(EN) Provided is a semiconductor device having a substrate, a channel layer formed from a first nitride compound semiconductor and provided on the substrate, a barrier layer provided on the channel layer, a first electrode provided on the barrier layer, and a second electrode provided on top of the channel layer. The barrier layer has, provided on the channel layer, barrier layers formed from a second nitride compound semiconductor with a band gap energy larger than the first nitride compound semiconductor and quantum level layers, in which quantum levels that are formed from a third nitride compound semiconductor with a band gap energy lower than the second nitride compound semiconductor are formed.
(FR) L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant un substrat, une couche de canal constituée d'un premier semi-conducteur à base de nitrure et déposée sur le substrat, une couche barrière déposée sur la couche de canal, une première électrode formée sur la couche barrière, et une deuxième électrode formée au-dessus de la couche de canal. La couche barrière comporte, déposées sur la couche de canal, des couches barrières constituées d'un deuxième semi-conducteur à base de nitrure avec une énergie de bande interdite supérieure à celle du premier semi-conducteur à base de nitrure et des couches de niveaux quantiques dans lesquelles sont formés des niveaux quantiques constitués d'un troisième semi-conducteur à base de nitrure avec une énergie de bande interdite inférieure à celle du deuxième semi-conducteur à base de nitrure.
(JA) 基板と、基板上に設けられ第1の窒化物系化合物半導体からなるチャネル層と、チャネル層上に設けられたバリア層と、バリア層上に設けられた第1電極と、チャネル層の上方に設けられた第2電極とを備え、バリア層は、チャネル層上に設けられ第1の窒化物系化合物半導体よりバンドギャップエネルギーが大きい第2の窒化物系化合物半導体からなる障壁層と、第2の窒化物系化合物半導体よりバンドギャップエネルギーが小さい第3の窒化物系化合物半導体からなり量子準位が形成された量子準位層とを有する半導体デバイスを提供する。