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1. WO2013005389 - 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置

公開番号 WO/2013/005389
公開日 10.01.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/004133
国際出願日 26.06.2012
IPC
H04N 5/3745 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
37451つの画素もしくはセンサマトリクス中の画素グループに接続された付加的構成を有しているもの,例.メモリ,A/D変換器,画素増幅器,共用回路もしくは共用の構成
H04N 5/232 2006.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
222スタジオ回路;スタジオ装置;スタジオ機器
225テレビジョンカメラ
232テレビジョンカメラを調整するための装置,例.遠隔制御
H04N 5/369 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
CPC
H01L 27/14609
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
H01L 27/14641
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14641Electronic components shared by two or more pixel-elements, e.g. one amplifier shared by two pixel elements
H04N 5/365
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
357Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
365applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
H04N 5/3741
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
3741comprising control or output lines sharing a plurality of functions, e.g. output or driving or reset or power lines
H04N 5/37452
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
3745having additional components embedded within a pixel or connected to a group of pixels within a sensor matrix, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
37452comprising additional storage means
H04N 5/378
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
378Readout circuits, e.g. correlated double sampling [CDS] circuits, output amplifiers or A/D converters
出願人
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 香山 信三 KOYAMA, Shinzo (UsOnly)
  • 村田 隆彦 MURATA, Takahiko (UsOnly)
発明者
  • 香山 信三 KOYAMA, Shinzo
  • 村田 隆彦 MURATA, Takahiko
代理人
  • 新居 広守 NII, Hiromori
優先権情報
2011-14770301.07.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLID STATE IMAGING DEVICE, DRIVE METHOD FOR SOLID STATE IMAGING DEVICE, AND IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE PILOTAGE DE DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置
要約
(EN)
This solid state imaging device comprises: a pixel unit (110) having arranged two-dimensionally therein a plurality of unit pixels (101) that photoelectrically convert incident light and generate pixel information; and a two-dimensional memory unit (150) having a plurality of unit memories (105a) that hold the pixel information two-dimensionally arranged therein. A column of unit memories (105a) includes the plurality of unit memories (105a) from the same column as a unit memory block (105). The two-dimensional memory unit (150) has: a memory signal line (106) provided to correspond to the column of unit memories (105a); and one selection transistor (t4) shared by the plurality of unit memories (105a) in the same unit memory block (105), and disposed between the unit memory block (105) and the memory signal line (106).
(FR)
L'invention porte sur un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs qui comporte : une unité de pixels (110) dans laquelle sont agencés, de façon bidimensionnelle, une pluralité de pixels unitaires (101) qui convertissent de façon photoélectrique la lumière incidente et qui génèrent des informations de pixel ; une unité de mémoire bidimensionnelle (150) dans laquelle sont agencées de façon bidimensionnelle une pluralité de mémoires unitaires (105a) qui conservent les informations de pixel. Une colonne de mémoires unitaires (105a) comprend la pluralité de mémoires unitaires (105a) de la même colonne sous la forme d'un bloc de mémoires unitaires (105). L'unité de mémoire bidimensionnelle (150) possède: une ligne de signal de mémoire (106) fournie pour correspondre à la colonne de mémoires unitaires (105a) ; un transistor de sélection (t4) partagé par la pluralité de mémoires unitaires (105a) du même bloc de mémoires unitaires (105), et agencé entre le bloc de mémoires unitaires (105) et la ligne de signal de mémoire (106).
(JA)
 本発明の固体撮像装置は、入射光を光電変換して画素情報を生成する複数の単位画素(101)が2次元状に配置された画素部(110)と、画素情報を保持する複数の単位メモリ(105a)が2次元状に配置された2次メモリ部(150)とを備え、単位メモリ(105a)の列には、同一列の複数の単位メモリ(105a)が単位メモリブロック(105)として含まれ、2次メモリ部(150)は、単位メモリ(105a)の列に対応して設けられたメモリ信号線(106)と、単位メモリブロック(105)とメモリ信号線(106)との間に設けられ、同じ単位メモリブロック(105)内の複数の単位メモリ(105a)で共有された1つの選択トランジスタ(t4)とを有する。
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