(EN) During production of a terminus structure of a semiconductor device, there have been cases of an increased number of ion implantation steps or photolithography steps, and of increased production costs. To solve this problem, this semiconductor device is provided with: an n-type drift layer formed on a semiconductor substrate; an element region formed in the surface layer portion of the drift layer; a recess portion formed in a ring shape in the drift layer, the recess portion being formed at a predetermined distance to the outside from the element region; and a p-type impurity region that is formed extending from the bottom portion of the recess portion to the inside of the recess portion, the p-type impurity region being thicker at locations where the recess portion is absent than at locations where the recess portion is present.
(FR) Durant la production d'une structure de borne d'un dispositif à semi-conducteur, il y a eu des cas de nombre accru d'étapes d'implantation d'ions ou d'étapes de photolithographie, et de coûts de production accrus. Pour résoudre ce problème, le dispositif à semi-conducteur de l'invention comporte : une couche de dérive de type n formée sur un substrat semi-conducteur ; une région élémentaire formée dans la partie de couche de surface de la couche de dérive ; une partie de renfoncement formée selon une forme d'anneau dans la couche de dérive, la partie de renfoncement étant formée à une distance prédéterminée de l'extérieur par rapport à la région élémentaire ; et une région d'impuretés de type p qui est formée en s'étendant à partir de la partie inférieure de la partie de renfoncement vers l'intérieur de la partie de renfoncement, la région d'impuretés de type p étant plus épaisse à des emplacements où la partie de renfoncement est absente qu'à des emplacements où la partie de renfoncement est présente.
(JA) 半導体装置の終端構造を製造する際に、イオン注入の工程またはフォトリソグラフィー工程の数が増加して、製造コストが増加する場合があった。これを解決するために、半導体基板上に形成されたn型のドリフト層と、ドリフト層の表層部に形成された素子領域と、素子領域から所定の間隔をおいて外側のドリフト層にリング状に形成されたリセス部と、リセス部の底部からリセス部の内側にわたって形成され、リセス部のある箇所よりリセス部のない箇所で厚いp型の不純物領域とを備えた半導体装置にする。