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1. (WO2012011217) アクティブマトリクス基板及びその製造方法、並びに液晶表示パネル
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/011217 国際出願番号: PCT/JP2011/002824
国際公開日: 26.01.2012 国際出願日: 20.05.2011
IPC:
G02F 1/1362 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01)
G 物理学
02
光学
F
光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1
独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01
強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13
液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133
構造配置;液晶セルの作動;回路配置
136
半導体の層または基板と構造上組み合された液晶セル,例.集積回路の一部を構成するセル
1362
アクティブマトリックスセル
G 物理学
02
光学
F
光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1
独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01
強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13
液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133
構造配置;液晶セルの作動;回路配置
136
半導体の層または基板と構造上組み合された液晶セル,例.集積回路の一部を構成するセル
1362
アクティブマトリックスセル
1368
スイッチング素子が三端子の素子であるもの
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522, JP (AllExceptUS)
美崎克紀 MISAKI, Katsunori; null (UsOnly)
発明者:
美崎克紀 MISAKI, Katsunori; null
代理人:
前田弘 MAEDA, Hiroshi; 大阪府大阪市中央区本町2丁目5番7号 大阪丸紅ビル Osaka-Marubeni Bldg., 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053, JP
優先権情報:
2010-16363921.07.2010JP
発明の名称: (EN) ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, PRODUCTION METHOD FOR SAME, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE ACTIVE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION CORRESPONDANT, ET DALLE D'AFFICHEUR À CRISTAUX LIQUIDES
(JA) アクティブマトリクス基板及びその製造方法、並びに液晶表示パネル
要約:
(EN) Disclosed is an active matrix substrate (30a) comprising: a plurality of pixels disposed in a matrix; a plurality of switching elements (5a) each disposed in each pixel; a first protective insulating film (20a) disposed on top of each switching element (5a): a transparent conductive layer (21b) disposed on top of the first protective insulating film (20a); a second protective insulating film (22a) disposed on top of the transparent conductive layer (21b); and a plurality of pixel electrodes (23a) disposed on top of the second protective insulating film (22a) in a matrix and each connected to each switching element (5a). A groove (G) is formed in the second protective insulating film (22a) such that the first protective insulating film (20a) is exposed along the circumference of each pixel electrode (23a) and the transparent conductive layer (21b) is disposed so as to be exposed along the groove in the second protective insulating film (22a) from a side wall (W) of the groove (G) in a state recessed from the side wall (W) of the groove (G).
(FR) La présente invention concerne un substrat de matrice active (30a) comprenant: une pluralité de pixels disposés en matrice; une pluralité d'éléments de commutation (5a) disposés chacun dans chaque pixel; un premier film isolant protecteur (20a) disposé au-dessus de chaque élément de commutation (5a); une couche conductrice transparente (21b) disposée au-dessus du premier film isolant protecteur (20a); un second film isolant protecteur (22a) disposé au-dessus de la couche conductrice transparente (21b); et une pluralité d'électrodes de pixels (23a) disposées en matrice au-dessus du second film isolant protecteur (22a), chacune de ces électrodes étant connectées à chaque élément de commutation (5a). Une rainure (G) est réalisée dans le second film isolant protecteur (22a) de façon que le premier film isolant protecteur (20a) soit dégagé le long du pourtour de chaque électrode de pixel (23a). Enfin, la couche conductrice transparente (21b) est disposée de façon, d'une part à être dégagée le long de la rainure dans le second film isolant protecteur (22a) à partir d'une paroi latérale (W) de la rainure (G), et d'autre part à être en creux à partir de la paroi latérale (W) de la rainure (G).
(JA)  マトリクス状に設けられた複数の画素と、各画素毎にそれぞれ設けられた複数のスイッチング素子(5a)と、各スイッチング素子(5a)上に設けられた第1保護絶縁膜(20a)と、第1保護絶縁膜(20a)上に設けられた透明導電層(21b)と、透明導電層(21b)上に設けられた第2保護絶縁膜(22a)と、第2保護絶縁膜(22a)上にマトリクス状に設けられ、各スイッチング素子(5a)にそれぞれ接続された複数の画素電極(23a)とを備えたアクティブマトリクス基板(30a)であって、第2保護絶縁膜(22a)には、各画素電極(23a)の周囲に沿って第1保護絶縁膜(20a)が露出するように溝(G)が形成され、透明導電層(21b)は、第2保護絶縁膜(22a)の溝(G)に沿って溝(G)の側壁(W)から凹んだ状態で溝(G)の側壁(W)から露出するように設けられている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20130083265JPWO2012011217KR1020130037219