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1. WO2013002060 - 太陽電池用ウエハ、太陽電池およびその製造方法

公開番号 WO/2013/002060
公開日 03.01.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/065574
国際出願日 19.06.2012
IPC
H01L 31/04 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04光起電変換装置として使用されるもの
B28D 5/04 2006.01
B処理操作;運輸
28セメント,粘土,または石材の加工
D石材または石材類似材料の加工
5宝石類,結晶体の精密加工,例.半導体の材料;そのための装置
04回転式以外の工具によるもの,例.往復動工具
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
CPC
B23D 61/185
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
DPLANING; SLOTTING; SHEARING; BROACHING; SAWING; FILING; SCRAPING; LIKE OPERATIONS FOR WORKING METAL BY REMOVING MATERIAL, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
61Tools for sawing machines or sawing devices
18Sawing tools of special type, e.g. wire saw strands, saw blades or saw wire equipped with diamonds or other abrasive particles in selected individual positions
185Saw wires; Saw cables; Twisted saw strips
H01L 31/02363
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0236Special surface textures
02363of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
H01L 31/0682
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
068the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
0682back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
H01L 31/1804
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
1804comprising only elements of Group IV of the Periodic System
Y02E 10/547
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
54Material technologies
547Monocrystalline silicon PV cells
Y02P 70/50
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
70Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
出願人
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 高木 明英 TAKAKI, Akihide (UsOnly)
  • 中村 昌次 NAKAMURA, Masatsugu (UsOnly)
  • 北條 義之 HOJO, Yoshiyuki (UsOnly)
  • 熊田 浩 KUMADA, Hiroshi (UsOnly)
  • 涌田 順三 WAKUDA, Junzoh (UsOnly)
  • 林 哲也 HAYASHI, Tetsuya (UsOnly)
発明者
  • 高木 明英 TAKAKI, Akihide
  • 中村 昌次 NAKAMURA, Masatsugu
  • 北條 義之 HOJO, Yoshiyuki
  • 熊田 浩 KUMADA, Hiroshi
  • 涌田 順三 WAKUDA, Junzoh
  • 林 哲也 HAYASHI, Tetsuya
代理人
  • 特許業務法人深見特許事務所 Fukami Patent Office, p.c.
優先権情報
2011-14569230.06.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) WAFER FOR SOLAR CELL, SOLAR CELL, AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) TRANCHE POUR CELLULE SOLAIRE, CELLULE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION POUR CELLE-CI
(JA) 太陽電池用ウエハ、太陽電池およびその製造方法
要約
(EN)
A production method for a silicon wafer (1) for a solar cell, including: a step in which a silicon crystal ingot (50) is sliced by an electrodeposition wire (53) comprising abrasive grains (22) having an average particle diameter of 8-11 µm; and a step in which a crystal silicon wafer (11) obtained by said slicing of the silicon crystal ingot (50) is etched so as to have a facet (62) having a width of 10-150 µm in the surface of said crystal silicon wafer (11).
(FR)
L'invention porte sur un procédé de production pour une tranche de silicium (1) pour une cellule solaire, lequel procédé comprend : une étape dans laquelle un lingot de cristal de silicium (50) est tranché par un fil d'électrodéposition (53) comprenant des grains abrasifs (22) ayant un diamètre de particules moyen de 8 à 11 µm ; et une étape dans laquelle une tranche de silicium cristallin (11) obtenue par ledit tranchage du lingot de cristal de silicium (50) est gravée de façon à avoir une facette (62) ayant une largeur de 10 à 150 µm dans la surface de ladite tranche de silicium cristallin (11).
(JA)
 平均粒径が8μm以上11μm以下の砥粒(22)を備えた電着ワイヤ(53)によりシリコン結晶インゴット(50)をスライスする工程と、上記シリコン結晶インゴット(50)の上記スライスにより得られた結晶シリコンウエハ(11)を、上記結晶シリコンウエハ(11)の表面に10μm以上150μm以下の幅のファセット(62)を有するように、エッチングする工程と、を含む、太陽電池用シリコンウエハ(1)の製造方法である。
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