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1. (WO2012011222) メモリ装置及びCPUの制御方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/011222 国際出願番号: PCT/JP2011/003445
国際公開日: 26.01.2012 国際出願日: 16.06.2011
IPC:
G11C 16/02 (2006.01) ,G06F 12/06 (2006.01) ,G06F 12/16 (2006.01) ,G11C 16/06 (2006.01)
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
16
消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ
02
電気的にプログラム可能なもの
G 物理学
06
計算;計数
F
電気的デジタルデータ処理
12
メモリ・システムまたはアーキテクチャ内でのアクセシング,アドレシングまたはアロケーティング(情報記憶一般G11)
02
アドレシングまたはアロケーション;リロケーション
06
ロケーションの物理的ブロックのアドレシング,例.ベース・アドレシング,モジュール・アドレシング,メモリ空間拡張,メモリ専用
G 物理学
06
計算;計数
F
電気的デジタルデータ処理
12
メモリ・システムまたはアーキテクチャ内でのアクセシング,アドレシングまたはアロケーティング(情報記憶一般G11)
16
メモリ内容の破壊に対する保護
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
16
消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ
02
電気的にプログラム可能なもの
06
周辺回路,例.メモリへの書込み用
出願人:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
西川 和予 NISHIKAWA, Kazuyo; null (UsOnly)
乃一 修平 NOICHI, Shuuhei; null (UsOnly)
在田 盟 ARITA, Makoto; null (UsOnly)
加藤 淳一 KATOU, Junichi; null (UsOnly)
三好 麻子 MIYOSHI, Asako; null (UsOnly)
発明者:
西川 和予 NISHIKAWA, Kazuyo; null
乃一 修平 NOICHI, Shuuhei; null
在田 盟 ARITA, Makoto; null
加藤 淳一 KATOU, Junichi; null
三好 麻子 MIYOSHI, Asako; null
代理人:
前田 弘 MAEDA, Hiroshi; 大阪府大阪市中央区本町2丁目5番7号 大阪丸紅ビル Osaka-Marubeni Bldg.,5-7,Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053, JP
優先権情報:
2010-16307920.07.2010JP
発明の名称: (EN) MEMORY DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING CPU
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ DE COMMANDE D'UNE UNITÉ CENTRALE
(JA) メモリ装置及びCPUの制御方法
要約:
(EN) A memory (102) is provided with a storage unit (106b) for storing the number of times a rewriting voltage pulse is applied to a memory array and a required time outputting unit (106b) for outputting data representing the required time for the rewriting operation on the basis of the application number stored in the storage unit (106b).
(FR) L'invention concerne une mémoire (102) pourvue d'une unité de stockage (106b) pour stocker le nombre de fois qu'une impulsion de tension de réécriture est appliquée à un réseau de mémoire, et d'une unité de sortie de temps nécessaire (106b) pour générer des données représentant le temps nécessaire à l'opération de réécriture en fonction du nombre d'applications stocké dans l'unité de stockage (106b).
(JA)  メモリ(102)は、メモリアレイへの書換え電圧パルスの印加回数を格納する格納部(106b)と、格納部(106b)に格納された印加回数に基づいて、書換え動作の所要時間を表すデータを出力する所要時間出力部(106b)とを備えている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)