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1. (WO2012008525) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2012/008525 国際出願番号: PCT/JP2011/066085
国際公開日: 19.01.2012 国際出願日: 14.07.2011
IPC:
H05H 1/46 (2006.01) ,C23C 16/509 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H05H 1/00 (2006.01)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
46
電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
50
放電を用いるもの
505
高周波放電によるもの
509
内部電極を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
出願人:
国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 2-1-1, Katahira, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP (AllExceptUS)
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP (AllExceptUS)
平山 昌樹 HIRAYAMA, Masaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
大見 忠弘 OHMI, Tadahiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
発明者:
平山 昌樹 HIRAYAMA, Masaki; JP
大見 忠弘 OHMI, Tadahiro; JP
代理人:
萩原康司 HAGIWARA, Yasushi; 東京都新宿区住吉町1-20 角張ビル はづき国際特許事務所 Hazuki International, Kakubari Building, 1-20, Sumiyoshi-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 1620065, JP
優先権情報:
2010-16045015.07.2010JP
発明の名称: (EN) PLASMA PROCESSING DEVICE AND PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
要約:
(EN) Disclosed is a plasma processing device that can control high-frequency waves that propagate through waveguides formed in electrodes. Said plasma processing device (10) is provided with: a vacuum vessel (100) that contains a platform (115), on which a substrate (G) is placed, and a plasma space above the platform, in which a plasma is generated; a plurality of electrode pairs (200), divided into first electrodes (200a) and second electrodes (200b), arranged at intervals inside the vacuum vessel; and a plurality of coaxial tubes (225) that are each provided so as to cut across two electrodes and that supply, into the vacuum vessel, high-frequency waves for exciting the plasma. An inner conductor in each coaxial tube is connected to one of two electrodes and an outer conductor is connected to the other electrode. After high-frequency waves supplied from the plurality of coaxial tubes propagate through waveguides (205) each formed between two electrodes, said high-frequency waves are released into the vacuum vessel from plasma-exposed surfaces of dielectric plates (210) provided in the waveguides, exciting the plasma.
(FR) L'invention concerne un dispositif de traitement au plasma qui peut contrôler les ondes à haute fréquence qui se propagent à travers des guides d'ondes formés dans des électrodes. Ledit dispositif de traitement au plasma (10) comporte : une enceinte sous vide (100) qui contient une plate-forme (115) sur laquelle est placé un substrat (G) et un espace de plasma au-dessus de la plate-forme, dans laquelle est produit un plasma ; une pluralité de paires d'électrodes (200) divisées en premières électrodes (200a) et en secondes électrodes (200b) disposées à certains intervalles à l'intérieur de l'enceinte sous vide ; et une pluralité de tubes coaxiaux (225) qui sont implantés de manière à couper deux électrodes et qui fournissent à l'intérieur de l'enceinte sous vide des ondes à hautes fréquences pour exciter le plasma. Un conducteur interne dans chaque tube coaxial est connecté à l'une des deux électrodes et un conducteur externe est connecté à l'autre électrode. Lorsque des ondes à haute fréquence fournies par la pluralité de tubes coaxiaux se propagent à travers des guides d'ondes (205) formés chacun entre deux électrodes, lesdites ondes à haute fréquence sont libérées dans l'enceinte sous vide à partir de surfaces de plaques diélectriques (210) exposées au plasma qui sont disposées dans les guides d'ondes, ce qui excite le plasma.
(JA) 【課題】電極に形成された導波路を伝搬する高周波を制御可能なプラズマ処理装置を提供する。 【解決手段】内部に、基板Gを載置する載置台115と該載置台上方においてプラズマが発生されるプラズマ空間とを有する真空容器100と、第1の電極部200aと第2の電極部200bとの2つの電極部に分離され、真空容器の内部に間隔を開けて配列された複数の電極対200と、2つの電極部を横断するように設けられ、真空容器の内部にプラズマを励起するための高周波を供給する複数の同軸管225とを備え、複数の同軸管の内部導体は2つの電極部の一方、外部導体は他方に接続され、複数の同軸管から供給された高周波が2つの電極部間に形成された導波路205を伝搬した後、導波路に設けられた誘電体板210のプラズマ露出面から真空容器に放出してプラズマを励起するプラズマ処理装置10が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)