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1. (WO2012011329) ターゲットの裏面に溝を備えた磁性材スパッタリングターゲット
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/011329 国際出願番号: PCT/JP2011/063216
国際公開日: 26.01.2012 国際出願日: 09.06.2011
予備審査請求日: 12.09.2011
IPC:
C23C 14/35 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
35
磁界の適用によるもの,例.マグネトロンスパッタリング
出願人:
JX日鉱日石金属株式会社 JX Nippon Mining & Metals Corporation [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目6番3号 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164, JP (AllExceptUS)
佐藤 敦 SATO Atsushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
佐藤 敦 SATO Atsushi; JP
代理人:
小越 勇 OGOSHI Isamu; 東京都港区虎ノ門3丁目1番10号 第2虎ノ門電気ビル5階 小越国際特許事務所 OGOSHI International Patent Office, Daini-Toranomon Denki Bldg., 5F, 1-10, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
優先権情報:
2010-16608623.07.2010JP
発明の名称: (EN) MAGNETIC MATERIAL SPUTTERING TARGET PROVIDED WITH GROOVE IN REAR FACE OF TARGET
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE EN MATÉRIAU MAGNÉTIQUE POURVUE DE SILLONS SUR SA FACE ARRIÈRE
(JA) ターゲットの裏面に溝を備えた磁性材スパッタリングターゲット
要約:
(EN) Disclosed is a disk-shaped magnetic material sputtering target which has a thickness of 1 to 10 mm and comprises at least one circular groove on the rear face of the target. The circular groove is centred at the centre of the disk-shaped target and has a width of 5 to 20 mm and a depth of 0.1 to 3.0 mm. Inter-groove spacing is at least 10 mm. A non-magnetic material having thermal conductivity of 20 W/m∙K or more is embedded in the groove. In order to eliminate defects when the target is a magnetic material, sputtering efficiency is increased by increasing the leakage magnetic flux density, increasing the spread of the plasma, and improving the rate of deposition, and in addition local erosion is suppressed and erosion of the target surface is made to be uniform to thereby improve the utilisation efficiency of the magnetic target.
(FR) L'invention concerne une cible de pulvérisation cathodique en matériau magnétique en forme de disque d'une épaisseur de 1 à 10 mm qui comprend au moins un sillon circulaire sur sa face arrière. Le sillon circulaire est centré sur la cible en forme de disque et a une largeur de 5 à 20 mm et une profondeur de 0,1 à 3,0 mm. L'écartement entre sillons est d'au moins 10 mm. Un matériau amagnétique ayant une conductivité thermique d'au moins 20 W/m.K est placé dans le sillon afin d'éliminer les défauts liés aux cibles magnétiques. L'efficacité de pulvérisation est accrue en augmentant la densité de flux magnétique de fuite, ce qui amplifie l'étalement du plasma et améliore la vitesse de dépôt, et l'érosion locale est supprimée, ce qui rend l'usure de la surface de la cible uniforme, améliorant ainsi l'efficacité d'utilisation de la cible magnétique.
(JA) 厚みが1~10mmである円板状の磁性材スパッタリングターゲットであって、該ターゲットの裏面に、幅が5~20mm、深さが0.1~3.0mmである該円板状ターゲットの中心を中心とする少なくとも1個の円溝を有し、各溝の間隔は10mm以上であり、かつ前記溝に、熱伝導率が20W/m・K以上である非磁性材料が埋め込まれていることを特徴とする磁性材スパッタリングターゲット。ターゲットが磁性材である場合の欠点を解消するために、漏洩磁束密度が大きくなるように工夫し、プラズマの広がりを大きく、かつ堆積速度を向上させてスパッタリング効率が増加させ、さらに局部的なエロージョンを抑制して、ターゲット表面のエロージョンを均一化し、磁性材ターゲットの使用効率を向上させることを課題とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
Also published as:
US20130087454CN103080369SG185023JPWO2012011329MYPI 2012004722