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1. (WO2012011294) パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/011294 国際出願番号: PCT/JP2011/051766
国際公開日: 26.01.2012 国際出願日: 28.01.2011
IPC:
C23C 14/34 (2006.01) ,C22C 1/04 (2006.01) ,C22C 19/07 (2006.01) ,G11B 5/851 (2006.01) ,H01F 10/16 (2006.01) ,H01F 41/18 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
1
非鉄合金の製造
04
粉末冶金によるもの
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
19
ニッケルまたはコバルトを基とする合金
07
コバルトを基とする合金
G 物理学
11
情報記憶
B
記録担体と変換器との間の相対運動に基づいた情報記録
5
記録担体の磁化または減磁による記録;磁気的手段による再生;そのための記録担体
84
記録担体の製造に特に適合する方法または装置
851
スパッタリングにより磁性層を支持体に形成するもの
H 電気
01
基本的電気素子
F
磁石;インダクタンス;変成器;それらの磁気特性による材料の選択
10
磁性薄膜,例.1磁区構造のもの
08
磁性体層によって特徴づけられたもの
10
組成によって特徴づけられたもの
12
金属または合金
16
コバルトを含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
F
磁石;インダクタンス;変成器;それらの磁気特性による材料の選択
41
このサブクラスに包含される装置の製造または組立に特に適合した装置または工程
14
基体に磁性膜を適用するためのもの
18
陰極スパッタリングによるもの
出願人:
JX日鉱日石金属株式会社 JX Nippon Mining & Metals Corporation [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目6番3号 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164, JP (AllExceptUS)
荻野 真一 OGINO Shin-ichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
佐藤 敦 SATO Atsushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
中村 祐一郎 NAKAMURA Yuichiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
荒川 篤俊 ARAKAWA Atsutoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
荻野 真一 OGINO Shin-ichi; JP
佐藤 敦 SATO Atsushi; JP
中村 祐一郎 NAKAMURA Yuichiro; JP
荒川 篤俊 ARAKAWA Atsutoshi; JP
代理人:
小越 勇 OGOSHI Isamu; 東京都港区虎ノ門3丁目1番10号 第2虎ノ門電気ビル5階 小越国際特許事務所 OGOSHI International Patent Office, Daini-Toranomon Denki Bldg., 5F, 1-10, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
優先権情報:
2010-16332820.07.2010JP
2010-28315220.12.2010JP
発明の名称: (EN) FERROMAGNETIC MATERIAL SPUTTERING TARGET WITH LITTLE PARTICLE GENERATION
(FR) CIBLE DE PULVÉRISATION DE MATÉRIAU FERROMAGNÉTIQUE PRÉSENTANT UNE FAIBLE PRODUCTION DE PARTICULES
(JA) パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット
要約:
(EN) Disclosed is a non-magnetic material dispersion-type ferromagnetic material sputtering target in which non-magnetic material particles comprising oxides are dispersed in a metal having a composition containing 20 mol% or less of Cr, and Co as the remainder, wherein: the target composition contains a phase (A) in which non-magnetic material particles comprising oxides are dispersed in a metal base, and a metal phase (B), which has a different component composition than the metal base, in phase (A); the area ratio occupied by the oxide within 2 µm from the outermost circumference of the metal phase (B) is 80% or less; and the metal phase (B) has an average particle diameter of 10 to 150 µm. As a consequence, a ferromagnetic material sputtering target is obtained wherein it is possible to prevent particle generation during sputtering and to stably discharge in a magnetron sputter device by improving the leakage magnetic flux.
(FR) La présente invention se rapporte à une cible de pulvérisation de matériau ferromagnétique de type par dispersion d'un matériau non magnétique, les particules de matériau non magnétique qui comprennent des oxydes étant dispersées dans un métal ayant une composition contenant une quantité de chrome (Cr) égale ou inférieure à 20 % en moles, le restant étant du cobalt (Co). La composition de la cible contient une phase (A) dans laquelle des particules de matériau non magnétique comprenant des oxydes sont dispersées dans une base métallique, et une phase métallique (B) qui présente une composition constitutive différente de celle de la base métallique, dans la phase (A) ; le rapport surfacique occupé par l'oxyde à moins de 2 µm de la circonférence la plus externe de la phase métallique (B) est égal ou inférieur à 80 % ; et la phase métallique (B) présente un diamètre particulaire moyen compris entre 10 et 150 µm. On obtient ainsi une cible de pulvérisation de matériau ferromagnétique pour laquelle il est possible d'empêcher la production de particules pendant la pulvérisation et de procéder à une évacuation de façon stable dans un dispositif de pulvérisation magnétron en améliorant le flux magnétique de fuite.
(JA)  Crが20mol%以下、残余がCoである組成の金属中に、酸化物からなる非磁性材料粒子が分散した非磁性材料分散型強磁性スパッタリングターゲットであって、このターゲット組織が、金属素地に酸化物からなる非磁性材料粒子が分散した相(A)と、前記相(A)の中に、金属素地と異なる成分組成の金属相(B)を有し、前記金属相(B)の最外周より2μm以内に酸化物が占める面積率が80%以下で、かつ、前記相(B)の平均粒径が10μm以上150μm以下であることを特徴とする強磁性材スパッタリングターゲット。スパッタリング時のパーティクルの発生を抑制できるとともに、漏洩磁束を向上させて、マグネトロンスパッタリング装置で安定した放電が可能な強磁性材スパッタリングターゲットを得る。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130112555SG185768JPWO2012011294MYPI 2012005485