処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2012141066 - 酸化物型半導体材料及びスパッタリングターゲット

公開番号 WO/2012/141066
公開日 18.10.2012
国際出願番号 PCT/JP2012/059329
国際出願日 05.04.2012
IPC
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 21/363 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まないH01L21/06,H01L21/16およびH01L21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
363物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
C01G 19/00 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
GサブクラスC01DまたはC01Fに包含されない金属を含有する化合物
19すず化合物
CPC
C01G 19/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
19Compounds of tin
C01G 19/006
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
19Compounds of tin
006Compounds containing, besides tin, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
C01P 2002/52
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2002Crystal-structural characteristics
50Solid solutions
52containing elements as dopants
C01P 2006/40
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2006Physical properties of inorganic compounds
40Electric properties
C23C 14/086
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
08Oxides
086of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
C23C 14/3414
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
出願人
  • 三井金属鉱業株式会社 MITSUI MINING & SMELTING CO.,LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 徳地 成紀 TOKUCHI, Shigeki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 石井 林太郎 ISHII, Rintaro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 附田 龍馬 TSUKUDA, Ryoma [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 久保田 高史 KUBOTA, Takashi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 高橋 広己 TAKAHASHI, Hiroki [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 徳地 成紀 TOKUCHI, Shigeki
  • 石井 林太郎 ISHII, Rintaro
  • 附田 龍馬 TSUKUDA, Ryoma
  • 久保田 高史 KUBOTA, Takashi
  • 高橋 広己 TAKAHASHI, Hiroki
代理人
  • 特許業務法人田中・岡崎アンドアソシエイツ TANAKA AND OKAZAKI
優先権情報
2011-08801512.04.2011JP
2011-11880527.05.2011JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) OXIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL AND SPUTTERING TARGET
(FR) MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR OXYDE ET CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
(JA) 酸化物型半導体材料及びスパッタリングターゲット
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to provide an oxide semiconductor material (ZTO: Zn-Sn-O type oxide) which comprises a zinc oxide and a tin oxide. This oxide semiconductor material is useful as a substitute for IGZO, has a carrier mobility as high as about 10 cm2/Vs, which is equal to or higher than that of IGZO, and needs no high-temperature heat treatment. This oxide semiconductor material, which comprises a zinc oxide and a tin oxide, is characterized by containing any one or more of Mg, Ca, La, and Y as a dopant, the content of the dopant being 0.09 or less in terms of the ratio of the number of atoms of the dopant to the total number of atoms of the metallic elements Zn and Sn and the dopant.
(FR)
La présente invention concerne un matériau semi-conducteur oxyde (ZTO : oxyde de type Zn-Sn-O) qui comporte un oxyde de zinc et un oxyde d'étain. Ce matériau semi-conducteur oxyde est utile comme substitut pour IGZO, présente une mobilité des porteurs de charges aussi élevée qu'environ 10 cm2/Vs, ce qui est égal ou supérieur à celle de IGZO, et ne nécessite pas de traitement thermique à haute température. Ce matériau semi-conducteur oxyde, qui comporte un oxyde de zinc et un oxyde d'étain, est caractérisé en ce qu'il contient n'importe lequel ou lesquels parmi Mg, Ca, La et Y comme dopant, la teneur du dopant étant au plus de 0,09 en termes du rapport du nombre d'atomes du dopant au nombre total d'atomes des éléments métalliques Zn et Sn et du dopant.
(JA)
本発明は、IGZOの代替材料として、IGZOと同等以上となり、10cm/Vs程度の高キャリア移動度で且つ、高温熱処理を要しない、Zn酸化物とSn酸化物とからなる酸化物型半導体材料(ZTO:Zn-Sn-O系酸化物)を提供することを目的とする。本発明は、Zn酸化物とSn酸化物とを含む酸化物型半導体材料であって、ドーパントとして、Mg、Ca、La、Yのいずれか一種以上を含有し、ドーパント含有量は、金属元素としてのZn、Sn、ドーパントの各原子数合計に対するドーパントの原子比が0.09以下であることを特徴とする。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報