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1. WO2013008556 - 発光素子及びその製造方法

公開番号 WO/2013/008556
公開日 17.01.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/064251
国際出願日 25.05.2012
IPC
H01L 33/22 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
20特定の形状を有するもの,例.湾曲または面取りされた基板
22粗面,凹凸面,例.エピタキシャル層の界面にあるもの
H01L 33/32 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
26発光領域の材料
30III族およびV族元素のみを有するもの
32窒素を含むもの
CPC
H01L 22/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
10Measuring as part of the manufacturing process
12for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
H01L 2933/0083
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0083Periodic patterns for optical field-shaping in or on the semiconductor body or semiconductor body package, e.g. photonic bandgap structures
H01L 33/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
H01L 33/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
H01L 33/44
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
出願人
  • 丸文株式会社 MARUBUN CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 東芝機械株式会社 TOSHIBA KIKAI KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 独立行政法人理化学研究所 RIKEN [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 独立行政法人産業技術総合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP]/[JP] (JP)
  • 株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 鹿嶋 行雄 KASHIMA, Yukio [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 松浦 恵里子 MATSUURA, Eriko [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 西原 浩巳 NISHIHARA, Hiromi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 田代 貴晴 TASHIRO, Takaharu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 大川 貴史 OOKAWA, Takafumi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 平山 秀樹 HIRAYAMA, Hideki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 藤川 紗千恵 FUJIKAWA, Sachie [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 尹 成圓 YOUN, Sung Won [KR]/[JP] (UsOnly)
  • 高木 秀樹 TAKAGI, Hideki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 上村 隆一郎 KAMIMURA, Ryuichiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 長田 大和 OSADA, Yamato [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 鹿嶋 行雄 KASHIMA, Yukio
  • 松浦 恵里子 MATSUURA, Eriko
  • 西原 浩巳 NISHIHARA, Hiromi
  • 田代 貴晴 TASHIRO, Takaharu
  • 大川 貴史 OOKAWA, Takafumi
  • 平山 秀樹 HIRAYAMA, Hideki
  • 藤川 紗千恵 FUJIKAWA, Sachie
  • 尹 成圓 YOUN, Sung Won
  • 高木 秀樹 TAKAGI, Hideki
  • 上村 隆一郎 KAMIMURA, Ryuichiro
  • 長田 大和 OSADA, Yamato
代理人
  • 平木 祐輔 HIRAKI, Yusuke
優先権情報
2011-15427612.07.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 発光素子及びその製造方法
要約
(EN)
Disclosed is a semiconductor light emitting element characterized in having, in a light extraction layer, a photonic crystal periodic structure, which is a periodic structure configured of two systems (structural bodies) respectively having different refractive indexes, said periodic structure having the interface between the two systems (structural bodies) satisfying the conditions of Bragg scattering, and also having a photonic band gap.
(FR)
La présente invention concerne un élément électroluminescent semi-conducteur caractérisé en ce qu'une couche d'extraction de lumière présente une structure périodique de cristal photonique qui est une structure périodique composée de deux systèmes (corps structurels) ayant respectivement des indices de réfraction différents. Ladite structure périodique a une interface entre les deux systèmes (corps structurels) qui satisfait les conditions de diffusion de Bragg, et a également une bande interdite photonique.
(JA)
異なる屈折率を持つ2つの系(構造体)からなる周期構造であって、前記2つの系(構造体)の界面がブラッグ散乱の条件を満たし、かつ、フォトニックバンドギャップを有するフォトニック結晶周期構造を、光取出し層に有することを特徴とする半導体発光素子。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報