が必要なピクセルのセンシングのみに電荷をホールドさせ、電荷測定が不要なピクセルのセンシング部は空の状態にする。この状態において、全ピクセルのTG部を一斉に開けば、電荷がホールドされているセンシング部のみから電荷がFD部へ移送され、そのピクセルの電荷量が検出される。
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