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1. WO2013008605 - メタルゲート半導体の洗浄方法

公開番号 WO/2013/008605
公開日 17.01.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/065948
国際出願日 22.06.2012
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
H01L 21/28 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 29/78 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
CPC
H01L 21/02057
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02057Cleaning during device manufacture
H01L 21/02068
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02057Cleaning during device manufacture
02068during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
H01L 21/02071
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02057Cleaning during device manufacture
02068during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
02071the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
H01L 21/31133
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
311Etching the insulating layers ; by chemical or physical means
31127Etching organic layers
31133by chemical means
H01L 21/67017
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
出願人
  • 栗田工業株式会社 Kurita Water Industries Ltd. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 永井 達夫 NAGAI Tatsuo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 山川 晴義 YAMAKAWA Haruyoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 永井 達夫 NAGAI Tatsuo
  • 山川 晴義 YAMAKAWA Haruyoshi
代理人
  • 横井 幸喜 YOKOI Koki
優先権情報
2011-15305111.07.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR CLEANING METAL GATE SEMICONDUCTOR
(FR) PROCÉDÉ DESTINÉ À NETTOYER UN SEMI-CONDUCTEUR À GRILLE MÉTALLIQUE
(JA) メタルゲート半導体の洗浄方法
要約
(EN)
[Problem] To provide a method for cleaning a metal gate semiconductor, wherein a resist adhered on a semiconductor can be effectively peeled, while suppressing etching of a metal gate. [Solution] This method for cleaning a metal gate semiconductor has an ashing step (step (s1)) of ashing a photoresist on a semiconductor, and a persulfuric acid cleaning step (step (s2)) wherein, after the ashing step, the semiconductor having been subjected to the ashing step is brought into contact with a persulfuric acid-containing sulfuric solution, and the photoresist on the semiconductor is peeled from the semiconductor. The persulfuric acid-containing sulfuric solution used in the persulfuric acid cleaning step has a hydrogen peroxide concentration of less than 16 mM as O, a sulfuric acid concentration of 90-96 mass%, a solution temperature of 70-130°C, and a persulfuric acid concentration of 0.50-25 mM as O.
(FR)
Cette invention se rapporte à un procédé destiné à nettoyer un semi-conducteur à grille métallique, une résistance qui adhère sur un semi-conducteur pouvant être pelée de manière efficace, tout en supprimant la gravure d'une grille métallique. Ce procédé destiné à nettoyer un semi-conducteur à grille métallique comprend une étape d'incinération (étape (s1)) consistant à incinérer un vernis photosensible sur un semi-conducteur et une étape de nettoyage à l'acide persulfurique (étape (s2)), après l'étape d'incinération, le semi-conducteur qui a été soumis à l'étape d'incinération étant mis en contact avec une solution sulfurique qui contient de l'acide persulfurique et le vernis photosensible sur le semi-conducteur étant pelé du semi-conducteur. La solution sulfurique qui contient de l'acide persulfurique utilisée dans l'étape de nettoyage à l'acide persulfurique présente une concentration en peroxyde d'hydrogène inférieure à 16 mM en O, une concentration en acide sulfurique comprise entre 90 % en masse et 96 % en masse, une température de solution comprise entre 70 °C et 130 °C et une concentration en acide persulfurique comprise entre 0,50 mM et 25 mM en O.
(JA)
【課題】メタルゲートのエッチングを抑制しつつ、半導体に付着したレジストを効果的に剥離することができるメタルゲート半導体の洗浄方法を提供する。 【解決手段】半導体上のフォトレジストを灰化するアッシング工程(ステップs1)と、アッシング工程の後に、アッシング工程を経た前記半導体に過硫酸含有硫酸溶液を接触させて半導体上のフォトレジストを前記半導体から剥離する過硫酸洗浄工程(ステップs2)と、を有し、前記過硫酸洗浄工程における過硫酸含有硫酸溶液は、過酸化水素濃度が16mM as O以下、硫酸濃度が90質量%以上96質量%以下、液温度が70℃以上130℃以下であり、過硫酸濃度が0.50mM as O以上~25mM as O以下である。
関連公開情報:
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