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1. WO2013008542 - 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法

公開番号 WO/2013/008542
公開日 17.01.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/063643
国際出願日 28.05.2012
IPC
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B08B 3/12 2006.01
B処理操作;運輸
08清掃
B清掃一般;汚れ防止一般
3液体または蒸気の使用または存在を含む方法による清掃
04液体との接触を含む清掃
10液体または清掃される物の付加的処理を有するもの,例.熱,電気,振動によるもの
12音波または超音波振動によるもの
CPC
B08B 3/12
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
08CLEANING
BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
3Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
04Cleaning involving contact with liquid
10with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity, by vibration
12by sonic or ultrasonic vibrations
H01L 21/02052
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
02052Wet cleaning only
H01L 21/02057
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02057Cleaning during device manufacture
H01L 21/67057
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67028for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
6704for wet cleaning or washing
67057with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
出願人
  • 株式会社カイジョー KAIJO CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 鈴木 一成 SUZUKI, Kazunari [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 鈴木 一成 SUZUKI, Kazunari
代理人
  • 羽切 正治 HAGIRI, Masaharu
優先権情報
2011-15380312.07.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ULTRASONIC CLEANING DEVICE AND ULTRASONIC CLEANING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE NETTOYAGE ULTRASONORE ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE ULTRASONORE
(JA) 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法
要約
(EN)
Provided is an ultrasonic cleaning device and ultrasonic cleaning method that can suppress occurrences of damage to substrates being cleaned and, additionally, can carry out cleaning with a high degree of cleanliness for substrates and the like, which have high degrees of precision and are used by the electronics industry and the like. An article (16) being cleaned is held so as to be positioned in the proximity of and below the surface of a cleaning fluid outside of a region (ultrasonic exposure region) formed by perpendicular lines extending from an oscillation surface of an ultrasonic transducer (2) to the fluid surface. Capillary waves (20) are formed on the surface of the cleaning fluid by ultrasonic waves, and without directly exposing the article being cleaned (16) to the ultrasonic waves, microparticle contamination on the article being cleaned (16) is detached by the sound pressure made by the capillary waves (20), thus suppressing occurrences of damage to the substrate being cleaned.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de nettoyage ultrasonore et un procédé de nettoyage ultrasonore qui peuvent éviter une détérioration des substrats nettoyés et, en outre, qui peuvent effectuer le nettoyage avec un degré de propreté élevé pour des substrats et autres objets qui ont un degré de précision élevé et qui sont utilisés dans l'industrie électronique, etc. Un article à nettoyer (16) est maintenu afin d'être positionné au-dessous de la surface d'un fluide de nettoyage et à proximité de celle-ci, en dehors de la région (région d'exposition ultrasonore) formée par des droites perpendiculaires qui s'étendent entre une surface oscillante d'un transducteur ultrasonore (2) et la surface du fluide. Des ondes capillaires (20) sont formées à la surface du fluide de nettoyage par les ondes ultrasonores et, sans exposition directe de l'article à nettoyer (16) aux ondes ultrasonores, les microparticules qui contaminent l'article à nettoyer (16) sont détachées par la pression sonore exercée par les ondes capillaires (20), ce qui évite une détérioration du substrat à nettoyer.
(JA)
被洗浄基板へのダメージの発生を抑えることができ、また、エレクトロニクス産業等で使用される高精密度の基板等に対して高清浄度の洗浄を行うことが可能な超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法を提供すること。被洗浄物(16)を超音波振動子(2)の振動面から延びた垂線の液面までの成す領域(超音波照射領域)外の洗浄液の液面下の近傍に位置するように保持して、超音波によって洗浄液の表面に表面張力波(20)を励起させ、被洗浄物(16)に超音波を直接照射することなしに、表面張力波(20)による音圧によって被洗浄物(16)の微粒子汚染物を剥離するようにして、被洗浄基板へのダメージの発生を抑える。
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