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1. WO2013005717 - 絶縁反射基板およびその製造方法

公開番号 WO/2013/005717
公開日 10.01.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/066895
国際出願日 02.07.2012
IPC
C25D 11/16 2006.01
C化学;冶金
25電気分解または電気泳動方法;そのための装置
D電気分解または電気泳動による被覆方法;電鋳;電気分解による加工品の接合;そのための装置
11表面反応による電解被覆,すなわち転換層の形成
02陽極処理
04アルミニウムまたはアルミニウムを基とする合金
16前処理
C25F 3/04 2006.01
C化学;冶金
25電気分解または電気泳動方法;そのための装置
F材料の電気分解による除去方法;そのための装置
3電解エッチングまたは電解研摩
02エッチング
04軽金属
H01L 33/60 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
58光の形状を形成する要素
60反射要素
CPC
C25D 11/005
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING
11Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
005Apparatus specially adapted for electrolytic conversion coating
C25D 11/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING
11Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
02Anodisation
04of aluminium or alloys based thereon
06characterised by the electrolytes used
08containing inorganic acids
C25D 11/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING
11Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
02Anodisation
04of aluminium or alloys based thereon
12Anodising more than once, e.g. in different baths
C25D 11/16
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING
11Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
02Anodisation
04of aluminium or alloys based thereon
16Pretreatment ; , e.g. desmutting
C25D 11/20
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING
11Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
02Anodisation
04of aluminium or alloys based thereon
18After-treatment, e.g. pore-sealing
20Electrolytic after-treatment
C25D 5/022
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING
5Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
02Electroplating of selected surface areas
022using masking means
出願人
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM Corporation [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 畠中 優介 HATANAKA Yusuke [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 上杉 彰男 UESUGI Akio [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 畠中 優介 HATANAKA Yusuke
  • 上杉 彰男 UESUGI Akio
代理人
  • 渡辺 望稔 WATANABE Mochitoshi
優先権情報
2011-14847204.07.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) INSULATING REFLECTIVE SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) SUBSTRAT RÉFLÉCHISSANT D'ISOLATION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 絶縁反射基板およびその製造方法
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to provide an insulating reflective substrate which is capable of providing a light emitting element that has excellent insulating properties and excellent diffuse reflectance. An insulating reflective substrate (1) of the present invention comprises an aluminum layer (2) and an aluminum oxide layer (3) that is provided on the surface of the aluminum layer (2). The aluminum oxide layer (3) has a thickness from 80 μm to 300 μm (inclusive), and the aluminum oxide layer (3) has large pits (4) each having an opening in the surface of the aluminum oxide layer. The large pits (4) have an average opening diameter of more than 1 μm but 30 μm or less and an average depth of 80 μm or more but less than the thickness of the aluminum oxide layer (3). The average distance between two large pits (4) is 10 μm or more but less than the thickness of the aluminum oxide layer (3). The ratio of the total area of the openings of the large pits (4) to the surface area of the aluminum oxide layer (3) is from 10% to 40% (inclusive). Each large pit (4) has small pits (5) each having an opening in the inner surface of the large pit (4), and the small pits (5) have an average opening diameter of 5-1,000 nm.
(FR)
L'invention a pour objectif de fournir un substrat réfléchissant d'isolation permettant de produire un élément luminescent se révélant excellent autant en termes de propriétés d'isolation que de réflectance diffuse. Ce substrat réfléchissant d'isolation (1) possède une couche d'aluminium (2), et une couche d'oxyde d'aluminium (3) agencée à la surface de ladite couche d'aluminium (2). L'épaisseur de ladite couche d'oxyde d'aluminium (3), est supérieure ou égale à 80µm et inférieure ou égale à 300µm. Ladite couche d'oxyde d'aluminium (3) possède de grandes fosses (4) avec des parties ouverture à la surface de ladite couche d'oxyde d'aluminium (3). Le diamètre moyen d'ouverture desdites grandes fosses (4) dépasse 1µm et est inférieur ou égal à 30µm. La profondeur moyenne desdites grandes fosses (4) est supérieure ou égale à 80µm et inférieure à l'épaisseur de ladite couche d'oxyde d'aluminium (3). La distance moyenne entre lesdites grandes fosses (4) est supérieure ou égale à 10µm et inférieure à l'épaisseur de ladite couche d'oxyde d'aluminium (3). La proportion de la superficie totale desdites parties ouvertures desdites grandes fosses (4) par rapport à la superficie de la surface de ladite couche d'oxyde d'aluminium (3), est supérieure ou égale à 10% et inférieure ou égale à 40%. Lesdites grandes fosses (4) possèdent de petites fosses (5) avec des parties ouverture à la surface de la partie interne desdites grandes fosses (4). Le diamètre moyen d'ouverture desdites petites fosses (5) se situe entre 5 et 1000nm.
(JA)
 本発明の目的は、絶縁性および拡散反射率のいずれにも優れる発光素子を作製することができる絶縁反射基板を提供することである。 本発明の絶縁反射基板(1)は、アルミニウム層(2)と前記アルミニウム層(2)の表面に設けられる酸化アルミニウム層(3)とを有する絶縁反射基板(1)であって、前記酸化アルミニウム層(3)の厚さが80μm以上300μm以下であり、前記酸化アルミニウム層(3)がその表面に開口部が存在する大ピット(4)を有し、前記大ピット(4)の平均開口径が1μm超30μm以下であり、前記大ピット(4)の平均深さが80μm以上かつ前記酸化アルミニウム層(3)の厚さ未満であり、前記大ピット(4)の平均ピット間距離が10μm以上かつ前記酸化アルミニウム層(3)の厚さ未満であり、前記酸化アルミニウム層(3)の表面の面積に対する前記大 ピット(4)の前記開口部の合計面積の割合が10%以上40%以下であり、前記大ピット(4)が前記大ピット(4)の内部表面に開口部が存在する小ピット(5)を有し、前記小ピット(5)の平均開口径が5~1000nmである。
他の公開
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