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1. WO2013001789 - 電流センサ

公開番号 WO/2013/001789
公開日 03.01.2013
国際出願番号 PCT/JP2012/004119
国際出願日 26.06.2012
IPC
G01R 15/20 2006.01
G物理学
01測定;試験
R電気的変量の測定;磁気的変量の測定
15グループG01R17/00~G01R29/00,G01R33/00~G01R33/26またはG01R35/00に定めた形式の測定装置の細部
14電圧または電流の絶縁計測に適合するもの,例.高電圧回路または大電流回路用
20磁電変換素子を使用するもの,例.ホール効果素子
CPC
G01R 15/205
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
15Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00 and G01R33/00 - G01R35/00
14Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
20using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices ; , i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices
205using magneto-resistance devices, e.g. field plates
G01R 19/0092
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
19Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
0092measuring current only
G01R 33/093
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
09Magnetoresistive devices
093using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
出願人
  • 株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 酒井 亮輔 SAKAI, Ryosuke [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 金原 孝昌 KINPARA, Takamasa [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 車戸 紀博 KURUMADO, Norihiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 野村 江介 NOMURA, Kousuke [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 酒井 亮輔 SAKAI, Ryosuke
  • 金原 孝昌 KINPARA, Takamasa
  • 車戸 紀博 KURUMADO, Norihiro
  • 野村 江介 NOMURA, Kousuke
代理人
  • 金 順姫 KIN, Junhi
優先権情報
2011-14316728.06.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) CURRENT SENSOR
(FR) CAPTEUR DE COURANT
(JA) 電流センサ
要約
(EN)
In the present invention, a current sensor that measures the current flowing in a conductor (90) is provided with the following: a sensor substrate (10); a magneto-electric conversion element (20) formed on one surface (10a) of the sensor substrate (10), output signals of which fluctuate due to the application of a magnetic field; and a magnetic shield (30) that surrounds the periphery of the sensor substrate (10) and the conductor (90) so as to magnetically shield the exterior from the interior. A characteristic of the magneto-electric conversion element (20) is that output signals fluctuate due to a magnetic field applied along the formation surface (10a) of the sensor substrate (10). At least one space (31) is formed in the magnetic shield (30) in order to suppress magnetic saturation inside the magnetic shield (30). In a z direction that intersects the formation surface (10a) of the sensor substrate (10), the height position of the space (31) and the height position of the sensor substrate (10) are identical.
(FR)
La présente invention concerne un capteur de courant qui mesure un courant circulant dans un conducteur (90), et qui comprend les éléments suivants : un substrat de capteur (10) ; un élément de conversion magnéto-électrique (20) formé sur une surface (10a) du substrat de capteur (10) et dont les signaux de sortie fluctuent du fait de l'application d'un champ magnétique ; et un bouclier magnétique (30) qui entoure la périphérie du substrat de capteur (10) et le conducteur (90) de manière à protéger magnétiquement l'extérieur de l'intérieur. Une caractéristique de l'élément de conversion magnéto-électrique (20) est que les signaux de sortie fluctuent du fait du champ magnétique appliqué le long de la surface de formation (10a) du substrat de capteur (10). Au moins un espace (31) est formé dans le bouclier magnétique (30) afin de supprimer la saturation magnétique dans le bouclier magnétique (30). Dans la direction z qui croise la surface de formation (10a) du substrat de capteur (10), la position en hauteur de l'espace (31) et la position en hauteur du substrat de capteur (10) sont identiques.
(JA)
 導体(90)を流れる電流を測定する電流センサは、センサ基板(10)と、該センサ基板(10)の一面(10a)に形成され、印加磁界によって出力信号が変動する磁電変換素子(20)と、前記センサ基板(10)、及び、前記導体(90)それぞれの周囲を囲むことで、外部と内部とを磁気的に遮蔽する磁気シールド部(30)と、を有する。前記磁電変換素子(20)は、前記センサ基板(10)の形成面(10a)に沿う印加磁界によって出力信号が変動する性質を有する。前記磁気シールド部(30)には、前記磁気シールド部(30)内の磁気飽和を抑制するための空隙(31)が少なくとも1つ形成される。前記センサ基板(10)の形成面(10a)に直交するz方向における、前記空隙(31)の高さ位置と、前記センサ基板(10)の高さ位置とが同一である。
他の公開
DE112012002744
DE1120120027442
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