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1. WO2012008554 - アモルファス導電性酸化物膜を形成するための前駆体組成物および方法

公開番号 WO/2012/008554
公開日 19.01.2012
国際出願番号 PCT/JP2011/066165
国際出願日 08.07.2011
IPC
H01B 13/00 2006.01
H電気
01基本的電気素子
Bケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
13導体またはケーブルの製造に特に適合した装置または方法
C01G 55/00 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
GサブクラスC01DまたはC01Fに包含されない金属を含有する化合物
55ルテニウム,ロジウム,パラジウム,オスミウム,イリジウムまたは白金の化合物
H01B 5/14 2006.01
H電気
01基本的電気素子
Bケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
5形を特徴とする非絶縁導体または導電物体
14絶縁支持体上に導電層または導電フイルムを有するもの
H01L 21/28 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H01L 21/288 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
288液体からの析出,例.電解液からの析出
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
CPC
C01G 55/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
55Compounds of ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, or platinum
C01G 55/002
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
55Compounds of ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, or platinum
002Compounds containing, besides ruthenium, rhodium, palladium, osmium, iridium, or platinum, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
C01P 2002/72
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2002Crystal-structural characteristics
70defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
72by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
C01P 2006/40
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2006Physical properties of inorganic compounds
40Electric properties
H01B 1/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
1Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
06mainly consisting of other non-metallic substances
08oxides
H01L 21/02422
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02422Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
出願人
  • 独立行政法人科学技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 下田 達也 SHIMODA Tatsuya [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 李 金望 LI Jinwang [CN]/[JP] (UsOnly)
発明者
  • 下田 達也 SHIMODA Tatsuya
  • 李 金望 LI Jinwang
代理人
  • 大島 正孝 OHSHIMA Masataka
優先権情報
2010-15947514.07.2010JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PRECURSOR COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING AMORPHOUS CONDUCTIVE OXIDE FILM
(FR) COMPOSITION DE PRÉCURSEUR ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM D'OXYDE CONDUCTEUR AMORPHE
(JA) アモルファス導電性酸化物膜を形成するための前駆体組成物および方法
要約
(EN)
The present invention provides a precursor composition for forming a conductive oxide film which has high electrical conductivity and in which an amorphous structure can be maintained steadily even when the film is heated to a high temperature, in a simple liquid phase process. This precursor composition comprises: at least one compound selected from the group consisting of carboxylic acid salts, nitric acid salts and sulfuric acid salts of lanthanoid elements (excluding cerium), at least one compound selected from the group consisting of carboxylic acid salts, nitrosyl carboxylic acid salts, nitrosyl nitric acid salts and nitrosyl sulfuric acid salts of ruthenium, iridium and rhodium, and a solvent comprising at least one compound selected from the group consisting of carboxylic acids, alcohols and ketones.
(FR)
La présente invention porte sur une composition de précurseur pour la formation d'un film d'oxyde conducteur qui présente une conductivité électrique élevée et dans lequel une structure amorphe peut être maintenue sans interruption même lorsque le film est chauffé à une température élevée, dans un procédé en phase liquide simple. Cette composition de précurseur comporte : au moins un composé choisi dans le groupe constitué par les sels d'acide carboxylique, les sels d'acide nitrique et les sels d'acide sulfurique des lanthanides (à l'exclusion du cérium), au moins un composé choisi dans le groupe constitué par les sels d'acide carboxylique, les sels d'acide carboxylique de nitrosyle, les sels d'acide nitrique de nitrosyle et les sels de sulfate acide de nitrosyle du ruthénium, de l'iridium et du rhodium, et un solvant comportant au moins un composé choisi dans le groupe constitué par les acides carboxyliques, les alcools et les cétones.
(JA)
 本発明は、高い導電性を示すとともに、高温に加熱してもアモルファス構造が安定に維持される導電性酸化物膜を、簡易な液相プロセスによって形成するための前駆体組成物を提供するものである。本発明の前駆体組成物は、ランタノイド(ただし、セリウムを除く。)のカルボン酸塩、硝酸塩および硫酸塩よりなる群から選択される少なくとも1種と、ルテニウム、イリジウムまたはロジウムのカルボン酸塩、ニトロシルカルボン酸塩、ニトロシル硝酸塩およびニトロシル硫酸塩よりなる群から選択される少なくとも1種と、カルボン酸、アルコールおよびケトンよりなる群から選択される少なくとも1種を含有する溶媒と、を含有する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報