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1. (WO2012011423) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/011423 国際出願番号: PCT/JP2011/066041
国際公開日: 26.01.2012 国際出願日: 14.07.2011
IPC:
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 16/46 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
46
基板を加熱するのに使われる方法に特徴があるもの
出願人:
株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 東京都千代田区外神田四丁目14番1号 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1018980, JP (AllExceptUS)
西堂 周平 SAIDO Shuhei [JP/JP]; JP (UsOnly)
山口 天和 YAMAGUCHI Takatomo [JP/JP]; JP (UsOnly)
原 大介 HARA Daisuke [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
西堂 周平 SAIDO Shuhei; JP
山口 天和 YAMAGUCHI Takatomo; JP
原 大介 HARA Daisuke; JP
代理人:
油井 透 YUI Tohru; 東京都千代田区飯田橋四丁目6番1号 21東和ビル3F 21 TOWA BLDG. 3F, 6-1, Iidabashi 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1020072, JP
優先権情報:
2010-16530022.07.2010JP
発明の名称: (EN) DEVICE FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'UN SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
要約:
(EN) Disclosed is a device for treating a substrate, which comprises: a treatment chamber which treats a substrate inside a body to be induction heated; a substrate holding body which vertically holds a plurality of substrates inside the treatment chamber in such a way that gaps are formed therebetween; a first heat exchange part which supports the substrate holding body from underneath the substrate holding body inside the treatment chamber and exchanges heat with gas inside the treatment chamber; a second heat exchange part which is disposed horizontally with respect to the first heat exchange part inside the treatment chamber with a gap formed between the first and second heat exchange parts and which exchanges heat with the gas inside the treatment chamber; and an induction heating part which performs, outside of the body to be induction heated, induction heating of the body to be induction heated.
(FR) L'invention concerne un dispositif de traitement d'un substrat, qui comporte : une chambre de traitement qui traite un substrat à l'intérieur d'un corps à chauffer par induction ; un corps de maintien de substrats qui maintient verticalement une pluralité de substrats à l'intérieur de la chambre de traitement de façon à ménager des intervalles entre eux ; un premier composant d'échange de chaleur qui soutient le corps de maintien de substrats par-dessous ledit corps de maintien de substrats à l'intérieur de la chambre de traitement et qui échange de la chaleur avec un gaz à l'intérieur de la chambre de traitement ; un deuxième composant d'échange de chaleur qui est disposé horizontalement par rapport au premier composant d'échange de chaleur à l'intérieur de la chambre de traitement, un intervalle étant ménagé entre les premier et deuxième composants d'échange de chaleur, et qui échange de la chaleur avec le gaz à l'intérieur de la chambre de traitement ; et un composant de chauffage par induction qui réalise, à l'extérieur du corps à chauffer par induction, un chauffage par induction du corps à chauffer par induction.
(JA)  被誘導体内で基板を処理する処理室と、該処理室内で複数枚の基板を鉛直方向にそれぞれが間隔を成すように保持する基板保持体と、前記処理室内で前記基板保持体を該基板保持体の下方側から支持し前記処理室内のガスと熱交換する第一熱交換部と、前記処理室内で前記第一熱交換部の水平方向に該第一熱交換部と間隙を成して設けられ前記処理室内のガスと熱交換する第二熱交換部と、前記被誘導体の外側で該被誘導体を誘導加熱する誘導加熱部とを有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2012011423