処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2012086240 - 単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材及び単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法

公開番号 WO/2012/086240
公開日 28.06.2012
国際出願番号 PCT/JP2011/064878
国際出願日 29.06.2011
IPC
C30B 29/36 2006.1
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
36炭化物
C30B 19/12 2006.1
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
19液相エピタキシャル成長
12基板によって特徴づけられたもの
CPC
C30B 19/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
19Liquid-phase epitaxial-layer growth
12characterised by the substrate
C30B 28/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
28Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
12directly from the gas state
C30B 29/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
36Carbides
Y10T 428/26
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
428Stock material or miscellaneous articles
26Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
出願人
  • 東洋炭素株式会社 TOYO TANSO CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 鳥見 聡 TORIMI, Satoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 野上 暁 NOGAMI, Satoru [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 松本 強資 MATSUMOTO, Tsuyoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 鳥見 聡 TORIMI, Satoshi
  • 野上 暁 NOGAMI, Satoru
  • 松本 強資 MATSUMOTO, Tsuyoshi
代理人
  • 特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI
優先権情報
2010-28847624.12.2010JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEED MATERIAL FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE, AND METHOD FOR LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH OF MONOCRYSTALLINE SILICON
(FR) SUBSTANCE DE GERME POUR CROISSANCE ÉPITAXIALE EN PHASE LIQUIDE DU CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE ÉPITAXIALE EN PHASE LIQUIDE DU CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN
(JA) 単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材及び単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法
要約
(EN) Provided is an inexpensive seed material for liquid phase epitaxial growth of a silicon carbide. A seed material (12) for liquid phase epitaxial growth of a monocrystalline silicon carbide has a surface layer containing a polycrystalline silicon carbide having a crystal polymorph of a cubic crystal system. When said surface layer is subjected to Raman spectroscopic analysis at an excitation wavelength of 532 nm, a T0 peak and peaks other than L0 peaks are observed as the peaks derived from the polycrystalline silicon carbide having a crystal polymorph of a cubic crystal system.
(FR) L'invention concerne une substance de germe pour croissance épitaxiale en phase liquide du carbure de silicium, dont le prix est modéré. Cette substance de germe pour croissance épitaxiale en phase liquide du carbure de silicium monocristallin (12) possède une couche superficielle contenant un carbure de silicium polycristallin de polymorphisme 3C. Par une analyse spectroscopique Raman avec une longueur d'onde d'excitation de couche superficielle de 532nm, il est possible d'observer un pic autre qu'un pic T0 et qu'un pic L0, en tant que pic ayant pour origine le carbure de silicium polycristallin de polymorphisme 3C.
(JA)  安価な炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。 単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材12は、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層の励起波長を532nmとするラマン分光解析によって、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素に由来のピークとして、T0ピーク及びL0ピーク以外のピークが観察される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報