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1. (WO2012011207) 検査用パッド電極を除去する工程を備える半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/011207 国際出願番号: PCT/JP2011/001515
国際公開日: 26.01.2012 国際出願日: 15.03.2011
IPC:
H01L 21/66 (2006.01) ,G01R 31/28 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 23/52 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66
製造または処理中の試験または測定
G 物理学
01
測定;試験
R
電気的変量の測定;磁気的変量の測定
31
電気的性質を試験するための装置;電気的故障の位置を示すための装置;試験対象に特徴のある電気的試験用の装置で,他に分類されないもの
28
電子回路の試験,例.シグナルトレーサーによるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
出願人:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
藤井政了 FUJII, Masaaki; null (UsOnly)
安井孝俊 YASUI, Takatoshi; null (UsOnly)
平井健裕 HIRAI, Takehiro; null (UsOnly)
発明者:
藤井政了 FUJII, Masaaki; null
安井孝俊 YASUI, Takatoshi; null
平井健裕 HIRAI, Takehiro; null
代理人:
前田弘 MAEDA, Hiroshi; 大阪府大阪市中央区本町2丁目5番7号 大阪丸紅ビル Osaka-Marubeni Bldg.,5-7,Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053, JP
優先権情報:
2010-16370821.07.2010JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD COMPRISING STEP OF REMOVING PAD ELECTRODE FOR INSPECTION
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE ÉTAPE DE RETRAIT D'UNE ÉLECTRODE PASTILLE POUR INSPECTION
(JA) 検査用パッド電極を除去する工程を備える半導体装置の製造方法
要約:
(EN) First of all, a first interlayer insulating film (101) is formed on a semiconductor substrate (100) on which an element to be measured is formed. After that, a contact plug (206) that is electrically connected to the element to be measured and a first wiring line (102) that is electrically connected to the contact plug (206) are formed in the first interlayer insulating film (101). Next, a pad electrode for inspection (104A) that is composed of an organic conductive film is formed on the first interlayer insulating film (101) so as to be connected to the first wiring line (102). Following that, the electrical characteristics of the element to be measured are measured, while keeping a probe needle (107) in contact with the pad electrode for inspection (104A). After that, the pad electrode for inspection (104A) is removed.
(FR) Selon l'invention, un premier film isolant intercalaire (101) est déposé sur un substrat semi-conducteur (100) sur lequel est formé un élément à mesurer. Ensuite, une fiche de contact (206) reliée électriquement à l'élément à mesurer et une première ligne de câblage (102) reliée électriquement à la fiche de contact (206) sont formées dans le premier film isolant intercalaire (101). Une électrode pastille pour inspection (104A) composée d'un film conducteur organique est alors formée sur le premier film isolant intercalaire (101) de manière à être reliée à la première ligne de câblage (102). Ensuite, les caractéristiques électriques de l'élément à mesurer sont mesurées, tout en maintenant une aiguille sonde (107) en contact avec l'électrode pastille pour inspection (104A). Puis, l'électrode pastille pour inspection (104A) est retirée.
(JA)  まず、被測定素子が形成された半導体基板(100)の上に、第1の層間絶縁膜(101)を形成する。その後、第1の層間絶縁膜(101)に被測定素子と電気的に接続されるコンタクトプラグ(206)と、該コンタクトプラグ(206)と電気的に接続される第1の金属配線(102)とを形成する。続いて、第1の層間絶縁膜(101)の上に、有機導電性膜からなる検査用パッド電極(104A)を第1の金属配線(102)と接続されるように形成する。続いて、検査用パッド電極(104A)にプローブ針(107)を接触させた状態で、被測定素子の電気的特性を測定する。その後、検査用パッド電極(104A)を除去する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)