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1. (WO2012011539) 表示装置用Cu合金膜および表示装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/011539 国際出願番号: PCT/JP2011/066614
国際公開日: 26.01.2012 国際出願日: 21.07.2011
IPC:
G09F 9/30 (2006.01) ,C22C 9/00 (2006.01) ,C22C 9/01 (2006.01) ,C22C 9/04 (2006.01) ,C22C 9/05 (2006.01) ,C22C 9/06 (2006.01) ,C22F 1/08 (2006.01) ,C23C 30/00 (2006.01) ,G02F 1/1343 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 23/52 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,C22F 1/00 (2006.01)
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
F
表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9
情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30
必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
9
銅基合金
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
9
銅基合金
01
次に多い成分としてアルミニウムを含むもの
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
9
銅基合金
04
次に多い成分として亜鉛を含むもの
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
9
銅基合金
05
次に多い成分としてマンガンを含むもの
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
9
銅基合金
06
次に多い成分としてニッケルまたはコバルトを含むもの
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
F
非鉄金属または非鉄合金の物理的構造の変化
1
非鉄金属または合金の熱処理によるか熱間または冷間加工による物理的構造の変化
08
銅または銅基合金
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
30
金属材料の組成にのみ特徴のある金属質材料による被覆,すなわち被覆方法に特徴のないもの
G 物理学
02
光学
F
光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1
独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01
強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13
液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133
構造配置;液晶セルの作動;回路配置
1333
構造配置
1343
電極
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
F
非鉄金属または非鉄合金の物理的構造の変化
1
非鉄金属または合金の熱処理によるか熱間または冷間加工による物理的構造の変化
出願人:
株式会社神戸製鋼所 KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO [JP/JP]; 兵庫県神戸市中央区脇浜町二丁目10番26号 10-26, Wakinohama-cho 2-chome, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6518585, JP (AllExceptUS)
三木 綾 MIKI Aya; null (UsOnly)
釘宮 敏洋 KUGIMIYA Toshihiro; null (UsOnly)
寺尾 泰昭 TERAO Yasuaki; null (UsOnly)
発明者:
三木 綾 MIKI Aya; null
釘宮 敏洋 KUGIMIYA Toshihiro; null
寺尾 泰昭 TERAO Yasuaki; null
代理人:
小栗 昌平 OGURI Shohei; 東京都港区西新橋一丁目7番13号 虎ノ門イーストビルディング10階 栄光特許事務所 Eikoh Patent Firm, Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
優先権情報:
2010-16438521.07.2010JP
発明の名称: (EN) CU ALLOY FILM FOR DISPLAY DEVICE, AND DISPLAY DEVICE
(FR) FILM D'ALLIAGE DE CUIVRE POUR DISPOSITIF D'AFFICHAGE, ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 表示装置用Cu合金膜および表示装置
要約:
(EN) The present invention provides a display device which is provided with a Cu alloy film having high adhesion to an oxygen-containing insulator layer and a low electrical resistivity. The present invention relates to a Cu alloy film for a display device, said film having a laminated structure including a first layer (Y) composed of a Cu alloy containing, in total, 1.2-20 atm % of at least one element selected from among a group composed of Zn, Ni, Ti, Al, Mg, Ca, W, Nb and Mn, and a second layer (X) composed of pure Cu or a Cu alloy having Cu as a main component and an electrical resistivity lower than that of the first layer (Y). A part of or the whole first layer (Y) is directly in contact with an oxygen-containing insulator layer (27), and in the case where the first layer (Y) contains Zn or Ni, the thickness of the first layer (Y) is 10-100 nm, and in the case where the first layer (Y) does not contain Zn and Ni, the thickness of the first layer (Y) is 5-100 nm. The present invention also relates to a display device having the Cu alloy film.
(FR) La présente invention concerne un dispositif d'affichage pourvu d'un film d'alliage de cuivre présentant une adhérence élevée à une couche d'isolation contenant de l'oxygène et une faible résistivité électrique. La présente invention concerne un film d'alliage de cuivre pour un dispositif d'affichage, ledit film ayant une structure stratifiée comprenant une première couche (Y) constituée d'un alliage de cuivre contenant, au total, un pourcentage atomique de 1,2-20 % d'au moins un élément sélectionné dans un groupe constitué de Zn, Ni, Ti, Al, Mg, Ca, W, Nb et Mn, et une deuxième couche (X) constituée de cuivre pur ou d'un alliage de cuivre dont le cuivre est un composant principal, et ayant une résistivité électrique inférieure à celle de la première couche (Y). Une partie ou l'ensemble de la première couche (Y) est directement en contact avec une couche d'isolation contenant de l'oxygène (27). Dans le cas où la première couche (Y) contient Zn ou Ni, l'épaisseur de la première couche (Y) est de 10-100 nm, et dans le cas où la première couche (Y) ne contient ni Zn ni Ni, l'épaisseur de la première couche (Y) est de 5-100 nm. La présente invention concerne aussi un dispositif d'affichage intégrant le film d'alliage de cuivre.
(JA) 本発明は、酸素含有絶縁体層との高い密着性、および低い電気抵抗率を有する、Cu合金膜を備えた表示装置を提供する。本発明は、Zn,Ni,Ti,Al,Mg,Ca,W,NbおよびMnよりなる群から選択される少なくとも1種の元素を合計で1.2~20原子%含むCu合金からなる第一層(Y)と、純Cu、またはCuを主成分とするCu合金であって前記第一層(Y)よりも電気抵抗率の低いCu合金からなる第二層(X)と、を含む積層構造を有し、前記第一層(Y)の一部または全部は、酸素含有絶縁体層(27)と直接接触しており、且つ、第一層(Y)がZnまたはNiを含有する場合は、第一層(Y)の膜厚は10nm以上100nm以下であり、第一層(Y)がZnおよびNiを含有しない場合は、第一層(Y)の膜厚が5nm以上100nm以下である表示装置用Cu合金膜、並びに、該Cu合金膜を有する表示装置に関する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130122323KR1020130048228