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1. (WO2012008545) 窒化アルミニウム結晶の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/008545 国際出願番号: PCT/JP2011/066146
国際公開日: 19.01.2012 国際出願日: 14.07.2011
IPC:
C30B 29/38 (2006.01) ,C30B 19/02 (2006.01) ,H01L 21/208 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
38
窒化物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
19
液相エピタキシャル成長
02
溶融溶媒を用いるもの,例.フラックス
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
208
液相成長を用いるもの
出願人:
住友金属鉱山株式会社 SUMITOMO METAL MINING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都港区新橋5丁目11番3号 11-3, Shimbashi 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1058716, JP (AllExceptUS)
国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP (AllExceptUS)
福山 博之 FUKUYAMA, Hiroyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
安達 正芳 ADACHI, Masayoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
田中 明和 TANAKA, Akikazu [JP/JP]; JP (UsOnly)
前田 一夫 MAEDA, Kazuo [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
福山 博之 FUKUYAMA, Hiroyuki; JP
安達 正芳 ADACHI, Masayoshi; JP
田中 明和 TANAKA, Akikazu; JP
前田 一夫 MAEDA, Kazuo; JP
代理人:
小池 晃 KOIKE, Akira; 東京都中央区明石町8番1号 聖路加タワー32階 32F, St. Luke's Tower, 8-1, Akashi-cho, Chuo-ku, Tokyo 1040044, JP
優先権情報:
2010-15997314.07.2010JP
2011-01277025.01.2011JP
2011-05041508.03.2011JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING ALUMINUM NITRIDE CRYSTALS
(FR) PROCÉDÉ POUR PRODUIRE DES CRISTAUX DE NITRURE D'ALUMINIUM
(JA) 窒化アルミニウム結晶の製造方法
要約:
(EN) Provided is a method for producing inexpensive, good-quality aluminum nitride crystals. Nitrogen gas is introduced to a Ga-Al alloy molten liquid (4) and aluminum nitride crystals are subjected to epitaxial growth on a seed crystal substrate (3) in the Ga-Al alloy molten liquid (4). The GaN is decomposed into metal Ga and nitrogen gas by bringing the aluminum nitride crystal growth temperature to within a range of 1,000ºC to 1,500ºC.
(FR) La présente invention concerne un procédé pour produire des cristaux de nitrure d'aluminium économiques, de bonne qualité. Du gaz d'azote est introduit dans un liquide fondu d'alliage Ga-Al (4) et des cristaux de nitrure d'aluminium sont soumis à une croissance épitaxiale sur un substrat de cristal de grain (3) dans le liquide fondu d'alliage Ga-Al (4). GaN est décomposé en métal de Ga et gaz d'azote en amenant la température de croissance de cristal de nitrure d'aluminium dans une plage de 1 000 ºC à 1 500 ºC.
(JA)  安価で良質な窒化アルミニウム結晶の製造方法を提供する。Ga-Al合金融液4に窒素ガスを導入し、Ga-Al合金融液4中の種結晶基板3上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる。窒化アルミニウム結晶の育成温度を1000℃以上1500℃以下の範囲とすることにより、GaNを金属Gaと窒素ガスに分解させる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
Also published as:
EP2594666CN103052739US20130187170KR1020140003377IN1111/DELNP/2013