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1. WO2013005738 - n型拡散層形成組成物、n型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法

公開番号 WO/2013/005738
公開日 10.01.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/066985
国際出願日 03.07.2012
IPC
H01L 21/225 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
22半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料,例.ドーピング材料,電極材料,の拡散;不純物材料の再分布,例.さらなるドーパントの導入または除去をしないもの
225固相,例.ドープされた酸化物層,から固体へのまたは固体から固相への拡散を用いるもの
H01L 31/04 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04光起電変換装置として使用されるもの
CPC
C03C 15/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
15Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
C03C 3/097
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
3Glass compositions
04containing silica
076with 40% to 90% silica, by weight
097containing phosphorus, niobium or tantalum
C03C 8/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
8Enamels; Glazes
02Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
08containing phosphorus
C03C 8/16
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
8Enamels; Glazes
14Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
16with vehicle or suspending agents, e.g. slip
H01L 21/2225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
22Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; ; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
2225Diffusion sources
H01L 21/2255
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
22Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; ; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
225using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
2251Diffusion into or out of group IV semiconductors
2254from or through or into an applied layer, e.g. photoresist, nitrides
2255the applied layer comprising oxides only, e.g. P2O5, PSG, H3BO3, doped oxides
出願人
  • 日立化成株式会社 Hitachi Chemical Company, Ltd. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 佐藤 鉄也 SATO, Tetsuya [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 吉田 誠人 YOSHIDA, Masato [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 野尻 剛 NOJIRI, Takeshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 岡庭 香 OKANIWA, Kaoru [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 町井 洋一 MACHII, Yoichi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 岩室 光則 IWAMURO, Mitsunori [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 木沢 桂子 KIZAWA, Keiko [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 織田 明博 ORITA, Akihiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 足立 修一郎 ADACHI, Shuichiro [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 佐藤 鉄也 SATO, Tetsuya
  • 吉田 誠人 YOSHIDA, Masato
  • 野尻 剛 NOJIRI, Takeshi
  • 岡庭 香 OKANIWA, Kaoru
  • 町井 洋一 MACHII, Yoichi
  • 岩室 光則 IWAMURO, Mitsunori
  • 木沢 桂子 KIZAWA, Keiko
  • 織田 明博 ORITA, Akihiro
  • 足立 修一郎 ADACHI, Shuichiro
代理人
  • 小林 美貴 KOBAYASHI, Miki
優先権情報
2011-14924905.07.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) COMPOSITION FOR FORMING n-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD FOR PRODUCING n-TYPE DIFFUSION LAYER, AND METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELL ELEMENT
(FR) COMPOSITION POUR LA FORMATION D'UNE COUCHE DE DIFFUSION DE TYPE n, PROCÉDÉ POUR LA PRODUCTION D'UNE COUCHE DE DIFFUSION DE TYPE n ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENTS DE CELLULE SOLAIRE
(JA) n型拡散層形成組成物、n型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法
要約
(EN)
The invention provides a composition for forming an n-type diffusion layer, comprising a glass powder, which contains a donor element and has a softening temperature of 500-900ºC inclusive and an average particle diameter of 5 µm or less, and a dispersion medium.
(FR)
La présente invention concerne une composition pour la formation d'une couche de diffusion de type n, comprenant une poudre de verre, qui contient un élément donneur et présente une température de ramollissement de 500-900°C inclus, et un diamètre de particule moyen de 5 µm ou moins, et un milieu de dispersion.
(JA)
 本発明は、ドナー元素を含み、軟化温度が500℃以上900℃以下であり、平均粒子径が5μm以下であるガラス粉末と、分散媒と、を含有するn型拡散層形成組成物を提供する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報